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31.
成分和厚度的依赖   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
代波  蔡建旺  赖武彦 《物理学报》2003,52(2):478-482
通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变. 关键词: Ni81Fe19/Ni100-xMnx 交换偏置场  相似文献   
32.
33.
报道了新合成的二氰基二硫纶·菲咯啉-5,6-二酮合铜(Ⅱ)配合物CuLL′(L=mnt2-, 1,2-dicyano-1,2-ethylenedithiolate; L′=phen-5,6-dione, 1,10-phenanthroline-5,6-dione)的变温磁化率和电子顺磁共振波谱表征结果. 发现微晶粉体型的标题配合物CuLL′具有一定的顺磁性,形成四配位的近似于方形的结构. 探讨了这种配合物磁学特性与结构的关系.  相似文献   
34.
 对Cl/HN3/I2产生NCl(a)/I激光的过程进行了化学动力学计算,主要考察了Cl,HN3和I2的初始粒子数密度及其配比对小信号增益系数的影响。结果发现,当温度为400K, 初始Cl粒子数密度为1×1015,1×1016和1×1017cm-3时,小信号增益系数分别达到1.6×10-4,1.1×10-3和1.1×10-2cm-1,获得最佳小信号增益系数的HN3和I2的初始粒子数密度分别为初始Cl粒子数密度的1~2倍和2%~4%。同时,对Cl,HN3和I2配比对小信号增益系数和增益持续时间的影响进行了讨论。  相似文献   
35.
The crystal structures of two potential tumor imaging agents and therapeutic agents -copper(Ⅱ) complexes with salicylidene-tyrosinato Schiff base and nitrogen-donor chelating Lewis base, [Cu(sal-tyr)(bipy)] 1 and [Cu(sal-tyr)(phen)]2CH3OH 2 are presented. Our work is helpful to get deep understanding of novel 64Cu tumor imaging agents and therapeutic agents.  相似文献   
36.
微模塑法制备PMMA/SiO2二氧化硅杂化材料微结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
以摩尔比为 1∶1的甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、甲基丙烯酸 (3 三乙氧基硅烷基 )丙酯 (ESMA)单体、0 .2 %(单体总量的质量分数 )的偶氮二异丁腈AIBN引发剂和四氢呋喃 (THF)溶剂 ,及 2 0 % (总质量分数 )的正硅酸乙酯TEOS合成出PMMA/SiO2 有机 无机杂化的杂化溶胶 .将溶胶在洗净的普通光学玻璃基片表面甩膜 .利用软刻蚀中的微模塑法 ,把有机硅弹性印章复制有精细图纹一面轻放在杂化溶胶膜上进行微模塑 ,外加 1N压力于12 0℃下处理 2h使溶胶凝胶化 .印章剥离后在基片表面就形成了PMMA/SiO2 有机 无机杂化材料的微图纹结构 .从微图纹的光学显微镜照片可以看出微模塑方法制备杂化材料复制的图纹精细度高 ,操作简单易行 ,是一类比较理想的微细图纹结构加工的方法 .  相似文献   
37.
用原子吸收光谱法检测了肺癌患者灌洗液中铜、锌含量及铜/锌比值。结果表明:中央型肺癌组与肺部良性疾病组比较均有极显著差异;与周围型比较,铜、铜/锌具有显著性差异;而周围型肺癌组与良性组比较,除铜/锌比值有显著性差异,Cu、Zn均无统计学意义差异。  相似文献   
38.
39.
固相配位化学反应研究(LⅪ)   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
40.
光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析   总被引:5,自引:2,他引:3  
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.  相似文献   
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