CdZnTe晶体的缺陷能级分析

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.     

AgGaS2单晶生长与完整性研究

采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶,计算出晶格常数a-5.7535nm,c=10.3008nm,以及S原子位置x=0.279,与PDF值相差很小,表明其是高质量的多晶原料,以此为原料用改进Bridgman法生长出直径15mm长度30mm的单晶体,经外形观测,解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。     

磁场描绘实验的系统偏差与改进

指出了磁场的描绘实验中所描绘的磁感线存在的系统偏差,提出并通过实验证明了另一种描绘磁感线的操作方法,可使其系统偏差减小,使描绘的磁感线更接近于理想磁感线。     

光子的双波描述

用双波理论描述光子,使光子成为具有定域性的量子粒子.光子的波粒二象性以及圆极化和线极化的二象性在理论中都得到了体现.     

C~6~0^2^-单态和三态的结构和光谱性质

用INDO系列方法对C~6~0^2^-单态和三态分别进行了几何构型优化, 得到D~2~h对称性的构型, 表明C~6~0^2^-确实发生了Jahn-Teller畸变, 导致双键变长, 形成15种键, 9种不等同碳原子, 其额外负电荷主要分布在赤道附近, 以此构型为基础,计算了C~6~0^2^-的电子光谱, 与实验值基本一致, 对光谱进行了理论指认, 说明了光谱红移的原因。     

电子计算机在分析化学上的应用——掩蔽剂存在下微溶化合物沉淀pH值的计算

本文从理论上计算掩蔽剂存在下,微溶化合物沉淀pH值的通用方程;运用BASLC语言将此通式编制成计算机程序,并使用该程序对几种类型沉淀的pH值改变以及不同离子间获得定量分离的pH范围进行了计算,结果均令人满意。     

二维各向同性谐振子的双波描述

二维各同性谐振子体系除哈密顿量外还有三个独立的守恒量。本文给出了对这些不同描术宾比较。     

流动注射分光光度法测定钢铁及铝合金中微量钛

钢铁中微量钛的测定多采用二安替吡啉甲烷吸光光度法,方法较成熟,但灵敏度较低,测量时间也较长。本文基于在稀硫酸和溴化十六烷基三甲基铵介质中,Ti(Ⅳ)与邻氯苯基荧光酮生成有色络合物的性质,建立了测定Ti(Ⅳ)的流动注射分光光度法。该方法的测定范围为0.1～1.5μg·ml~(-1),进样频率为120样·h~(-1)。本法用于钢铁及铝合金中微量钛的测定。取得了满意的结果。     

Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration for optical interconnection

The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years. Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection, which not only provides the optical gain which is absent from native Si substrates and enables complete photonic functionalities on chip, but also improves the system performance through advanced heterogeneous integrated packaging. This paper reviews recent progress of silicon-based opt...     

烧结温度和升温速率对Pb(Sb1/3Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷性能的影响

采用传统固相法制备了Pb(Sb1/3 Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48 O3 (PMS-PZT)压电陶瓷.利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响.结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响.随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7 ℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33 =313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53;.