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应用计算机控制的PID控温仪研究了锑化铟样品的变温霍耳效应。通过在线控制并记录77K-300K温度范围内锑化铟样品的霍耳电压,估测了样品的禁带宽度。 相似文献
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通过微波辅助气-液界面法制备了WO3/rGO复合纳米材料,并以无机盐KCl、NaCl、MgCl2、AlCl3为添加剂,将无机盐离子(K+、Na+、Mg2+、Al3+)成功地添加到WO3/rGO纳米材料当中,无机盐离子有效地改变了WO3/rGO纳米颗粒的尺寸,提高了WO3/rGO纳米材料的气敏性能.含有MgCl2添加剂的WO3/rGO的气敏性能最好,在180℃时其对5 ppm NOx的灵敏度值可达301.1,响应/恢复时间仅为3 s/21 s,并且将WO3/rGO的最佳工作温度由210℃降低到了180℃. 相似文献
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In holographic encryption, double random-phase encoding in the Fresnel domain (DRPEiFD) is a preva- lent encryption method because it is lensless and secure. However, noises bring adverse effects during decryption. In this letter, we introduce quick-response (QR) coding during encryption to resist noises. We transform the original information into a QR code and then enerypt the code as a hologram through DRPEiFD. To retrieve the input, we deerypt the hologram in the opposite manner to the encryption and subsequently obtain a QR code with noises. By scanning this code with proper applications in smart- phones, we can obtain a noise-free retrieval. Numerical experiments and images scanned by a smartphone are shown to validate our proposed method. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化. 通过缺陷形成能的计算,得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度;通过态密度的计算,分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响. 结果表明:最主要的低能缺陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱,前者降低少数载流子的寿命,后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率-寿命积. 计算结果为实验中提高InI 晶体载流子的迁移率-寿命积提供理论指导,对获得性能优异的InI核辐射探测材料有重要帮助.
关键词:
碘化铟
形成能
缺陷能级
深空穴陷阱 相似文献
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溶胶凝胶-软模板法制备LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料及其电化学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在溶胶凝胶法中引入了软模板十二烷基磺酸钠(SDS)制备了LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料。采用X射线衍射法(XRD),扫描电镜法(SEM),循环伏安法(CV),交流阻抗法(EIS)及充放电测试等手段对材料进行了表征。结果表明,在750 ℃下煅烧12 h加入或不加SDS都能得到结晶较好具有六方层状α-NaFeO2结构的LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2。SEM显示引入SDS辅助制备的目标材料颗粒细小,约60~300 nm,分散均匀,部分颗粒呈类球状形貌。而没有添加表面活性剂制备的材料粒径范围约250~600 nm,并且部分颗粒有团聚现象。在2.8~4.3 V(vs Li/Li+),0.5C倍率下,SDS辅助制备和没有添加表面活性剂制备的材料首次放电比容量分别为136.8、123.4 mAh·g-1,50次循环后容量保持率分别为90.3%,73.8%。2C和5C下的充放电测试结果都显示SDS的加入能有效改善材料的倍率性能。归因于颗粒更细小,分散更均匀及较小的晶胞体积,SDS辅助制备的材料电荷传递阻抗远小于无表面活性剂辅助制备的材料是其倍率性能得到明显提高的重要原因。 相似文献
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