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1.
本文首先对双层规划的一个特殊例子即道德风险模型中使用的一阶条件方法(FOA)做简要的梳理,然后提出一种更为一般的使FOA有效的原则与方法。新方法主要依赖于代理人对委托人设置的目标的最优反应映射是否存在不动点,这个性质不要求原问题与用一阶条件放松以后的问题之间的约束集等价,从而也不要求代理人的期望效用对行动具有全局凹性。在新方法下,可以用较为简单的方法证明FOA在以下两种情形之一有效,即如果分布函数是概率分布的凸组合或者分布函数来自某些特殊的指数族分布。 相似文献
2.
磁流变弹性体是将铁磁性颗粒填充到非磁性的聚合物基体中,通过固化作用形成的柱状或链状结构。目前,研究磁流变弹性体的力学模型主要是磁偶极子模型以及修正的磁偶极子模型。这些模型考虑了颗粒之间的相互作用,但尚未涉及颗粒和基体之间的相互作用。本文在考虑颗粒和基体相互作用的基础上,基于剪滞法理论计算出强结合界面磁流变弹性体模量和阻尼特性。通过实验制备硅橡胶基的磁流变弹性体,并在应变幅值较小时测试其剪切储能模量和阻尼因子,详细分析不同的应变幅值和磁场强度对磁流变弹性体性能的影响。理论结果与实验结果相符,验证了本文关于强结合界面性能分析的正确性。 相似文献
3.
4.
在SiNx薄膜中引入微金字塔结构,综合利用包含界面的薄膜光学微结构的折射、衍射与干涉现象,实现透反射的调控.通过单点金刚石切削与纳米压印、等离子体各向异性刻蚀技术相结合,将大面积、高效率、低成本的微结构制备方法推广至光学薄膜中,实现了多种尺寸的金字塔薄膜微结构的制备,结构单元尺寸可以在1.5~10μm之间进行调控.光谱特性检测结果表明,SiNx薄膜微金字塔结构阵列在近红外至长波红外波段,表现出超宽波段的减反射特性;在0.8~2.5μm的近红外波段,反射率低于1.0%;在3~5μm的中红外波段,反射率小于2.5%;在10~12μm长波红外波段,平均反射率低于5%;与传统的四分之一波长抗反射膜系相比,SiNx薄膜微金字塔结构阵列的减反射效果的实现,无需膜系设计时的折射率匹配,简化了膜系结构.研究发现SiNx薄膜微金字塔结构阵列的近红外透射诱导增强特性,高度为2~4μm的SiNx薄膜微金字塔结构阵列,均在2.1μm波长处出现明显的透射诱导增强效应,且高为4μm,底宽为8μm的微金字塔结构阵列的透射增强作用最为明显,透射率达到了96%以上.实验检测与仿真分析证明,透射增强的位置和强度由微结构的形貌尺寸及其结构比例关系决定. 相似文献
5.
提出了以圆筒扭转力学模型为基础, 预测周期性多孔材料等效剪切模量及其研究尺寸效
应的一种简单有效计算方法. 以方形孔和圆形孔两种典型多孔材料为例进行了数值计算求解;
同时, 建立了几何参数随体胞尺寸缩放因子$n$的解析关系, 证明了两种构型的周期性多孔材
料的等效剪切模量均随尺寸缩放因子$n$的增大而减小. 当$n \to \infty
$时, 即体胞尺寸相对整体结构无限小时, 多孔材料的等效剪切模量趋近收敛于一个恒定值;
当体胞的材料体分比增大时, 多孔材料等效剪切模量也随之增大. 此外, 依据周
期性多孔材料的结构对称特性, 使用体胞子结构有限元计算模型进行等效剪切模量及其尺寸
效应的预测, 极大地提高了计算效率. 相似文献
6.
Recent experiment shows that scandium (Sc) can make a good performance contact with carbon nanotubes (CNTs) to fabricate n-type field effect transistor (n-FET). We study the Schottky barrier (SB) of scandium (Sc) and palladium (Pd) with a (8,0) single-wall CNT (SWCNT) using first-principles calculation. It is found that the p-type SB height (SBH) of the Pd-CNT contact is about 0.34 eV, which is in good agreement with the experimental data. For the Sc-CNT contact, an n-type contact is formed and the SBH is about O.08eV in agreement with the experimental observations. Our calculation demonstrates that by contacting CNT with Pd and Sc, p-FET and n-FET can be fabricated, respectively. The dipole effect at the interface is used to explain our result. 相似文献
7.
Derivative of Electron Density in Non-Equilibrium Green's Function Technique and Its Application to Boost Performance of Convergence 下载免费PDF全文
The non-equilibrium Green's function (NEGF) technique provides a solid foundation for the development of quantum mechanical simulators. However, the convergence is always of great concern. We present a general analytical formalism to acquire the accurate derivative of electron density with respect to electrical potential in the framework of NEGF. This formalism not only provides physical insight on non-local quantum phenomena in device simulation, but also can be used to set up a new scheme in solving the Poisson equation to boost the performance of convergence when the NEGF and Poisson equations are solved self-consistently. This method is illustrated by a simple one-dimensional example of an N++ N+ N++ resistor. The total simulation time and iteration number are largely reduced. 相似文献
8.
9.
10.
By analysing the known low-lying levels and the E2 transition rates, it is shown that the empirical scheme of 114Cd is in good overall agreement with the predictions of the transitional dynamical symmetry E(5) proposed by Iachello [Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 3580]. This suggests that 114Cd may be better described by an E(5) nucleus than a U(5) nucleus as known before. 相似文献