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81.
随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子. 相似文献
82.
天然石墨经过浓硫酸氧化处理,酚醛树脂包覆并高温碳化后形成具有核壳结构的碳包覆氧化天然石墨复合材料.采用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD),激光显微拉曼光谱(Raman)等检测技术对氧化处理以及酚醛树脂热解碳包覆前后天然石墨材料的结构与形貌进行分析与表征.结果表明,氧化处理与适量的酚醛树脂热解碳包覆有效修复了天然石墨表面的一些缺陷结构,使其表面更为光滑.电化学测试结果显示,经过氧化处理与酚醛树脂热解碳包覆后天然石墨材料电化学性能得到明显提高.酚醛树脂包覆量为9%时,复合材料表现出最好的电化学性能,其首次放电比容量为434.0mAh·g-1,40次循环后,放电比容量保持在361.6mAh·g-1,而未经处理的天然石墨放电比容量仅为332.3mAh·g-1.该改性方法有效提高了天然石墨材料的比容量,对其进一步应用具有重要意义. 相似文献
83.
铅、镉等重金属对环境的污染和人体健康的影响很大,当人们食用了含有高浓度铅、镉的食物时,经过血液的运输,使肝脏、脾脏和肾脏都积存了铅、镉,易引起铅、镉中毒。铅中毒会造成贫血、高血压、神经痛、骨质松软、肾炎和分泌失调等病症;镉中毒会首先出现呼吸道刺激症状,口干、流涕、咽痛等,伴 相似文献
84.
85.
运用声学基础理论,讨论了激光入射到液体中,激光能量与声信号强度间的变化关系.发现激光能量与声信号强度之间存在着对数线形关系.根据液体中光声信号的连续性,得到了一种求取液体光击穿阈值的新方法. 相似文献
86.
脉搏源—系统模型及其幅频特性 总被引:1,自引:0,他引:1
脉搏包含有丰富的人体健康状况信息。近年来,用现代科学技术和方法研究人体脉搏信息引起了国内外学者的广泛重视。本文研究了人体脉搏信号产生的特点及其物理过程,并初步建立了在信息论、系统论和声学理论基础上的脉搏源-系统模型。通过实验检测和新的信号分析技术——倒谱与倒滤波技术(CepstrumandLifteringTechniques)的处理和分析,结果表明该模型是合理的。文中首次分析了脉搏声谱图的结构与特征,得出了与脉搏传输系统的生理特征相关的若干结论。 相似文献
87.
Optical nonlinearities of new organophosphorus fullerene derivative were determined by the Z-scan method with a pulsed Q-switch Nd:YAG laser at 532nm. The experimental results demonstrated that the derivative has much larger excited-states nonlinear absorption and nonlinear refraction than C60. A five-level model was utilized to fit the experimental data, and a good agreement is reached. Some parameters such as excited-state absorption cross and refraction cross were obtained. To our knowledge, the excited-state cross section of new organophosphorus fullerene derivative and its effective ratio to the ground-state cross section are the largest values among the fullerene derivatives reported to date. 相似文献
88.
Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献
89.
90.