基于飞秒激光直写的单向单模耦合微腔

对具有高Q值的回音壁模式微腔进行调制来获得单向单模输出,对研究腔光力学和开发高质量的微激光具有重要意义.本文对利用飞秒激光直写加工的耦合回音壁模式微腔的研究进行了简要回顾,具体介绍了微腔结构设计、加工过程、激射和耦合机制研究等.利用飞秒激光直写加工的强大三维图案化能力,灵活地设计实现了具有集成功能的单个微腔和具有不同空间组合位置的多个耦合微腔.基于耦合微腔的微激光具有低阂值,同时显示出良好的单模特性和单向性.结合理论模拟可以证实,微腔与微腔/光栅之间的耦合,一方面支持游标效应和集成滤波两种选模方式,另一方面能够破坏微腔的旋转对称性从而获得单向输出,从而实现了对微腔输出的有效调控.     

单行载流子光电探测器中空间电荷屏蔽效应理论分析和实验研究

本文优化设计和外延生长了一种单行载流子(UTC)光电探测器有源区结构,并且采用微电子工艺制备了台面尺寸为30μm的UTC光电探测器.同时,采用了漂移-扩散模型对该有源区结构进行了理论模拟,从载流子浓度和空间电场角度重点分析研究了空间电荷屏蔽效应对UTC光电探测器直流饱和特性影响的物理机理.UTC光电探测器理论模拟结果与实测数据基本相符.     

一种新型的光子晶体偏振光分束器的设计

基于光波在直波导和复合结构光子晶体中的传播特性,结合平面波展开法和时域有限差分法,提出并讨论了一种新型的超紧凑的光子晶体偏振光分束器. 它是由输入波导,分束结构和输出波导三部分组成. 对这种结构的三角晶格光子晶体光分束器的数值计算与模拟结果表明,该结构可以实现TE模和TM模的高效大角度分离,并且在通信波段设计尺寸小,这些特性使其在未来的集成光回路中有着重要的应用前景. 关键词： 偏振光分束器 能带结构 平面波展开法 时域有限差分法     

4，4＇，4＂-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺掺杂MoOx作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响永

通过采用4,4’,4”．三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA）掺入MoO。作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜（CuPc）／C60小分子有机太阳电池的效率．采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件,其中结构为铟锡氧化物（ITO）／m-MTDATA：MoO2（3：1）（30nm）／CuPc（20nm）／C60（40nm）／4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）（8nm）／LiF（0．8nm）／Al（100am）的器件,在AMl．5（100mW／cm2）模拟太阳光的照射条件下,开路电压Koc=0．40V,短路电流Jsc=6．59mA／cm2填充因子为0．55,光电转换效率达1．46％,比没有空穴传输层的器件ITO／CuPc（20nm）／C60（40nm）／Bphen（8nm）／LiF（0．8nm）／A1（100nm）光电转换效率提高了38％．研究表明,加入m-MTDATA：MoO2（3：1）（30am）空穴传输层减小了有机层和ITO电极之间的接触电阻,从而减小了整个器件的串联电阻,提高了器件的光电转换效率．     

基于光子晶体共振耦合的四波长波分复用/解复用器

谐振腔因其具有选频功能而在集成光学领域具有广泛的应用. 通过两个光子晶体环形腔、四个不同尺寸的光子晶体微腔及波导之间的耦合, 实现了1310 nm, 1550 nm, 1600 nm和1650 nm 四个波长的波分解复用．时域有限差分法模拟分析的结果表明, 仅仅通过调制输出波导边缘介质柱的半径, 即可使四个波长的输出效率均达到90%以上. 所设计的器件不但效率高, 而且尺寸小(约为12 μ m× 17 μ m), 在未来的光通信领域中具有潜在的应用价值.     

基于自相位调制和偏移滤波的全光2R再生

理论和实验研究了基于光纤中自相位调制效应和偏移滤波的全光2R再生,实现了因放大的自发辐射噪音而恶化的数据信号的再生.数值研究了输入平均功率对信号再生的影响,结果表明,通过控制输入光纤的平均功率,Q值在5到12的40 Gb/s归零码信号再生后均可实现Q值和幅度抖动的改善.最后进行了基于高非线性色散位移光纤的10 Gb/s归零码ASE恶化数据信号的再生实验,误码率为10－9时标准时的再生功率代价仅为0.1 dB.     

超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_1-xAs缓冲层上生长In_yGa_1-yAs/GaAs超晶格（x＜y）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于Mathews-Blakeslee（M-B）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，GaAs/In_yGa_1-yAs界面铟组分过渡区比In_yGa_1-yAs/GaAs界面铟组 关键词：     

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ_ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ_{０．４ 关键词：}     

等离子体聚合物发光性质的研究

通过等离子体聚合合成了发光聚合物,反应条件的改变可使聚合物的荧光峰值从415nm变化到550nm。对聚合物的荧光性质进行了讨论,且制备了电致发光器件LED(A1/聚萘/ITO),实现了其电致发光。结果表明等离子体聚合物的电致发光与光致发光产生的机理基本相同,都是由聚合物中的多个生色团产生的。     

引入阱结构改善有机发光器件的效率

利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和 4,4′-N,N′–dicarbazole-biphenyl交替蒸发长成，改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积，形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光.器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4.1cd/A,与一般异质结器件相比效率提高了2倍多.这说明在适当阱数时用简单办法可提高器件的效率.