Excitation of Propagating Plasmons in Semi-Infinite Graphene Layer by Free Space Photons

By investigating the diffraction of plane waves by a semi-infinite solution for propagating surface plasmons in graphene, which can be excited graphene edge. The theoretical results are confirmed by numerical simulations. excite propagating surface plasmons in graphene where the graphene edge plays graphene layer, we present a rigorous by incident plane waves through the Our results reveal a convenient way to an important role.     

Effect of emitter layer doping concentration on the performance of silicon thin film heterojunction solar cell

A novel type of n/i/i/p heterojunction solar cell with a-Si:H(15 nm)/a-Si:H(10 nm)/ epitaxial c-Si(47 μm)/epitaxial c-Si(3 μm) structure is fabricated by using the layer transfer technique, and the emitter layer is deposited by hot-wire chemical vapour deposition. The effect of the doping concentration of emitter layer S_d (S_d=PH₃/(PH₃+SiH₄+H₂)) on the performance of the solar cell is studied by means of current density-voltage and external quantum efficiency. The results show that the conversion efficiency of the solar cell first increases to a maximum value and then decreases with S_d increasing from 0.1% to 0.4%. The best performance of the solar cell is obtained at S_d = 0.2% with an open circuit voltage of 534 mV, a short circuit current density of 23.35 mA/cm², a fill factor of 63.3%, and a conversion efficiency of 7.9%.     

磁控溅射沉积薄膜预溅射时间的光谱诊断

利用Omni-λ300系列光栅光谱仪、CCD数据采集和处理系统以及光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统,实现了实时获取射频磁控溅射过程中等离子体光谱,分别对NiTa,TiAl陶瓷靶,NiAl,TiAl合金靶四种靶材的磁控溅射过程产生的等离子体进行监测,以TaⅡ333.991 nm,NiⅠ362.473 nm,AlⅠ396.153 nm和TiⅠ398.176 nm为分析线,获得了分析谱线强度随时间的变化规律,并以此为依据确定了预溅射时间,同时研究了不同溅射功率和压强对预溅射时间的影响。     

表面等离子体共振传感器在癌症早期诊断中的应用

表面等离子体共振传感器作为一种新型光学传感器, 在疾病诊断领域展现出日益广泛的应用性. 借助于纳米材料研究的最新进展, 该传感技术可实现浓度极低生物标记物的有效检测. 我们针对表面等离子体传感器在癌症早期诊断中的应用, 介绍了最新研究进展、重要发现及未来的发展前景.     

弛豫法研究预交联颗粒凝胶的界面扩张流变性质

采用界面张力弛豫方法研究了一种新型聚合物--预交联颗粒凝胶(PPG)的界面流变性质, 考察了电解质及传统直链聚丙烯酰胺与PPG的相互作用对体系界面性质的影响, 计算得到了各体系界面扩张弹性和黏性的全频谱, 并通过归一法计算得到了相应的Cole-Cole图. 结果表明, 随着体相浓度的增加, PPG在界面层中形成网络结构, 界面扩张弹性和黏性大幅增强. 电解质能够中和PPG结构中的电荷, 明显降低扩张弹性和黏性. 直链聚丙烯酰胺与PPG在界面上可能形成更为复杂的结构, 膜的黏弹性由PPG决定.     

EAST上基于端口密度测量的低杂波耦合研究

介绍了一套安装在EAST装置低杂波天线端口上方,用来测量端口附近电子密度的Langmuir三探针系统及其初步实验结果。此探针系统由探针、测量电路、数据采集以及数据处理四部分构成。实验结果表明：在低杂波天线端口充气的条件下,低杂波注入后端口密度会有明显的增加。端口密度与反射系数的关系与理论趋势一致,EAST上低杂波耦合的最佳密度出现在4~5×10¹⁷m^-3。     

AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究

铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法.本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑.以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜.铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜.Al/Al2O3/a-Si 叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑.在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌.     

聚氯乙烯三乙撑四胺负载钯配合物的制备及对Heck反应的催化性能

以聚氯乙烯为原料, 通过胺化反应制得聚氯乙烯三乙撑四胺, 然后用较简单方法得到聚氯乙烯三乙撑四胺负载钯配合物(PVC-TETA-Pd), 利用XPS, TG, DTA和TEM等手段对其进行了表征. 热分析表明PVC-TETA-Pd在室温至250 ℃范围内有很好的热稳定性; TEM分析证实钯在PVC-TETA-Pd中分布比较均匀, 钯颗粒呈球形, 粒径在2～3 nm. PVC-TETA-Pd不需在惰性气体氛围中就能有效地催化丙烯酸、苯乙烯与芳基碘的Heck芳基化反应, 并且在较低的温度(40 ℃)或较少的催化剂用量(0.02%)下, 对Heck反应仍有较好的催化性能. PVC-TETA-Pd便于回收, 且有很好的重复使用性能, 对于碘苯与丙烯酸的反应, 重复使用十二次, 肉桂酸的产率仍达到80.1%.     

padc-pd催化剂的制备及对heck反应的催化性能

padc;钯;负载型催化剂;heck反应     

1,2-二苯基乙二胺及与脱氢乙酸缩合生成的席夫碱化合物对映体的高效液相色谱法拆分

1,2-二苯基乙二胺（DPEN,见图1）是～种重要的具有C,一对称性的手性试剂。DPEN与脱氢乙酸缩合生成的席夫碱化合物（DPHS,结构见图1）是合成新型烯烃环氧化反应金属催化剂的手性配体”。虽然手性高效液相色谱拆分DPEN衍生物对映体已有文献报道”,但仍未见利用色谱法直接拆分DPEN和DPHS对映体的报道。本文考察了DPEN和DPHS对映体在Chiralcel OD—H和Chiralpak AD—H手性色谱柱上的拆分行为,建立了DPEN和DPHS对映体纯度的高效液相色谱测定方法。