全文获取类型
收费全文 | 11106篇 |
免费 | 2402篇 |
国内免费 | 6549篇 |
专业分类
化学 | 13102篇 |
晶体学 | 583篇 |
力学 | 728篇 |
综合类 | 261篇 |
数学 | 353篇 |
物理学 | 5030篇 |
出版年
2024年 | 87篇 |
2023年 | 397篇 |
2022年 | 517篇 |
2021年 | 541篇 |
2020年 | 486篇 |
2019年 | 648篇 |
2018年 | 514篇 |
2017年 | 668篇 |
2016年 | 683篇 |
2015年 | 747篇 |
2014年 | 1103篇 |
2013年 | 1064篇 |
2012年 | 983篇 |
2011年 | 861篇 |
2010年 | 744篇 |
2009年 | 836篇 |
2008年 | 894篇 |
2007年 | 811篇 |
2006年 | 820篇 |
2005年 | 779篇 |
2004年 | 657篇 |
2003年 | 524篇 |
2002年 | 478篇 |
2001年 | 515篇 |
2000年 | 458篇 |
1999年 | 418篇 |
1998年 | 336篇 |
1997年 | 314篇 |
1996年 | 333篇 |
1995年 | 293篇 |
1994年 | 273篇 |
1993年 | 216篇 |
1992年 | 269篇 |
1991年 | 254篇 |
1990年 | 179篇 |
1989年 | 204篇 |
1988年 | 53篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 26篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 171 毫秒
61.
利用16O重离子束轰击142Nd和147Sm同位素靶分别生成153Er和157Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图.从中指认出153Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出157Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间. 相似文献
62.
63.
64.
65.
测量了200A GeV的32S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致. 相似文献
66.
67.
给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型. 相似文献
68.
在(NH4)3VS4/CuI/Py反应体系中合成了新化合物 [VS4Cu6(Py)8I3]并测定其晶体结构。该化合物(C40H40N8Cu6I3S4V)属正交晶系, 空间群为Fdd2, 晶胞参数为: a = 29.924(6), b = 13.475(3), c = 25.853(5) , V = 10425(4) ?, Dc = 2.006 g/cm3, Mr = 1573.92, Z = 8, (MoK) = 4.546 mm-1, F(000) = 6048。结构由直接法解出, 用全矩阵最小二乘法修正, 最终偏离因子R = 0.023, wR = 0.069。簇合物分子是由6个带端基配体的Cu沿着四面体单元VS4的6条SS边配位而成, 6个Cu排列成了1个八面体, V基本位于八面体的中心, 整个分子具有C2对称性。 相似文献
69.
70.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献