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大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征
引用本文:张秀梅,肖少庆,史丽弘,康培培,南海燕,顾晓峰.大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征[J].人工晶体学报,2018,47(9):1899-1903.
作者姓名:张秀梅  肖少庆  史丽弘  康培培  南海燕  顾晓峰
作者单位:江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122;江南大学理学院,光电信息科学与工程系,无锡 214122;江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122;江南大学理学院,光电信息科学与工程系,无锡 214122
基金项目:国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20130115,BK20140168,BK20170167)
摘    要:采用化学气相沉积方法,在整个SiO2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、高质量的单层及多层ReS2纳米带,纳米带的长度可达150μm.利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光(PL),拉曼(Raman)以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对所得不同层数的ReS2样品进行了表征.结果表明:所制备的ReS2纳米带的拉曼信号与化学气相沉积方法制备的(CVD)单层及多层的薄膜材料差别不大,而其荧光峰出现了明显的展宽,且峰位出现了明显的蓝移.化学气相沉积法(CVD)制备ReS2纳米带操作简单,可控性与可重复性高,对其基础研究和未来潜在应用有着比较重要的现实意义.

关 键 词:ReS2  CVD  大面积  

Chemical Vapor Deposition Sythesis and Characterization of Large Area ReS2 Nanoribbons
ZHANG Xiu-mei,XIAO Shao-qing,SHI Li-hong,KANG Pei-pei,NAN Hai-yan,GU Xiao-feng.Chemical Vapor Deposition Sythesis and Characterization of Large Area ReS2 Nanoribbons[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(9):1899-1903.
Authors:ZHANG Xiu-mei  XIAO Shao-qing  SHI Li-hong  KANG Pei-pei  NAN Hai-yan  GU Xiao-feng
Abstract:
Keywords:
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