凝聚相有机分子的激发能传递研究(Ⅱ)——激光染料二甲基-POPOP和DCM分子间的激发能传递

利用荧光发射及其衰变动力学测量,研究了激光染料分子二甲基-POPOP和DCM在溶液中的分子间能量传递。所得结果证实:激发态二甲基—POPOP分子荧光被猝灭的程度,随所加入DCM浓度的增大而增大。尽管DCM的荧光寿命随二甲基—POPOP的猝灭而增加。然而,DCM的加入并不改变二甲基—POPOP的荧光寿命。在固定DCM浓度,而增加二甲基—POPOP浓度时,相似的结果同样被观测到。这些结果表明:激发态二甲基—POPOP分子通过辐射传能机理向基态DCM传递激发能,其结果将入射光的波长从紫外直接转换到波长大于600nm的光谱区。在本文中也简要讨论了进一步改善这一传能过程效率的措施。     

硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积，并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４，温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成，其峰值分别位于３１２ｎｍ，３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带，经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

一类“关-开”型Cu(Ⅱ)离子HNO荧光探针的设计、合成与表征（英文）

作为NO的单电子质子化还原产物，亚硝酰氢(HNO)具有的生物和药理作用特征与NO迥然不同。因此，实时检测生物体内HNO的浓度具有十分重要的生物医学意义。一类基于Cu (Ⅱ)离子荧光探针被广泛应用于HNO检测。为探讨不同荧光基团对HNO检测效率的影响，利用9-AC、BODIPY和香豆素作为荧光基团，我们设计并合成了三种“关-开”型Cu(Ⅱ)离子HNO探针Cu^Ⅱ[AD1]、Cu^Ⅱ[BD1]、Cu^Ⅱ[CD1]。通过研究表明，在生理条件下，Cu^Ⅱ[AD1]、Cu^Ⅱ[BD1]、Cu^Ⅱ[CD1]在5 min内对HNO响应，荧光增强倍数分别为7.13、14.48和329.04。上述探针检测限较低，分别为24.49、 10.79和0.15μmol/L。此外，这些探针对HNO的检测选择性优于其他活性氧和活性氮。因此，这些探针有望为研究亚细胞、细胞、器官乃及活体中HNO的生理病理功能提供重要的实验依据。     

例谈探索性命题解题的思维方法

所谓探索性命题,就是从问题给定的题设中探究其相应的结论,加以证明,或从给定的题断要求中探究其相应的必须具备的条件.由于此类问题的知识覆盖面较广,综合性较强,灵活选择方法的要求较高,对培养和考查学生的创造思维能力和探索能力可起到很好的效果.探索性命题的解题,除了必须     

磷脂酰肌醇3-激酶与其抑制剂芹菜素的分子对接

采用AutoDock3.05分子对接软件包,以磷脂酰肌醇3-激酶(PI3K)的晶体结构和芹菜素的空间结构为基础,对PI3K和芹菜素的相互作用机制进行了分子对接研究,为芹菜素的抗肿瘤机制提供理论依据.芹菜素是PI3K的有效抑制剂,分子对接结果表明,芹菜素与PI3K发生了强烈的结合作用,结合自由能达到-33.1 kJ·mol-1;结合位点位于该酶底物ATP的结合位点上,与底物形成竞争性结合,从而导致PI3K的酶活性受到抑制;在结合中,疏水力、氢键和静电作用力对芹菜素和PI3K复合物的形成与稳定发挥了重要作用.     

N-取代马来酰亚胺光学活性聚合物研究进展

N-取代马来酰亚胺由于刚性内酰亚胺五元环的存在,在聚合时一般按反式加成进行,得到苏式双全同和苏式双间同两种构型的聚合物.其中苏式双间同结构由于具有等量的(R,R)和(S,S)结构而不产生光学活性,而苏式双全同结构中含有过量的(R,R)或(S,S)结构时聚合物呈现光学活性.而且,高度连续的(R,R)或(S,S)结构能使主链形成螺旋构象.N-取代马来酰亚胺单体上不同的取代基、不同的聚合方法以及聚合时选用的不同配体都对得到的聚合物主链中苏式双全同构象的量有显著影响.本文综述了各种N-取代马来酰亚胺光学活性聚合物的研究进展.     

磺氨酸作为一种绿色和可循环使用的催化剂催化β-烯胺酮的合成

磺氨酸作为一种绿色催化剂可有效催化β-烯胺酮的合成. 该方法具有产率高、反应时间短、条件温和、操作简单等优点,同时催化剂可循环使用。     

耦合系统的朗之万动力学产生法

提出一种朗之万动力学方法获取处于热平衡态耦合系统内部振子坐标,数值模拟了单端固定简谐振子链的时间演化行为,并将其平衡性质与解析解进行了比较.结果表明了朗之万动力学方法的有效性.推广应用于非简谐四次方型耦合系统,模拟得到振子的四次方均坐标,与理论值验证;以模拟结果作为样本点计算哈密顿量,其能量分布与Boltzmann分布相符.     

基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术EI北大核心CSCD

在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素。但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究。通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度。并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化。最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×10^(7) cm^(-2)、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力。