丙烯酸酯类单体在空气中紫外固化的研究

辐射可固化涂层在空气中进行紫外光照射，其固化速率随光引发剂组份的增加开始近似线性增大，到某一点后出现突跃．通过对氧气存在下的聚合机理的研究，认为上述现象与氧气引起的自由基终止以及固化过程中的氧气消耗速率有关．根据文中推导的关系式作出的示意图与实验数据基本吻合．     

十六烷基三甲基溴化铵光度滴定法测定硫酸外国佬骨素钠盐

建立一种测定硫酸软骨素的新方法。十六烷基三甲基溴化铵在KH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中、乳化剂OP共存下与硫酸软骨素反应形成离子对缔合物，溶液转变成稳定的乳化液。用光度滴定法测定硫酸软骨素。用标准加入法做加收试验，回收率为99.9%-100.2%，相对标准偏差0.32%-0.40%。方法应用于外贸样品测定，结果满意，方法准确、简便、快速。     

β-酞酰亚胺基-α-甲基丙酸甲酯的结构分析

为研究取代基对Michael式加成反应的影响，在相转移催化条件下酞酰亚胺与α-甲基丙烯酸甲酯进行加成反应，通过^1H NMR、IR、MS和元素分析对产物结构进行分析，确证其为β-酞酰亚胺基-α一甲基丙酸甲酯；分析了所形成的手性碳结构对邻位亚甲基核磁共振氢谱的影响，并提出了产物分子的碎裂机理。     

巯基棉分离吸附溶出伏安法测定茶叶及茶汤中痕量砷

本文研究了巯基棉纤维（ＳＣＦ）对Ａｓ（Ⅲ）和Ａｓ（Ⅴ）的吸附性能，建立了ＳＣＦ分离Ａｓ（Ⅲ）和Ａｓ（Ⅴ）吸附溶出伏安法测定生物样品中痕量砷的方法。结果表明：在１ｍｏｌ／Ｌ盐酸介质中，ＳＣＦ可定量吸附Ａｓ（Ⅲ），Ａｓ（Ⅴ）不被吸附；用ＫＩ－（ＮＨ２）２ＣＳ预先还原Ａｓ（Ⅴ），通过ＳＣＦ分离，可消除干扰离子对测定砷的影响。方法用于测定桃叶、煤飞灰及番茄叶标样中的砷，其结果与标准值相符；应用此法还测定了几种茶叶及茶汤中的痕量砷和不同价态的砷，结果令人满意。     

交错网格上应用有限谱QUICK法计算方腔流动

王健平教授提出的有限谱方法是一种局域化谱方法，具有精度高、无相位差、应用灵活等特点，在以往的实践中取得了很大成功。本文在交错网格上对二维驱动方腔流问题进行计算，求解了二维不可压缩流动的涡流流函数方程。其中微分部分采用有限谱法进行处理，对流项的处理则应用了QUICK格式。本文计算了雷诺数为1000、5000、10000、20000等多种情况，将所得的结果进行分析，并将中线上的速度分别同已有的文献数据进行对比，从而，验证有限谱微分的正确性和其在实际应用中的可行性。     

J-TEXT װ�þ�̬�Ŷ�����Դϵͳ�ṹ������ʵ��

研制了一种基于电容储能的脉冲电源系统用于J-TEXT 装置扰动磁场线圈的运行,介绍了J-TEXT 装置静态扰动磁场线圈(SRMP),对静态扰动磁场电源系统进行了原理分析,并给出了电源的运行结果。实验运行效果表明,输出电流最大能达到8kA,最大电流上升率为200A.ms-1,静态扰动场电源系可以稳定地工作,可以产生足够的扰动磁场并开展相关物理实验。     

带有延迟脉冲量的脉冲随机微分方程的稳定性（英文）

本文研究带有限延迟脉冲随机泛函微分方程的p阶矩稳定性和p阶矩渐近稳定性的问题.利用Razumikhin技巧和Lyapunov函数的方法,获得方程p阶矩稳定性和p阶矩渐近稳定性的结果.     

Fe/SiO_2纳米复合物上合成气制低碳烯烃催化性能研究

分别采用一步合成法和常规共沉淀法制备了Fe/SiO2催化剂,通过N2物理吸附、X射线衍射、透射电镜、傅里叶变换红外光谱和程序升温还原等方法对催化剂进行了表征,并在固定床反应器中对其费托合成制低碳烯烃的催化性能进行了评价。结果表明,与共沉淀铁基催化剂不同,采用一步合成法制备的纳米复合物主要由Fe3O4相构成,形貌呈规则球形,平均粒径为30 nm,尺寸分布窄,更容易还原。一步合成法制得的Fe/SiO2催化剂对费托合成反应具有较高的活性和低碳烯烃选择性、较低的甲烷选择性和良好的稳定性。     

金属包层长周期光纤光栅的理论和实验研究

金属包层长周期光纤光栅可用于对谐振波长的调谐。通过实验和理论研究了长周期光纤光栅在沉积金属包层前后谐振波长的变化规律。分析了金属包层光纤的特点,给出了金属包层光纤包层模的本征方程,并给出了这一复本征方程的求解方法。长周期光纤光栅在沉积金属包层后,对低阶包层模,谐振波长会向长波方向偏移,模次增加,偏移会增大;对高阶包层模,谐振波长向短波方向偏移。不同金属包层,谐振波长的偏移量也有一定差别。所给出的理论分析方法,可用于预测谐振波长的偏移方向和大小,对设计和制做这类长周期光纤光栅提供理论参考。     

Effects of annealing process on characteristics of fully transparent zinc tin oxide thin-film transistor

Annealing effect on the performance of fully transparent thin-film transistor （TTFT）, in which zinc tin oxide （ZnSnO） is used as the channel material and SiO2 as the gate insulator, is investigated. The ZnSnO active layer is deposited by radio frequency magnetron sputtering while a SiO2 gate insulator is formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The saturation field-effect mobility and on/off ratio of the TTFT are improved by low temperature annealing in vacuum. Maximum saturation field-effect mobility and on/off ratio of 56.2 cm2/（V.s） and 3×10^5 are obtained, respectively. The transfer characteristics of the ZnSnO TPT are simulated using an analytical model and good agreement between measured and the calculated transfer characteristics is demonstrated.