双折射双频激光器频差特性分析

用激光原理和晶体光学原理分析了腔内加旋光晶体输出光的频差特性，分析表明：当晶片旋转时，理论计算的频差永远小于晶体两本征模通过晶片位相差所决定的频差，有一特殊因子Ｇ＾２起作用。Ｇ＾２的物理意义是激光本征模在晶体两本征模上的投影比平方。这表明一个激光本征模在通过晶体时是部分以快模形式，部分以慢模形式，实际位相延迟介于两者之间，由于两者都介于快模和慢模之间，因而实际频差小于由快模和慢模决定的频差，理论计     

GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价

本文对GaAs光电阴极片UHV系统中原子级表面清洁方法做了研究,它们是:光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法,表面清洁效果用装于UHV系统中间在线俄歇检测,表面质量用Aa/GaAuger峰高进行比较,指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法:CS-离子轰击加退火法和热子背加热法。     

催化动力学光度法测定微量钴的研究

在ｐＨ＝４．０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，在避光条件下，钴对无色的Ｆｅ（Ⅲ）－联吡啶配合物还原成红色的Ｆｅ（Ⅱ）－联吡啶配合物有较强的催化作用。据此本文建立了微量钴的新催化动力学光度法，对钴的线性范围为０～１．０μｇ／ｍＬ Ｃｏ，检测限为０．０１８μｇ／ｍＬ。本法选择性较好，多数离子均允许大量存在。本法测定了维生素Ｂ１２及分子筛中的钴，获得满意的分析结果。并对钴的催化机理作了初步探讨。     

自治泛函微分方程的不变性原理

本文改进了具无限时滞的自治泛函微分方程的不变性原理．作为所得结果的一种应用，建立了关于渐近稳定性的一个判别准则．并且，给出例子来说明所得的稳定性结果．     

焦耳定律示教板的制作

焦耳定律是初中物理教材中的难点之一。多年来由于没有教具而不能定量讲述,学生对焦耳定律理解不深。特别是对通电导体产生的热量和电流强度的平方成正比更难理解。为此我们对此实验进行了研究,制成了焦耳定律示教板。在课堂中演示效果明显,数据准确现将示教板的制作方法介绍如下。供大家参考。     

ODA_H_2O_2-HRP偶合反应伏安酶联免疫分析检测植物病毒GFV、TAV和PVY

将邻联茴香胺（ＯＤＡ）＿Ｈ２Ｏ２＿辣根过氧化物酶（ＨＲＰ）偶合反应伏安酶联免疫分析新体系，应用于植物病毒葡萄扇叶病毒（ｇｒａｐｅｖｉｎｅｆａｎｌｅａｆｖｉｒｕｓ，ＧＦＶ）、番茄不孕病毒（ｔｏｍａｔｏａｓｐｅｒｍｙｖｉｒｕｓ，ＴＡＶ）和马铃薯Ｙ病毒（ｐｏｔａｔｏｖｉｒｕｓＹ，ＰＶＹ）的测定。该法对以上各种植物病毒叶澄清液的测定的稀释比均高于酶联免疫吸附分析（ＥＬＩＳＡ）法，检测范围均宽于ＥＬＩＳＡ法。     

ICP-AES测定土壤中钡、铬和锰含量的不确定度评定

电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定土壤中钡、铬和锰含量的不确定度主要来源于样品称量、样品消解液定容体积和测定样品消解液中各元素的浓度,对这些分量进行了量化计算。土壤中钡、铬和锰的质量分数可分别表示为218.5±17.1,342.5±40.4,1468.9±47.1mg/kg。影响各元素含量测量不确定度的主要因素是测量样品消解液中各元素的浓度引起的不确定度。     

Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of （001）-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of （100） reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa.