Irradiation effects of CO2 laser parameters on surface morphology of fused silica

To understand the surface morphology evolution of fused silica induced by 10.6-μm CO2 laser irradiation at different parameters,this paper reports that optical microscopy,profilometry,and hydrophilicity tests are utilized to characterize the surface structure and roughness of the laser irradiated area. The results show that three typical surface morphologies and two typical hydrophilicity test images are observed at different laser powers and pulse durations. The correlations between surface temperature and surface morphology as well as hydrophilicity behaviours are presented. The different hydrophilicity behaviours are related to surface structures of the laser-induced crater and thermal diffusion area. The thermal diffusion length monotonously increases with increasing laser power and pulse duration. The crater width is almost determined by the laser beam size. The crater depth is more sensitive to the laser power and pulse duration than the crater width.     

基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器北大核心CSCD

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14.92nA/cm2。采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时,实验结果表明：4H-SiC探测系统对该能量范围内α粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99。     

4H-SiC探测器的γ辐照影响研究

为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93 V减小至1.69 V;4H-SiC探测器对241Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%,测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。4H-SiC探测器在受到1 MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486 MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%,仍具备优良的探测性能。     

正庚烷复杂化学框架与全局简化机理构筑

基于误差传播的直接关系图法(DRGEP), 针对正庚烷复杂化学, 成功地进行了指定精度的不同水平框架机理简化研究. 精确地查明了指定组分的依赖关系, 构造出仅包含重要化学路径的动力学机理. 分别给定阈值ε为0.01和0.001, 获得的框架机理分别包含690和398个反应、涉及69和52种组分, 虽然给定阈值的精度并不高, 但所得框架机理和原复杂化学关于火焰结构的计算吻合很好. 为了进一步增加简化度, 采用了全局简化机理构筑的延伸算法, 增加了算法的通用性, 同时基于CSP分析, 确定了QSS组分, 在已建立的框架机理的基础上, 进一步构筑了30和20组分全局简化机理, 计算结果表明, 2个全局简化机理仍具有很高的模拟精度.     

低模态下弱阻尼KdV方程约化形式的数值分析

给出了低模态下弱阻尼KdV方程近似惯性流形的约化形式,并在五模态下作数值分析,有关数值分析结果与非线性谱分析结果相类似     

加权离散Fourier变换

本文给出DFT与FFT的一种变形——加权DFT和加权FFT及其有关性质,使方法误差得到改善,在一定误差范围内减少了样点的选取,从而加快了计算速度。尔后附带指出该方法在波谱分析、脉象研究等实际领域中的应用。