| ZnO∶Al/p-Si的接触特性 |
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| 引用本文： | 刘磁辉,段理,林碧霞,刘秉策,雷欢,蔡俊江,傅竹西.ZnO∶Al/p-Si的接触特性[J].发光学报,2005(4). |
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| 作者姓名： | 刘磁辉 段理 林碧霞 刘秉策 雷欢 蔡俊江 傅竹西 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系，中国科学技术大学物理系，中国科学技术大学物理系，合肥工业大学理学院，中国科学技术大学少年班，中国科学技术大学物理系，中国科学技术大学物理系 安徽合肥230026，安徽合肥230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(90201038)，中国科学院知识创新方向性课题(KJCX2-SW-04-02)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射制备了ZnO∶A l/p-S i接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO∶A l/p-S i异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。
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| 关 键 词： | 氧化锌异质结 C-V特性 I-V特性 界面态 |
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