细分曲面边界元法的黏附吸声材料结构拓扑优化分析

等几何分析采用样条基函数构造几何模型和实施变量近似,实现了计算机辅助设计和辅助工程的无缝连接,并已广泛应用于弹性力学、电磁场和位势问题等领域.然而直接采用等几何方法难以构造复杂模型,限制了该方法在大规模实际工程问题上的应用.细分曲面法可用于克服这一问题,该方法对传统模型的离散网格进行细分和拟合操作,构造出极限光滑曲面,连续性更高,对复杂结构的适用性更强.该方法主要有以下优点:(1)适用于任意拓扑结构;(2)数值计算稳定;(3)实施简单;(4)局部细化与连续性控制.由于该方法在复杂结构模型构造方面具有较强的灵活性和便利性,已被广泛应用于航空航天、汽车、动画、游戏制作等建模领域.将细分曲面法与边界元法相结合进行结构声学分析,几何场与物理场均采用箱样条基函数进行插值近似.以黏附吸声材料结构的声散射问题为例,建立吸声材料分布拓扑优化数学模型,并采用移动渐进线算法进行设计变量更新,最终获得最优材料分布.      

广义Heisenberg-Virasoro代数的量子化

根据作者最近给出的广义Heisenberg-Virasoro代数李双代数结构的结果,将在本文中考虑广义Heisenberg-Virasoro代数的量子化,并给出详细的计算过程.     

稳压二极管的非线性伏安特性研究

用FD-UI-A非线性元件伏安特性实验仪测量了稳压二极管的正向和反向伏安特性,研究结果表明,稳压二极管的正向和反向伏安特性都呈现出非线性,但其正向和反向的lnI-Ud呈良好的线性关系,其斜率反映了二极管材料的导电特性.     

一类7次微分自治系统的极限环分支

研究一类平面7次微分系统,通过作两个适当的变换以及焦点量的仔细计算,得出了系统的无穷远点与2个初等焦点能够同时成为广义细焦点的条件,进一步得出在一定条件下该系统能够分支出15个极限环的结论,其中5个大振幅极限环来自无穷远点,10个小振幅极限环来自2个初等焦点.     

解析计算半导体激光器列阵的热沉温升

 通过解热传导方程得到了半导体激光器列阵的热沉温升分布的解析表达式，并利用该解析式得到了热沉的温升分布图。分析了对流换热传热系数对上下表面温升的影响，当对流换热传热系数增大到某个值后，上下表面的温差变化很小，而温升随该系数的增大而降低，所得的结果与用有限元法算得的并经过实验验证的结果基本上是一致的。     

Ag,Cu离子注入石英玻璃光学吸收谱研究

用Mie理论和Maxwell—Garnett(M—G)理论对Ag，Cu单元素注入石英玻璃的吸收谱进行了模拟，得到了与实验结果一致的表面等离子体共振吸收峰．模拟结果显示，吸收峰来源于Ag和cu注入石英玻璃后形成纳米颗粒的光吸收．假定Ag，Cu双元素注入石英玻璃后形成合金结构，M—G理论模拟结果与实验吻合良好，说明形成合金结构的可能性很大．同时，用电子自由程理论对金属颗粒的介电函数进行了修正，给出了可以反映共振吸收峰的峰宽和强度随颗粒尺寸变化的模拟结果，为光开关的研究提供了一定的理论依据．     

部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性

针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator, SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究. 实验结果表明, 器件低频噪声主要来源于SiO₂-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程; 基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×10¹⁷ eV^-1·cm^-3和2.76×10¹⁷ eV^-1·cm^-3. 基于电荷隧穿机理, 在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上, 提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况. 此外, SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小, 这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声. 最后, 基于电荷耦合效应, 分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.     

二阶m点奇异边值问题的多重正解

利用锥上的不动点定理,讨论了一类二阶m点奇异一维p-Laplacian算子的边值问题,得到该问题至少存在三个正解的充分条件.     

多芯NbTi组合导体的交流损耗

测量了多芯NbTi组合导体在纵向场和横向场中的动态磁化曲线和静态磁化曲线,给出磁场峰值最大到60kOe的交流损耗值。静态法测量结果与磁滞模型一致,动态法则包括磁滞损耗和芯间耦合导致的涡流损耗。由于几何因子的差别和钉扎强度的各向异性,导体在纵向场中的损耗低于横向场中的值。     

奇点量公式的机器推导与一类三次系统的前10个鞍点量

本文给出了计算奇点量的两个递推公式，对一类三次系统用计算机推导出原点的前10个鞍点量，得到系统原点领域存在正则积分的充分必要条件。