国产金属箔式应变片在低温和强磁场下工作特性的研究

HT- 7U超导模型线圈实验中 ,研究了国产金属箔式应变片在低温和强磁场下的工作特性 ;测量了应变片从室温液氮温度液氦温度的输出示应变曲线 ,以及磁场强度从 0 T- 4T时应变片的输出示应变曲线。实验测得 ,对所选用的应变片 ,从室温降至液氮温度 (77.4K)的热输出为 - 3 6 4 7με,降至液氦温度 (4.2 K)的热输出为 - 3 999με,磁场从 0 T升至 4T的输出示应变为2 3 5με。     

切削液与机床腐蚀

水溶性切削液有较好的冷却效果，适用于组加工和高速切削，有利于切削温度的降低、提高刀具耐用度和减少变形，但对机床夹具和刀具有腐蚀性，进而影响机床、夹具的精度和刀具的寿命。本文就切削液对机床的腐蚀及防护措施进行探讨。     

高功率密度包层的热结构力学分析与优化

高功率密度包层BFEB是以混合堆FEB的堆芯参数和真空室尺寸为依据，设计用于嬗变核废物的。在工程设计阶段的构件结构力学分析时，首先进行了热结构力学的分析与优化。对包层模件，采用Pro/ENGINEER2000i2设计制图编码建立模型后，用Pro／MECHANICA2000i2功能编码进行热结构力学分析，即稳态热分析和稳态热应力分析。在机械构件材料和气氦冷却状态确定的情况下，通过优化分析，减小了作用于包层构件的表面热负载的分布起伏，即减小裂变功率密度沿包层各区的分布起伏。通过增大氦冷却管板屏的拱弧曲率与圆角以及对其与氦汇流腔的焊接采用优化的深度电子束焊接工艺等优化措施后，计算结果表明：采用HT9铁素体钢制作的包层构件的最高温度为350℃，最大剪应力≤80MPa。包层机械构件将具有良好的热结构力学安全裕度。     

球形环嬗变堆包层冷却管道热工设计与热结构力学分析

利用球形环托卡马克作为聚变中子源、处置裂变堆长寿命放射性核废料的嬗变堆作为聚变能早期应用的重要途径。因核废物的日益积累和已具备现实的技术基础而受到广泛的重视。也是目前国际聚变界研究的前沿课题。     

关于《非晶态金属的结构转变与动力学》一文的讨论

编辑同志: 对载于《物理》 1983年第 1期的《非晶态金属的结构转变与动力学》一文,其中关于TTT图所反映的非晶态金属的结晶行为,我觉得有一点需要补充. 该文认为,过冷液体沿文中图4中a淬火,避开了TTT曲线的“鼻端”,可以形成玻璃,而沿途径 b连续加热,则在Tx处开始结晶.仔细考查TTT图就会发现这种说法不够确切. TTT曲线是理论计算的结果[1].首先由实验求得过冷液体的粘度和相应晶体的熔融焓,然后由计算在给定过冷度下形成10-6晶体所需的时间.式中I和U分别为形核速度和晶体生长速度.计算中假设,熔体以无穷大的速度由熔点以上冷却到所讨…     

3-氨基α-乙基-2,4,6-三碘氢化桂皮酸的示波极谱法研究

在0.02M磷酸-0.08M乙酸-0.08M硼酸介质中,3-氨基-a-乙基-2,4,6-三碘氢化桂皮酸(碘番酸)有两个明晰的阴极化示波导数波,峰电位分别为-0.72伏和—0.86伏(vs.S.C.E.)。以第一波作为定量分析的基础,峰电流与浓度在5.0×10~(-7)～1.0×10~(-5)M范围内具有良好的线性关系,已成功的应用在碘番酸片剂和原药的分析中。研究了极谱波性质,反应机理和电极过程。认为获得的极谱波为吸附波,电极反应系碘番酸分子中苯环上键合的碘还原所致。电极过程不可逆。     

微波消解-火焰原子吸收光谱法测定蕨麻中8种矿物元素

利用微波消解,空气-乙炔火焰原子吸收光谱法对蕨麻中钾、钠、钙、镁、铜、锌、铁、锰8种人体必需矿物元素进行了测定。对样品的预处理方法、仪器的测定条件、共存元素的干扰及消除进行了研究,并对各测定元素进行了加标回收率实验。结果表明,在选定的实验条件下,该法的相对标准偏差均小于2.5%(n=8),各元素加标回收率为96.5%—103.2%。     

Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling

<正>A 240-nm thick Al_0.4In_0.02Ga_0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire（0001）.Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(x_min= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal（1213） axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion e_T,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed （e_T=0）.