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91.
Bistable Behaviour of N Two-Level Atoms Interacting with the Field inside a High-Q Cavity Containing a Nonlinear Kerr-Like Medium 下载免费PDF全文
Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour. 相似文献
92.
Design of Two-Dimensional Photonic Crystal Edge Emitting Laser for Photonic Integrated Circuits 下载免费PDF全文
An edge emitting laser based on two-dimensional photonic crystal slabs is proposed. The device consists of a square lattice microcavity, which is composed of two structures with the same period but different radius of air-holes, and a waveguide. In the cavity, laser resonance in the inner structure benefits from not only the anomalous dispersion characteristic of the first band-edge at the M point in the first Brillouin-zone but also zero photon states in the outer structure. A line defect waveguide is introduced in the outer structure for extracting photons from the inner cavity. Three-dimensional finite-difference time-domain simulations apparently show the in-plane laser output from the waveguide. The microcavity has an effective mode volume of about 3.2(λ/nslab)^3 for oscillation mode and the quality factor of the device including line defect waveguide is estimated to be as high as 1300. 相似文献
93.
中学物理“难学难教”似乎己成为多数物理教师和学生的共识,那么物理“难学难教”的涵义是什么?中学物理包括初中物理和高中物理,是不是初中物理和高中物理都存在“难学难教”的现象?笔者做过一次问卷调查,调查对象为初中的初二、初三两个年级学生和高中的高一、高二、高三三个年级学生.调查的内容是:在数学、物理、化学三科中,你认为哪一科最难学?哪一科比较难学?哪一科容易学?认为物理最难、比较难、容易的三项统计结果如表1所示。 相似文献
94.
All-optical clock recovery from non-return-to-zero (NRZ) data using an semiconductor optical amplifier (SOA) loop mirror and a mode-locked SOA fiber laser is firstly schematically explained and experimentally demonstrated at 10 Gb/s. Furthermore, the pulse quality of the recovered clock is effectively improved by using a continuous-wave (CW) assist light in the gain region of SOA, through which the amplitude modulation is reduced from 57.2% to 8.47%. This scheme is a promising method for clock recovery from NRZ data in the future all-optical communication networks. 相似文献
95.
利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高 度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长 .由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为14 eV. 通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱 的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带 态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.
关键词:
同步辐射
光电子能谱
Au/GaN欧姆接触
态密度 相似文献
96.
广义线性模型极大似然估计的强相合性与渐近正态性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了若干重要类型的离散响应变量广义线性模型,在sum from i=1 to n ZiZi'的最小特征根大于cnα(对某个c>0,α>0)等条件下证明了回归参数向量的极大似然估计的强相合性与渐近正态性,其中设计阵序列{||Zn||}可以为无界序列. 相似文献
97.
98.
Photonic band structures of two-dimensional photonic crystals with deformed lattices 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
Using the plane-wave expansion method, we have calculated and analysed the
changes of photonic band structures arising from two kinds of deformed
lattices, including the stretching and shrinking of lattices. The square
lattice with square air holes and the triangular lattice with circular air
holes are both studied. Calculated results show that the change of lattice
size in some special ranges can enlarge the band gap, which depends strongly
on the filling factor of air holes in photonic crystals; and besides, the
asymmetric band edges will appear with the broken symmetry of lattices. 相似文献
99.
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应。200 keV的Xe和400 keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016 cm-2。EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和 g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe 离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe 离子却是惰性的。 相似文献
100.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献