含盐体系的静态介电常数

应用剩余极化的概念和Mori布朗运动方程,得介电常数的计算公式。应用于H₂O-LiCl、H₂O-NaCl、CH₃OH-LiCl,CH₃OH-NaCl、CH₃OH-Nal、HCONH₂-NaI表明,水盐体系的计算值接近实验值,HCONH₂-NaI较差。     

Dependence of InGaN solar cell performance on polarization-induced electric field and carrier lifetime

The effects of Mg-induced net acceptor doping concentration and carrier lifetime on the performance of a p-i-n InGaN solar cell are investigated. It is found that the electric field induced by spontaneous and piezoelectric polariza- tion in the i-region could be totally shielded when the Mg-induced net acceptor doping concentration is sufficiently high. The polarization-induced potential barriers are reduced and the short circuit current density is remarkably increased from 0.21 mA/cm2 to 0.95 mA/cm2 by elevating the Mg doping concentration. The carrier lifetime determined by defect density of i-InGaN also plays an important role in determining the photovoltaic properties of solar cell. The short circuit current density severely degrades, and the performance of InGaN solar cell becomes more sensitive to the polarization when carrier lifetime is lower than the transit time. This study demonstrates that the crystal quality of InGaN absorption layer is one of the most important challenges in realizing high efficiency InGaN solar cells.     

H2载气流量对AlN缓冲层生长的影响

在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。     

邻氯硝基苯在Pd/C催化剂上加氢反应机理及添加Cu对邻氯苯胺选择性的影响

本文研究了邻氯硝基苯在5%Pd/C催化剂上加氢为邻氯苯胺和苯胺的反应机理。结果表明,在常压下,邻氯苯胺和苯胺的选择性分别为~70%和~30%,且不随转化率增加而变化。在加压(1.0 Mpa)条件下,也有类似规律。因此,说明邻氯苯胺和苯胺分别是两个平行反应的产物。通过测定该反应各步骤的初始反应速率,进一步证实了这一结论。在认识反应机理的基础上,制备出可有效抑制脱氯的Cu-Pd/C双金属催化剂,在不加脱氯抑制剂的情况下,可使邻氯硝基苯加氢制备邻氯苯胺的选择性提高到96%以上。     

Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition

This paper reports that Al1 xInxN epilayers were grown on GaN template by metalorganic chemical vapor de-position with an In content of 7%-20%. X-ray diffraction results indicate that all these Al1 xInxN epilayers have a relatively low density of threading dislocations. Rutherford backscattering/channeling measurements provide the exact compositional information and show that a gradual variation in composition of the Al1 xInxN epilayer happens along the growth direction. The experimental results of optical reflection clearly show the bandgap energies of Al1 xInxN epilayers. A bowing parameter of 6.5 eV is obtained from the compositional dependence of the energy gap. The cathodoluminescence peak energy of the Al1 xInxN epilayer is much lower than its bandgap, indicating a relatively large Stokes shift in the Al1 xInxN sample.     

大型客机协同研制工艺技术风险的正态云模型评估

研究不确定情景下大型客机协同研制正态云模型风险评估方法及应用问题。建立了正态云模型的偏差熵测度,提出了面向云模型偏差熵的指标权重确定模型,构建了面向多数据类型的正态云模型风险评估方法。建立了涵盖工艺标准、工艺方案等五个指标的大型客机协同研制供应商工艺技术风险评估指标体系,并基于正态云模型评估方法进行了实际应用。     

基于证据推理的不完全信息决策方法研究及应用

提出了一种基于证据推理和优化模型的不完全信息决策方法。针对专家认知偏好的多样性以及决策问题的复杂性特点,提出了一类评价指标不尽相同的不完全信息决策问题;运用证据理论中的基本信度分配来描述专家意见,给出了此类问题的信度函数、似真度函数、合成法则和不同专家贡献度的定义,计算了各个指标的基本信度分配值;从最大程度保持专家原始判断偏好的角度,建立了指标权重确定的优化模型;文后以商用飞机成本管控风险的重要性评价为例,说明了方法的应用步骤和有效性。     

纳米尺度点接触的实验研究

由交叉微米线构成了T形结构,并测量了Pt-Pt和Pt-Au节点的接触热阻和接触电阻。分析表明,增大接触点长度与宽度的比值,线接触模型和椭圆接触模型计算得到的接触热阻的差别逐渐减小,当比值超过20时,椭圆接触模型不再适用。测量得到的接触热阻随温度变化不明显,而接触电阻随温度升高而增大。由于存在表面绝缘层,接触热阻将远大于Wiedemann-Franz定律的预测值。考虑Kundsen数的影响以后,由接触电阻计算得到的金属接触点尺寸近似与温度无关。     

数列的新靓点——派生数列

2008年的数学高考考试大纲中,数列部分有一类能力要求为A,其余三类的能力要求均达到C级,它们分别是等差数列、等比数列以及数列的综合应用。对于能力C级,即为灵活和综合应用,要求学生系统地掌握知识的内在联系,能运用所列知识分析和解决较为复杂或综合性的问题。在数列中,不会单纯地考查等差、等比数列,而通过变形和重组将之转化为等差、等比数列,派生数列就是其中非常典型的一类。     

突发事件应急处置团队的双阶段匹配优选方法

针对突发事件专家团队的遴选组建问题，提出了基于“应急任务—核心领导—团队成员”的双阶段匹配优化模型。首先，针对匹配评价参数语言信息的模糊性和随机性，建立基于正态云模型的转换框架，提出了考虑正态云距离的匹配满意度表征方法；其次，根据“个人-团队”理论建立专业覆盖、能力互补和一致性等团队匹配原则，提出了基于应急任务的“核心领导”匹配优选模型和基于“核心领导”和“团队成员”匹配优选模型，形成联动的双阶段优化模型。最后，以航班飞行航空器起火应急救援事件为案例，分析该方法的有效性和可行性。