4，4＇，4＂-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺掺杂MoOx作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响永

通过采用4,4’,4”．三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA）掺入MoO。作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜（CuPc）／C60小分子有机太阳电池的效率．采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件,其中结构为铟锡氧化物（ITO）／m-MTDATA：MoO2（3：1）（30nm）／CuPc（20nm）／C60（40nm）／4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）（8nm）／LiF（0．8nm）／Al（100am）的器件,在AMl．5（100mW／cm2）模拟太阳光的照射条件下,开路电压Koc=0．40V,短路电流Jsc=6．59mA／cm2填充因子为0．55,光电转换效率达1．46％,比没有空穴传输层的器件ITO／CuPc（20nm）／C60（40nm）／Bphen（8nm）／LiF（0．8nm）／A1（100nm）光电转换效率提高了38％．研究表明,加入m-MTDATA：MoO2（3：1）（30am）空穴传输层减小了有机层和ITO电极之间的接触电阻,从而减小了整个器件的串联电阻,提高了器件的光电转换效率．     

4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺掺杂MoOx作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响

通过采用4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺 (m-MTDATA)掺入MoO_x作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜(CuPc)/C₆₀小分子 有机太阳电池的效率. 采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件, 其中结构为铟锡氧化物 (ITO)/m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/4,7-二苯 基-1,10-菲罗啉 (Bphen)(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的器件, 在AM1.5 (100 mW/cm²)模拟太阳光的照射条件下, 开路电压V_oc=0.40 V, 短路电流J_sc=6.59 mA/cm², 填充因子为0.55, 光电转换效率达1.46%, 比没有空穴传输层的器件ITO/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/Bphen(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm) 光电转换效率提高了38%. 研究表明, 加入m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)空穴传输层减小了有机层和ITO电极之间的接触电阻, 从而减小了整个器件的串联电阻, 提高了器件的光电转换效率.