干涉光杠杆测量原理及应用

本文分析了用激光干涉法,使用光杠杆的测微原理,这种测微原理具有精度高、测量快、实时显示的特点,对检测高乎整度器件有广泛的应用。     

简并部分解除情况下的二阶微扰修正

通过对一般情况下简并态的二阶微扰修正，澄清目前在简并微扰论中尚存的一些模糊认识。     

III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应

用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟、正电子湮没谱学以及红外光谱研究了辐照产生的缺陷特性．结果表明，在未辐照的样品中存在单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位；当剂量较大时，还会形成双空位甚至尺寸较大的空洞．红外光谱测量发现，在辐照后的ＧａＡｓ样品中有非晶区形成．此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡｓ和ＩｎＰ以及受主杂质ＺｎＩｎ．对经１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２剂量辐照的ＩｎＰ进行了光学实验，在辐照后的ＩｎＰ材料中发现了亚稳态中心． Both GaAs and InP were irradiated by high energy (500 MeV) Ne ions. The Monte Carlo simulation, positron annihilation and IR spectroscopy were used to study the radiation induced defects. The result showed that monovacancies existed in as grown samples, but more monovacancies were introduced, after Ne ions irradiation, and with increasing radiation dose, divacancies were formed, and eventually large voids were observed. The IR measurement for irradiated GaAs samples confirmed the...     

Smash积的复杂度

给定任意一个有限维代数A,记其复杂度为C（A）.本文的主要结果是：如果有限维Hopf代数H和H是半单的,则对任意有限维H-模代数A,有C（A#H）=C（A）.利用此等式,可以计算一些代数的复杂度.     

一种八乙基卟啉西佛碱钴配合物的合成及配位反应动力学研究

利用一种已知的八乙基卟啉西佛碱配体Ｃ４３Ｈ５１Ｎ５合成了相应的钴（Ⅱ）配合物，其化学结构用谱学方法表征，研究了配位反应动力学，在６５～８０℃下，反应对卟啉西佛碱配体为一级，对钴盐为１／２级．测得了配位反应动力学方程和表观活化能，对反应机理进行了讨论．     

介绍一本青年自学读物——《无机化学》(上册)

《无机化学》是上海师范大学和上海化工学院《无机化学》编写组为上山下乡知识青年自学编写的青年自学丛书。全书分上、下两册,上册已在1974年5月由上海人民出版社出版。它是文化大革命以来,一本思想性较强的、理论联系实际较好的化学书。几年来,成千上万的知识青年,满怀革命豪情奔赴祖国各条战线和边疆,他们战斗在三大革命斗争第一线,坚定地走与工农相结合的道路,阶级斗争和路线斗争觉悟有了很大提高,无产阶级英雄人物不断涌现。但是,他们并不满足于现有的成绩,他们认真读马列的书、毛主席的书,同时也需要以马列主义、毛泽东思想为指导的科学文化书。《无机化学》正是这样的一     

利用函数的单调性证不等式

250一+b城特‘)证明按已知东件,原不等式等价于 a’+石.①a,+‘.② 一、、.J了 ︸.台,.巴十2 二口丫 了户,龟、、 目 的 了,J 数 函. 透 构 .易知式l)禅1二③故不等式0决走牙函数⑧为(非严榕)增函数.f(,+,)一少(,)二a’+气+6.十1 2。’+‘’ 2︵+2︸a一一‘︸一一)一”(扎狱黔少一全畏概护少一乳心托羚‘一“‘’一久一兰业二哪扛扩+ai-‘石土:?..+,6 》O 即l(。+1)>l(。)‘二争函数②为增函数、又由③知,不等式中真,从而原不等式真. 椒上方法可归纳为. 欲证不等式刀(,)》B(。)(>o),(,〔N)可构造函数f(。)‘A(。)一B(。)‘或“(·,一粼).…     

广义Dedekind函数误差项的加权平方积分均值

研究了和式∑↑n≤x（n/ψ（n））^r的渐近公式中的误差项E（x;r）的加权平方积分均值。其中，r是正整数，ψ(n)是Dedekind函数。     

快速发光二极管的性能与分析

本文叙述了用于光通信快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光管的性能.其电带宽大于60MHz,光带宽在100MHz以上.在200mA辐射度为1017W/cm2·sr.尾纤输出超过160μw(NA=0.2).分析和讨论了影响辐射输出和调制能力的诸因素,并选取了最佳折衷方案.     

Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu3Oy的磁通运动与临界电流特征

制备了银包套的Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca_2.2Cu₃O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹角。求得了磁通运动的激活能。提出了热激活磁通弯结的形成与运动模型,并用London理论计算了弯结 关键词：