首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   11428篇
  免费   2551篇
  国内免费   4402篇
化学   9576篇
晶体学   154篇
力学   199篇
综合类   202篇
数学   60篇
物理学   8190篇
  2024年   121篇
  2023年   409篇
  2022年   534篇
  2021年   614篇
  2020年   387篇
  2019年   599篇
  2018年   338篇
  2017年   491篇
  2016年   539篇
  2015年   549篇
  2014年   1082篇
  2013年   818篇
  2012年   824篇
  2011年   834篇
  2010年   799篇
  2009年   832篇
  2008年   920篇
  2007年   786篇
  2006年   807篇
  2005年   639篇
  2004年   651篇
  2003年   558篇
  2002年   509篇
  2001年   434篇
  2000年   352篇
  1999年   371篇
  1998年   308篇
  1997年   279篇
  1996年   267篇
  1995年   309篇
  1994年   235篇
  1993年   212篇
  1992年   237篇
  1991年   184篇
  1990年   190篇
  1989年   170篇
  1988年   66篇
  1987年   40篇
  1986年   31篇
  1985年   17篇
  1984年   14篇
  1983年   19篇
  1982年   3篇
  1980年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 265 毫秒
71.
非成像光学及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
72.
Outline imaging by THz time domain spectroscopy is proposed. Spectroscopic splitting at interface is reported, The principle of outline imaging is put forward. Experimental results demonstrate the feasibility of outline imaging by spectroscopic splitting, It is shown that clear out:line image of sample interface could be achieved easily by this technique. The spatial resolution is about 0.6mm. The THz-beam focus, the scanning step and the THz pulse width are the critical foctors affecting the imaging resolution. The signal-to-noise ratio of this technique could be improved greatly compared to the conventional transsion imaging.  相似文献   
73.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.  相似文献   
74.
Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
关键词:  相似文献   
75.
76.
盛勇  蒋刚  朱正和 《物理学报》2002,51(3):501-505
类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词: 双电子复合 镁离子 角动量  相似文献   
77.
紫外波段CH2I2分子的光解离动力学研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用离子速度成像方法,研究CH2I2分子在277—305nm范围内若干波长处的光解离动力学.通过同一束激光经(2+1)共振多光子电离(REMPI)过程探测光解碎片I(2P32)和I(2P12),得到了不同激发波长处的离子速度分布图像,从而获得CH2I2光解产物的能量分配和角分布.实验发现,碎片CH2I自由基有很高的内能激发,约占总可资用能的80%,该能量分配可以较好地用冲击模型来解释.实验还发现,产物I(2P32)和I(2P12)具有很不相同的平动能分布,结合所得到的碎片能量分配和角分布,我们对碎片I(2P32)和I(2P12)生成机理进行了分析,指出CH2I2分子电子激发态的绝热和非绝热解离决定了碎片的平动能分布. 关键词: CH2I2 离子速度成像 绝热和非绝热解离  相似文献   
78.
以石墨管为基体,十六烷基三甲基溴化铵为电活性物质,制备了带有内参比电极(Ag/AgC l)的管状流通式阴离子表面活性剂选择性电极,对其性能进行了测试。实验结果表明,其线性响应范围为1.6×10-7~5.1×10-3mol/L,斜率为52.0 mV/dec,检出限为2.0×10-8mol/L。利用该电极进行测试时,常用的无机阴离子C l-、SO42-、NO3-、PO43-等不会对其产生干扰;该电极适宜的pH值范围为2.50~10.50。对水样测定,回收率为95%~104%。电极可连续使用50 d左右。  相似文献   
79.
80.
氟离子选择电极法在测试中应注意的事项   总被引:7,自引:0,他引:7  
氟是人体必需的微量元素 ,成年人平均每人每天氟安全和适宜的摄入量为 3.0~ 4 .5mg[1] ,过多过少都可能引起疾病。氟元素广泛地存在于地表、水体及大气中 ,为食品检验、饮料生产、环境监测、土壤、水质及医药卫生等各个领域的常测项目。其常用的测定方法有茜素酮比色法和氟离子选择电极法。前者是一般化验室常用方法 ,使用试剂较多 ,但结果准确 ;氟离子选择电极法具有电极结构简单牢固、元件灵巧、灵敏度高、响应速度快、便于携带、操作简单 ,能克服色泽干扰 ,以及精度高等优点而被广泛地应用。目前 ,氟离子选择电极法有着逐步取代比色法…  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号