全文获取类型
收费全文 | 16591篇 |
免费 | 6475篇 |
国内免费 | 2813篇 |
专业分类
化学 | 3361篇 |
晶体学 | 6161篇 |
力学 | 983篇 |
综合类 | 279篇 |
数学 | 1897篇 |
物理学 | 13198篇 |
出版年
2024年 | 73篇 |
2023年 | 354篇 |
2022年 | 372篇 |
2021年 | 510篇 |
2020年 | 298篇 |
2019年 | 809篇 |
2018年 | 679篇 |
2017年 | 885篇 |
2016年 | 1011篇 |
2015年 | 1258篇 |
2014年 | 1633篇 |
2013年 | 1351篇 |
2012年 | 1255篇 |
2011年 | 1409篇 |
2010年 | 1370篇 |
2009年 | 1499篇 |
2008年 | 1400篇 |
2007年 | 1095篇 |
2006年 | 1176篇 |
2005年 | 1040篇 |
2004年 | 1010篇 |
2003年 | 776篇 |
2002年 | 665篇 |
2001年 | 540篇 |
2000年 | 526篇 |
1999年 | 434篇 |
1998年 | 375篇 |
1997年 | 290篇 |
1996年 | 288篇 |
1995年 | 313篇 |
1994年 | 245篇 |
1993年 | 183篇 |
1992年 | 196篇 |
1991年 | 151篇 |
1990年 | 153篇 |
1989年 | 134篇 |
1988年 | 57篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
Comparative study on transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires: Calculated based on first principles 下载免费PDF全文
According to the one-dimensional quantum state distribution, carrier scattering, and fixed range hopping model, the structural stability and electron transport properties of N-, P-, and As-doped SiC nanowires(N-SiCNWs, P-SiCNWs, and As-SiCNWs) are simulated by using the first principles calculations. The results show that the lattice structure of NSiCNWs is the most stable in the lattice structures of the above three kinds of doped SiCNWs. At room temperature,for unpassivated SiCNWs, the doping effect of P and As are better than that of N. After passivation, the conductivities of all doped SiCNWs increase by approximately two orders of magnitude. The N-SiCNW has the lowest conductivity. In addition, the N-, P-, As-doped SiCNWs before and after passivation have the same conductivity–temperature characteristics,that is, above room temperature, the conductivity values of the doped SiCNWs all increase with temperature increasing.These results contribute to the electronic application of nanodevices. 相似文献
73.
A rigid supramolecular polymer was constructed in aqueous solution via cucurbit[8]uril(CB[8]) host recognition with a rigid monomer containing an azobenzene unit and two 4,4'-bipyridin-1-ium(BP)moieties in the two ends, which also exhibited photo-responsiveness owing to the photoinduced trans–cis isomerization of azobenzene group. 相似文献
74.
75.
76.
《数学的实践与认识》2015,(18)
首先在层双保序算子空间中引进了两种(ω_α,υ_α)-仿紧性,证明了它们都是好的推广.其次,给出了它们的若干刻画与性质,并指出了它们保持若干拓扑不变性质.最后,讨论了(ω_α,υ_α)-仿紧性、(ω_α,υ_α)-分离性以及(ω_α,υ_α)-紧性之间的关系. 相似文献
77.
采用湿化学法合成了Eu原子掺量5%的Lu2O3陶瓷前驱体,通过SEM、XRD研究了煅烧前后前驱体和1 100 ℃煅烧4 h后粉体的形貌、结构以及物相。结果表明煅烧后的粉体为纳米类球形、高分散且结晶性良好的颗粒。颗粒尺寸为68.5 nm。使用煅烧后的粉体为原料,在1 650 ℃真空烧结30 h制备了高透过率的Eu:Lu2O3陶瓷,晶粒尺寸为46 μm,在611 nm处的直线透过率可以达到66.3%。此外对陶瓷的吸收曲线、光致激发和发射光谱特性以及X射线激发发射光谱进行研究。可观察到,Eu:Lu2O3陶瓷存在基质和激活离子两类吸收,光致发光光谱和X射线激发发射光谱均可以看出Eu:Lu2O3陶瓷存在极强的5D0→7F2跃迁发光,位于611 nm处。对比商业的BGO单晶的X射线发射光谱,可得本实验中制备的陶瓷的光输出为85 000 ph/MeV。Eu:Lu2O3陶瓷本身有着高X射线以及高能粒子的阻止能力,结合高光输出特性,表明Eu:Lu2O3陶瓷在X射线成像等领域具有巨大的潜在应用价值。 相似文献
78.
本文采用纯化的海泡石作为硅源,在不需要模板和煅烧工艺的条件下,制备出了石英相的硅纳米管(SNTs),并对获得样品进行了XRD、FTIR和SEM等表征.制得的SNTs具有40~50 nm外径,管腔直径为10~15 nm,长度为20~100 μm.此外,研究了SNTs对于Pb2+的吸附行为.结果表明,Pb2+吸附量随初始Pb2+浓度,吸附时间,温度和溶液pH值(<5)增加而增加.在溶液pH为5时,SNTs对于Pb2+的吸附平衡的吸附焓(ΔH)和熵变(ΔS)分别为6.28 kJ/mol和69.8 J/mol· K. 相似文献
79.
通过共混法和原位氧化聚合法成功制备了棒状聚苯胺/TiO2纳米复合材料,通过SEM、XRD、FT-IR、TGA、TEM、紫外-可见漫反射光谱等测试对其进行表征.并以罗丹明B溶液为模拟污染物,在可见光条件下,棒状PANI/TiO2纳米复合材料的催化降解效率与纯PANI和TiO2相比明显提高.另外,对两种不同方法合成的PANI/TiO2纳米复合材料的光催化性能进行对比,结果表明原位氧化聚合法制得的复合材料,由于TiO2在复合材料中的均匀分布及其与PANI的协同效应,光催化降解率可达91.11;. 相似文献
80.
采用化学气相沉积方法,在整个SiO2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、高质量的单层及多层ReS2纳米带,纳米带的长度可达150μm.利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光(PL),拉曼(Raman)以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对所得不同层数的ReS2样品进行了表征.结果表明:所制备的ReS2纳米带的拉曼信号与化学气相沉积方法制备的(CVD)单层及多层的薄膜材料差别不大,而其荧光峰出现了明显的展宽,且峰位出现了明显的蓝移.化学气相沉积法(CVD)制备ReS2纳米带操作简单,可控性与可重复性高,对其基础研究和未来潜在应用有着比较重要的现实意义. 相似文献