统一的对流扩散型可压缩流体力学方程与解法

流体力学的动量方程、能量方程、湍动能方程和耗散方程都具有对流扩散方程的形式,但连续方程却不是对流扩散型的。对于可压缩问题,本文通过合理的数学推导,不作任何近似、假定与简化,得到一个全新的连续方程形式．该连续方程以压力为未知变量,并具有对流扩散型形式,使得所有的流体动力学方程组都具有完全统一的方程形式,给出了这种三维对流扩散方程组的有限精确差分计算格式。对流体力学的进一步发展具有一定意义．     

MES动态修饰PDMS芯片毛细管电泳电化学检测多巴胺和肾上腺素

在2-(N-吗啉)乙磺酸(MES)动态修饰的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微通道中,采用在柱安培检测方式,分离并测定了神经递质多巴胺和肾上腺素.实验中对分离电压、检测电位以及添加剂浓度等参数进行了探讨和优化.结果表明,修饰后的通道减少了对被测物的吸附,有效提高了分离度,多巴胺和肾上腺素的检测限分别为2.0 μmol/L和3.7 μmol/L.     

THE LARGE TIME BEHAVIOR OF SPECTRAL APPROXIMATION FOR A CLASS OF PSEUDOPARABOLIC VISCOUS DIFFUSION EQUATION

The asymptotic behavior of the solutions to a class of pseudoparabolic viscous diffusion equation with periodic initial condition is studied by using the spectral method. The semidiscrete Fourier approximate solution of the problem is constructed and the error estiation between spectral approximate solution and exact solution on large time is also obtained. The existence of the approximate attractor AN and the upper semicontinuity d(AN,A)→0 are proved.     

线性复值随机跳跃——扩散方程隐Miltein格式的渐近稳定性

给出了线性复值随机跳跃－扩散方程隐Ｍｉｌｔｅｉｎ格式的渐近均方的必要条件，并揭示了离散步长的稳定区域与格式隐性之间的关系。     

在局部区域上的奇摄动反应扩散方程初始边值问题

本文是讨论一类在局部区域上的奇摄动反应扩散初始边值问题.利用算子理论和 不动点原理,得到了相应问题解的存在性和唯一性.     

非线性时滞反应扩散方程组的奇摄动

本文研究了一类奇摄动非线性时滞反应扩散方程组,利用微分不等式方法,得到了解的一致有效的渐近展开式.     

AN ESTIMATE ON THE DISTRIBUTION AND MOMENTS OF THE LAST EXIT TIME OF AN ELLIPTIC DIFFUSION PROCESS

Let LB be the last exit time from a compact set B of an elliptic diffusion process X. A moderate estimate for the distribution of LB is obtained, and the sufficient and necessary condition for Ex(LBk)<∞is proved.     

Positive Steady States of a Prey-predator Model with Diffusion and Non-monotone Conversion Rate

In this paper, we study the positive steady states of a prey-predator model with diffusion throughout and a non-monotone conversion rate under the homogeneous Dirichlet boundary condition. We obtain some results of the existence and non-existence of positive steady states. The stability and uniqueness of positive steady states are also discussed.     

对流扩散方程带罚函数项的有限体积格式及其分析

1引言 有限体积方法[l]一l’]作为守恒型的离散技术，被广泛应用于工程计算领域.文【2，3} 基于分片常数和分片常向量函数空间，对二维驻定对流扩散方程提出了一类非协调混合 有限体积(Covolume)格式，证明了格式具有。(hl/2)收敛精度.但该格式要求对偶剖分 比较规则，即采用重     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型