利用Ce:KNSBN光折变晶体提高光学图像相关模式识别鉴别率

给出了在相干匹配滤波系统中利用Ce:KNSBN光折变晶体非线性特性实现图像边缘增强光学相关模式识别的理论分析和实验结果。实验中自相关峰半最大值宽度降低了75％，自相关峰与互相关峰的强度比增强了近一倍，自相关峰的边瓣强度和互相关峰的强度得到抑制，系统的信噪比和相关鉴别率得到显著提高。     

载体效应应用中的双电极装样法

本文选用了卤化物、硫化物共10种光谱载体,讨论了最佳载体含量的有关问题。提出了一种上下电极都装样品的方法,使低含量杂质的谱线强度有明显增强。     

碳涂层对激光诱导金属等离子体辐射强度的影响

为了降低样品表面对激光束的反射率,提高激光诱导等离子体的辐射强度,文章报道了一种在钢样品表面涂抹碳层的方法.实验结果表明,当一束高能量激光(～25 D作用于覆盖有适当厚度碳涂层的钢样品时,激光等离子体发射的谱线强度提高了10%～28%.为解释谱线强度增强的机理,测量了等离子体的激发温度.此外,实验研究还发现,更强的原子发射光谱出现在激光等离子体径向的1 mm处,而不是在其中心位置.     

激光显微光谱法测定ITO导电膜中的Sn

本文利用激光显微光谱,涂片法制备样品,采用“Ｓ－Ｍ”法对ＩＴＯ导电膜中Ｓｎ进行定量分析,结果比较满意。     

Ba3Tb(BO3)3:Ce3+:一种白光LED用绿色荧光粉

采用高温固相法合成了Ba3Tb(BO3)3和Ba3Tb(BO3)3:Ce3+两种绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.Ba3Tb(BO3)2材料呈多峰发射,发射峰位于439,493,547,589和629 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7F1=6,5,4,3跃迁发射,主峰为547 nm;监测547 nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330 nm)和4f4f电子吸收(330-400 nm)组成,主峰为380 nm.以Ce3+激活Ba3Tb(BO3)3,所得Ba3Tb(BO3)3:Ce3+与Ba3Tb(BO3),材料的发射光谱分布相同,但发射强度明显增强,说明Ce3+对Tb3+产生了很好的敏化作用;监测547 nm最强发射峰,所得激发光谱为宽带,主峰位于360 nm.改变H3BO3量,Ba3Tb(BO3)3:Ce3+材料的发射强度随之变化,当H3BO3过量15 wt%时,发射强度最大.上述研究结果表明Ba3Tb(BO3)3:Ce3+是一种很好的适于UV-LED管芯激发的白光LED用绿色荧光粉.     

Ce$lt;sup$gt;3+$lt;/sup$gt;在LiBaBO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;中的发光特性及晶体学格位

采用固相法制备了LiBaBO₃：Ce³⁺发光材料.测得LiBaBO₃：Ce³⁺材料的发射光谱为一不对称的单峰宽谱,主峰位于440 nm;监测440 nm发射峰,可得其激发光谱为一主峰位于370 nm的宽谱.利用van Uitert公式计算了Ce³⁺取代LiBaBO₃中Ba²⁺时所占晶体学格位,得出438 nm发射带归属于九配位的Ce³⁺发射,而469 nm发射带起源于八配位的Ce³⁺发射.研究了Ce³⁺浓度对LiBaBO₃：Ce³⁺材料发光强度的影响,结果显示,随Ce³⁺浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,Ce³⁺浓度为3mol%时强度最大,造成其浓度猝灭的原因为电偶极-偶极相互作用.引入Li⁺,Na⁺或K⁺可增强LiBaBO₃：Ce³⁺材料的发射强度.利用InGaN管芯（370 nm）激发LiBaBO₃：Ce³⁺材料,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为（x=0.291,y=0.297）. 关键词： 白光发光二极管 3：Ce³⁺')" href="#">LiBaBO₃：Ce³⁺ 晶体学格位 发光特性     

Ce3+在LiBaBO3中的发光特性及晶体学格位

采用固相法制备了LiBaBO3:Ce3+发光材料.测得LiBaBO3:Ce3+材料的发射光谱为一不对称的单峰宽谱,主峰位于440 nm;监测440 nm发射峰,可得其激发光谱为一主峰位于370 nm的宽谱.利用van Uitert公式计算了Ce3+取代LiBaBO3中Ba2+时所占晶体学格位,得出438 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射,而469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiBaBO3:Ce3+材料发光强度的影响,结果显示,随Ce3+浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,Ce3+浓度为3mol%时强度最大,造成其浓度猝灭的原因为电偶极-偶极相互作用.引入Li+,Na+或K+可增强LiBaBO3:Ce3+材料的发射强度.利用InGaN管芯(370 nm)激发LiBaBO3:Ce3+材料,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为(x=0.291,y=0.297).     

红色LiMBO3 : Re3+(Re=Eu,Sm) 发光材料的特性

采用固相法制备了红色LiM(M=Ca, Sr, Ba)BO₃ : Re³⁺(Re=Eu, Sm)发光材料,研究了材料的发光性能。研究发现LiM(M=Ca, Sr, Ba)BO₃ : Eu³⁺材料呈现多峰发射,最强发射分别位于610,615,613 nm处,分别监测这三个最强峰,所得激发光谱峰值位于369,400,470 nm。LiM(M=Ca, Sr, Ba)BO₃ : Sm³⁺材料也呈多峰发射,分别对应Sm³⁺的⁴G_5/2→⁶H_5/2、⁴G_5/2→⁶H_7/2和⁴G_5/2→⁶H_9/2跃迁发射;分别监测602,599,597 nm三个最强发射峰,所得激发光谱峰值位于374,405 nm。研究了激活剂浓度对材料发射强度的影响,结果随激活剂浓度的增大,发射强度先增强后减弱,即,存在浓度猝灭效应。实验表明,加入电荷补偿剂Li⁺、Na⁺或K⁺均可提高LiM(M=Ca, Sr, Ba)BO₃ : Re³⁺(Re=Eu, Sm)材料的发射强度。     

铕激活银离子导电玻璃的白光发射

空气气氛下在铕激活银离子导电玻璃中,实现了Eu³⁺→Eu²⁺的还原。通过改变基质中Ag₂O的含量,能够调整Eu³⁺/Eu²⁺比率,从而实现白光发射。在Ag₂O的摩尔分数为30%时,发射光的色坐标为(x=0.31,y=0.36),色温为5 000 K。对Ag₂O的引入引起Eu³⁺→Eu²⁺还原的机理进行了分析。可以相信铕激活银离子导电玻璃将成为白光LED理想的基质材料。     

电荷补偿对Sr_2SiO_4∶Dy~(3+)材料发射光谱的影响

采用高温固相反应方法在空气中制备了Sr2SiO4∶Dy^3＋发光材料。在365 nm紫外光激发下,测得Sr2SiO4∶Dy^3＋材料的发射光谱为一多峰宽谱,发射峰分别位于486,575和665 nm处。研究了电荷补偿剂Li^＋,Na^＋和K^＋对Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射光谱强度的影响,结果显示,不同电荷补偿剂下,随电荷补偿剂掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射光谱强度的演化趋势相同,即,Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射峰强度先增大后减小,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,对应Li^＋,Na^＋和K^＋时,浓度分别为4 mol%,3 mol%和3 mol%。同时,对研究结果进行了理论分析。