量子Virasoro代数的中心扩张

本文给出了量子参数q取单位根时的雅可比恒等式,在此基础上求出了q为Beraha值时的量子Virasoro代数中心项的一般表达式.     

Er3+和Yb3+共掺氟氧化物微晶玻璃的研究

制备了Er3 、Yb3 共掺的SiO2-A12O3-PbF2-CdF2系统玻璃,并进行相应的微晶化热处理,研究了氟氧化物微晶玻璃中Er3 离子的上转换发光特性.研究结果表明:原始玻璃经热处理后得到的β-PbF2相氟氧化物微晶玻璃,Er3 和Yb3 所在局域基质声子能量的降低,使微晶玻璃中Er3 上转换发光强度显著提高,而微晶化后Er3 、Yb3 离子局域环境发生变化,导致微晶玻璃中Er3 离子的绿光上转换荧光强度较强,而红光上转换荧光强度相对较弱.     

Ge_x Si_(1-x)/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究

本文用光弹理论,在全面考虑了超晶格中两种材料的声速,质量密度和光弹常数存在差别的基础上,计算了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中折迭纵声学声子的喇曼散射强度,在高达50cm~(-1)的频率范围内,理论值和实验符合得很好。     

声化学的崛起与建议

声学对化学的渗透与影响从八十年代中期起开始有了新的转折,表征声学这一外在特性的边缘学科——声化学或曰超声波化学业已形成。从我们跟踪众多国家的研究工作来看,声化学的迅速发展正从学术上给化学研究开拓新的领域;将从应用上对化学工业产生重大影响;声化学与热化学、光化学等具有等同地位的论点日逐扩大。下面列出声化学崛起的一些重要标志:     

低噪声地听器

本文化创见的地听器较通用的单端中心压缩型加速度计的结构有改进；特别是主体设计加一真空罩能够有效地隔外界杂散干扰，实测表明性能良好，宽带抗空气声干扰能力20db。     

A Simple Calculation Approach for the Second－Harmonic Sound Beam Generated by an Arbitrary Distribution Source

We present a simple calculation approach for the fundamental and second-harmonic sound beams with an arbitrary distribution source in the quasilinear approximation. The analysis is based on the assumption that the source function with an arbitrary geometry and distribution is expanded into the sum of a set of two-dimensional Gaussian functions. The two- and five-dimensional integral solutions for the fundamental and second-harmonic fields are, respectively, reduced in terms of Gaussian functions and simple one-dimensional integrals. The numerical evaluation of field distributions is then greatly simplified.     

测定透镜厚度新法及其误差探讨

本文介绍利用景深短、高倍率、大口径的物镜，采用光学方法，对被测透镜上下表面调焦，从而测定其中心厚度的一种新方法，并对测量误差进行了探讨。     

两类记录值之和的中心极限定理

该文给出了Ｌｏｇｉｓｔｉｃ分布纪录值序列部分和的中心极限定理；对于Ｐａｒｅｔｏ分布纪录值序列的部分和T_n，获得了ｌｎT_n的中心极限定理．这一工作不仅具有概率论的极限理论方面的研究价值，而且在金融、保险等领域也具有相当重要的应用前景．     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

T-RBAC访问控制模型及其约束描述语言

一种结合了基于任务的访问控制模型TBAC和基于角色的访问控制模型RBAC特点的新型访问控制模型-T-RBAC.该模型采用了以任务为中心的"用户-角色-任务-权限"的四级访问控制结构,较好地解决了当前工作流系统中存在的安全性问题.此外,在新模型的基础上设计了一套描述约束机制的语言ETCL,该语言在RCL2000的基础上扩充了时间特性和任务的概念,使新模型具备了较完整的约束描述能力.