抽运光偏振态对晶体两波耦合增益的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以532 nm单频固体激光器为光源,研究了抽运光偏振态对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响.结果表明:在信号光为e光且入射光夹角为30 °条件下,当抽运光偏振态与e光夹角为10 °时,有效增益最大;通过比较信号光打开与关闭条件下不同偏振态抽运光入射晶体时信号光及抽运光透射光强,分析得出最大增益存在的原因是偏振角为10 °时抽运光的o光分量很好的起到了擦除光扇的作用,抑制了光扇的发生,从而增益最大.取抽运光偏振态与e光夹角为10 °,研究入射光光强比对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响,结果发现随入射光光强比的增大,有效增益先增大后减小,光强比为1: 50时对应的增益最大为33.8.同时对研究结果进行了相应的物理解释.     

GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化,表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱,量子点荧光光谱峰值位置(Emax)、半峰全宽及积分强度随温度发生变化,表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后,TRPL测量发现60mL比40mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长.     

Study of ψ(4415) in the QPC model

Some authors consider the ψ(4415) to be the 4S or 5S excited tate of a cc pair. Starting from this assumption, we study he decays of the ψ(4415) to DD, D^*D^*, D_SD_S, D_S^*D_S^*, and get the corresponding branching ratios in terms of the Quark-Pair-Creation (QPC) model. Compared with the experimental data, we find that the results of 4S state agree much better than those of the 5S state. Therefore, it is more reasonable to assume the ψ(4415) to be a 4S state.     

磁化溶液样品对ICP发射光谱的增敏效应

利用磁感应强度为0.24T的磁场处理含乙醇的水溶液,研究了样品溶液的物理性质和雾化特性以及样品溶液中元素的谱线强度随磁化时间的变化情况,并且讨论了磁化机理。实验结果表明,随着磁处理时间的延长,分析样品的有效利用率提高了;当样品中加入乙醇时,元素的谱线强度较早地出现了峰值。在磁化时间为2 h的条件下,不含乙醇的样品溶液中,元素Zn, Pb, Cd, Fe, Si, Cu, Cr和Sr的谱线强度比溶液未磁化时分别提高了22.9%, 38.8%, 25.6%, 48.3%, 52.4%, 6.0%, 22.3%和22.7%;含6%乙醇的样品溶液中,元素Zn, Pb, Cd, Fe, Si, Cu, Cr和Sr的谱线强度比溶液未磁化时分别增加了22.4%, 42.6%, 39.4%, 43.9%, 72.4%, 9.7%, 16.1%和17.1%。样品溶液磁化后进行分析, 有利于降低光谱分析检出限。     

ICP光源中载气压力对等离子体辐射强度的影响

为了提高ICP光源等离子体的辐射强度,利用常规同心气动雾化器,增大载气压力,提高样品溶液的雾化效率,并且通过释放掉部分气溶胶的方法,以合适的流速将样品送入等离子体焰。经过测量水样品中元素Ca,Si,Sr和Zn的谱线强度表明,在常规条件下载气压力为0.05 MPa时有谱线峰值强度;当释放掉部分气溶胶以后,在0.07 MPa的载气压力下测得的峰值强度分别提高了38%,79%,45%和70%。另外,使用较高的载气压力并不影响等离子体辐射的稳定性。     

Dy~(3+)激活的LiSrBO_3材料光谱特性研究

研究了Dy~(3+)激活的LiSrBO_3材料的光谱特性。材料的发射光谱为一多峰宽谱,主峰分别为486,578和668 nm;监测578 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为331,368,397,433,462和478 nm。研究了Dy~(3+)掺杂浓度对材料发射光谱的影响,结果显示,随Dy~(3+)浓度的增大,黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大;同时材料的发光强度随Dy~(3+)浓度的增大呈现先增大后减小的趋势,在Dy~(3+)浓度为3 mol%时到达峰值,其浓度猝灭机理为电偶极·偶极相互作用。引入Li~+,Na~+和K~+均可提高材料的发射强度。     

Energy Transfer from Ce^3＋ to Eu^2＋ in LiSrBO3 and Its Potential Application in UV-LED-Based White LEDs

Ce3＋/Eu2＋ codoped LiSrBO3 phosphor is synthesized, and its luminescent characteristics are investigated. LiSrBO3：Ce3＋,Eu2＋ phosphor exhibits varied hues from blue to white and eventually to yellow by resonance-type energy transfer from Ce3＋ ion to Eu2＋ ion and tuning the relative proportion of Ce3＋/Eu2＋ properly. Energy transfer mechanism in LiSrBOa：Ce3＋, Eu2＋ phosphor is dominated by the dipole-dipole interaction, and the critical distance of the energy transfer is estimated to be about 2 nm by both spectral overlap and concentration quenching methods. Under UV radiation, white light is generated by coupling 436 and 565nm emission bands attributed to Ce3＋ and Eu2＋ radiations, respectively.     

Ce∶KNSBN晶体两波耦合中的光扇效应

采用两波耦合非同时读出实验装置 ,测量了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)晶体两波耦合过程中的信号光和抽运光非同时打开条件下两波耦合增益的时间变化规律 ,讨论了光扇的入射光强阈值及光扇效应对两波耦合动态过程的影响。结果表明 :6 32 .8nmHe Ne激光在Ce∶KNSBN晶体中写入体光栅时 ,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性 ,当入射光强大于 30mW /cm2 时 ,才存在强烈的光扇效应。利用修正耦合波方程对Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合动态过程、增益随着信号光和抽运光打开时间间隔Δt的变化进行了模拟计算 ,理论模拟结果与实验测量结果基本一致     

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.     

利用微波场抑制电磁感应透明的功率展宽

电磁感应透明的重要参量之一是透明窗口的光谱线宽。在Λ-型三能级原子系统中,电磁感应透明的光谱线宽由两低能级间的相干失相速率决定,若两低能级同属于原子基态的精细结构,则电磁感应透明窗口的极限线宽很窄。但较强的耦合场作用往往会导致电磁感应透明窗口的功率展宽,而减弱耦合场又会影响电磁感应透明的对比度和深度。为此,通过引入微波控制场共振作用于基态精细能级间构成三场作用下的准Λ-型四能级系统,利用微波控制场来抑制耦合场所引起的电磁感应透明窗口的功率展宽。结果表明,引入微波控制场不仅得到了双窗口电磁感应透明,而且在保持较好对比度的条件下,使得电磁感应透明的光谱线宽明显小于不加微波场的情况。