An analytic model for gate-all-around silicon nanowire tunneling field effect transistors

An analytical model of gate-all-around(GAA) silicon nanowire tunneling field effect transistors(NW-TFETs) is developted based on the surface potential solutions in the channel direction and considering the band to band tunneling(BTBT) efficiency. The three-dimensional Poisson equation is solved to obtain the surface potential distributions in the partition regions along the channel direction for the NW-TFET, and a tunneling current model using Kane’s expression is developed. The validity of the developed model is shown by the good agreement between the model predictions and the TCAD simulation results.     

部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性

针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator, SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究. 实验结果表明, 器件低频噪声主要来源于SiO₂-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程; 基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×10¹⁷ eV^-1·cm^-3和2.76×10¹⁷ eV^-1·cm^-3. 基于电荷隧穿机理, 在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上, 提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况. 此外, SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小, 这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声. 最后, 基于电荷耦合效应, 分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.     

电子信息类专业实践性创新人才培养体系的研究和探索

紧扣培养实践性创新人才主旋律,提出了具有综合性大学特色的"多维结构实践教学模式".在突出模块化启发性教学思想和分层次研究性自主实践理念的基础上,建构了由"多维模块化实验教学系统"和"实践创新能力培养系统"组成的电子信息类专业"多维结构实践教学体系".以多层次不同特征的共享型、共建型和产业型的不同实践教学硬件条件为依托,借助动态模拟仿真和虚拟实验等技术建造网络化交互式实验教学软性平台,完成了多层次不同特征的系统化实践教学.以提高学生基础分析、综合应用、工程设计和技术创新等能力,培养实践性创新人才.