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81.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K.
关键词:
Tl 2212超导薄膜
脉冲激光沉积 相似文献
82.
利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
83.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
84.
Cr3+:MgAl2O4晶体EPR参量及其电子精细光谱的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
考虑了SS(Spin-Spin)作用和SOO(Spin-Other-Orbit)作用,采用完全对角化方法,结合自旋Hamiltonian理论,研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体EPR参量及其吸收光谱,理论与实验符合甚好. 在此基础上,进一步研究了4A2(3d3)离子EPR参量的微观起源. 研究表明,EPR参量起源于四种微观机制:(1) SO(Spin-Orbit) 耦合机制;(2) SS耦合机制;(3)SOO耦合机制;(4) SO~SS~SOO总联合作用机制. 在这些机制中,SO机制是最主要的. 相似文献
85.
用紫外可见光谱(UV/Visible Spectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3、Fe:LiNbO3,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明:LiNbO3单晶沿晶体生长方向,其紫外吸收边向长波方向移动,且在350—450nm波段的吸收也逐渐增大,这是由于Li的分凝与挥发,逐渐产生缺锂所造成的;在Fe:LiNbO3单晶中观察到Fe^2 离子在480nm附近的特征吸收峰,并发现沿生长方向,Fe^2 离子的浓度逐渐增加,这与提拉法生长得到的晶体不同;在Fe:LiNbO3单晶中掺入质量分数为1.7%ZnO后,吸收边位置发生蓝移,而掺杂质量分数达到3.4%时,观察到有红移现象。Fe^2 离子在Zn:Fe:LiNbO3单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数1.7%ZnO的Fe:LiNbO3单晶中,Fe^2 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数3.4%ZnO晶体中大,这是由于Zn^2 抑制Fe^2 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe^2 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析。 相似文献
86.
87.
在异质纳米结构表面发生的新现象是当前研究的热点.最近发现,尽管甘氨酸在纯Ag表面只 能作物理吸附,蒸镀在Cu表面的单层Ag岛却能在Cu的帮助下,出现对甘氨酸作化学吸附的能力,这种现象是溢流效应的一种反映.蒸镀在Ag表面的Cu岛也能帮助附近裸露的Ag表面获得 化学吸附甘氨酸的能力,虽然这里已不是单原子层的银了.结果说明这种溢流现象来源于CuA g在表面的纳米结构共存,而不只是这种共存的某个结构所特有的.但是,由于Cu的表面能大 于Ag,所以即使是在室温下,Cu岛也会逐渐地被一单层Ag原子完全覆盖,从而失去溢
关键词:
溢流
甘氨酸
Cu
Ag(111) 相似文献
88.
89.
报道了Pr(0.5):ZBLAN玻璃在双频双光束光源激发下的激发态上转换现象.发现上转换发射谱的荧光与常规荧光发射谱的荧光一致,还发现双频激发下的上转换激发谱有3个明显的谱峰,它们依此对应于788.5nm 1G4→3P2,850.5nm 1G4→1I6和805.0nm 3H6→1D2的激发态吸收跃迁,而大的850.5nm上转换激发谱峰是由大的1G4(Pr3+ )→1I6(Pr3+)跃迁的振子强度f=23.04×10-6所致.这说明起源于1G4能级的激发态吸收上转换尤其1G4(Pr3+)→1I6(Pr3+) 相似文献
90.
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 . 相似文献