ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理

以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369．5,290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100～200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。     

Fe-Ni 共掺杂 ZnO 的制备及其光催化降解甲基橙活性

 采用溶液法制备了 Fe-Ni 共掺杂 ZnO 光催化剂, 并运用 X 射线衍射、扫描电镜和原子发射光谱等对催化剂进行了表征. 以甲基橙 (MO) 为模型污染物, 评价了样品的光催化活性, 考察了甲基橙初始浓度及其 pH 值, 以及催化剂用量等对光催化反应性能的影响. 结果表明, Fe-Ni 共掺杂降低了 ZnO 的结晶度, 并促进了晶粒的长大. 光催化降解反应表明, Fe-Ni 共掺杂显著提高了 ZnO 光催化降解甲基橙的活性, 当催化剂用量为 0.6 g/L, 经 120 min 紫外光照射时, 可使甲基橙溶液 (10 mg/L) 降解率达到 93.5%. 关键词：铁; 镍; 共掺杂; 氧化锌; 光催化; 甲基橙; 降解     

毛细管胶束电动色谱定量方法研究

在前文中,我们报道了毛细管胶束电动色谱(MECC)的原理、装置,电中性物质的分离以及各物理因素对分离的影响。本文在前文的基础上,对MECC中保留时间重现性,峰高、峰面积定量的重现性、线性和检测限等进行了较为系统的研究,并讨论了进样时间对峰高和峰面积的影响。     

ZnO及其含锌混合氧化物薄膜的充放电性能研究

从充放电性能、晶体结构等方面考察了包括粉末状的ZnO、脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜和含锌混合氧化物薄膜的电化学性质.结果表明,ZnO粉末制备的电极的嵌入容量随退火温度的升高而增大,掺入其他氧化物可以明显改善ZnO薄膜的电化学性能,在Ar气氛中,基片温度为400℃时,沉积的靶子成分为Zn:B:P:Al=1:1:0.5:0.5(摩尔比)的含锌混合氧化物薄膜具有较高的可逆容量,且循环性能良好.     

LaFe1-xCuxO3的光催化性及正电子湮没研究

研究LaFeO3及微量掺铜LaFeO3的光催化活性,利用正电子湮没谱分析掺杂的影响,发现随着掺杂百分比的增加,正电子寿命逐渐下降达到一最小值,然后又上升;而光催化活性随掺杂百分比的增加逐渐上升达到最大值,然后下降。结果表明：LaFeO3掺杂后光催化活性得以提高;正电子湮没技术是研究点阵缺陷结构的有效方法之一。     

柱上衍生反相色谱法测定金属配合物的稳定常数

提出一种计算金属配合物稳定常数的新方法。应用住上衍生反相高效液相色谱法,以二乙基二硫代氨基甲酸钠为配体,测定金属配合物的保留时间,用以推导金属配合物的稳定常数。     

离子排斥色谱法测定马齿苋中低分子羧酸

以２．０ｍｍｏｌ／Ｌ对甲苯磺酸为淋洗液,用非抑制型电导检测离子排斥色谱法测定了马齿苋叶及茎中的柠檬酸、丙二酸、苹果酸、抗坏血酸、琥珀酸、反丁烯二酸和乙酸。     

甲胺改性酸碱双功能Y沸石的制备和表征

以甲胺水溶液为改性剂, H-Y沸石可在416 K下经水热反应制备酸碱双功能甲胺杂化H-Y沸石. X 射线粉末衍射(XRD), 固体29Si魔角核磁共振(29Si MAS NMR)表征表明甲胺分子与H-Y相互作用导致沸石晶胞体积明显增大, 骨架产生新的Si—N键. 以热重(TG/DTG)及差热分析(DTA), NH3, CO2程序升温脱附(NH3-TPD和CO2-TPD)研究杂化H-Y沸石的酸-碱性质及其经不同温度焙烧后的变化, 结果表明, 杂化后沸石的酸/碱量, 尤其是后者增加甚大. 与H-Y相比, 随焙烧温度变化, 该酸-碱双功能沸石材料的酸/碱量可分别提高3至7倍和1.5至26倍.     

范德堡方法在ZnO薄膜测试中的应用

近年来,随着对宽禁带半导体材料,氧化锌薄膜研究的快速发展,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用,并对初步测量结果作简要的讨论。     

ZnO∶Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO∶A l/p-S i接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO∶A l/p-S i异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。