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81.
在甲酸(α相)和氢氧化钠(γ相)缓冲液形成的移动反应界面的基础上,提出了一种衍生移动反应界面模型。模型表明在α相和γ相之间会形成一个新的β相,β相和α相形成衍生移动反应界面,β相和γ相形成移动界面。为了验证该模型的有效性,该文给出了相关理论及数值推导过程。此外,基于毛细管电泳和自制装置进行了相关实验。结果表明,若使用以前的移动反应界面,实验结果与理论计算存在较大误差,而采用该文提出的衍生移动反应界面,实验数据与理论计算结果高度一致。该文提出的衍生移动反应界面理论及模型对于电泳,特别是毛细管电泳中样品的分离与富集具有重要的意义。 相似文献
82.
83.
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ~ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ~ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ~24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2;和24.6;. 相似文献
84.
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ~Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体. 相似文献
85.
就Fe3++SCN-Fe(SCN)2+平衡而言,向该平衡体系中加入一定浓度的FeCl3溶液,通过改进浓度对化学平衡影响的实验和对实验的深入探究,借助实验的功能解决了平衡移动的方向、Fe(SCN)2+的浓度和溶液的颜色是如何变化的等问题,进而使学生对“外界条件对化学平衡的影响”有了更全面的认识. 相似文献
86.
87.
对双氧水与铜的反应进行了实验研究,分析了酸性和外加氨水的条件下双氧水氧化单质铜的原因。解析了一道关于利用废旧电路板中铜制备胆矾的工艺流程高考题,提出了关于配位平衡移动问题的教学策略与建议。 相似文献
88.
衍射扭曲高斯-谢尔模型光束在远场的光谱移动和光谱开关 总被引:1,自引:0,他引:1
从部分相干光的传输理论出发,研究了被光阑衍射扭曲高斯-谢尔模型光束远场的光谱变化规律。结果表明,扭曲高斯-谢尔模型光束在远场也会出现光谱移动和光谱开关效应。与衍射高斯-谢尔模型光束情况相比,光谱移动和光谱开关效应不仅与光束空间相关性、截断参量和源光谱谱宽有关,光束的扭曲因子也会对衍射扭曲高斯-谢尔模型光束远场的光谱移动和光谱开关效应产生影响。通过数值计算结果详细讨论了光束扭曲因子影响衍射扭曲高斯-谢尔模型远场光谱的规律。 相似文献
89.
With the combined use of the drift-diffusion (DD) model, experiment measured parameters and small-signal sinusoidM steady-state analysis, we extract the Y-parameters for 4H-SiC buried-channel metal oxide semicon- ductor field effect transistors (BCMOSFETs). Output short-circuit current gain G and Mason's invariant U are cMculated for extrapolating unity current gain frequency in the common-source configuration fT and the maximum frequency of oscillation fmax, respectively. Here fT = 800 MHz and fmax= 5 GHz are extracted for the 4H-SiC BCMOSFETs, while the field effect mobility reaches its peak value 87cm2/Vs when VGs = 4.5 V. Simulation results clearly show that the characteristic frequency of 4H-SiC BCMOSFETs and field effect mobility are superior, due to the novel structure, compared with conventional MOSFETs. 相似文献
90.
Forcible-Measurement Attack on Quantum Secure Direct Communication Protocol with Cluster State 下载免费PDF全文
The security of the quantum secure direct communication (QSDC) protocol with cluster state is analysed. It is shown that the secret would be partially leaked out when an eavesdropper performs forcible measurements on the transmitted particles. With the help of the result in minimum error discrimination, an upper bound (i.e. 40%) of this leakage is obtained. Moreover, the particular measurements which makes the leakage reach this bound are given. 相似文献