有偏压的光伏光折变晶体中屏蔽光伏孤子的自偏转

修正了有偏压的光伏光折变晶体中屏蔽光伏孤子的理论。用微扰法研究了屏蔽光伏孤子的自偏转，得出孤子光呸中心的运动为抛物线，并且空间频率分量随传播距离而线性移动，改变外偏压或旋转光的偏振方向可以控制其自偏转。当光伏效应可忽略时，屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为屏蔽孤子的非线性波动方程，它的自偏转就转化为屏蔽孤子的自偏转。当外偏压为零时，屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为光伏孤子的非线性波动方程，它的自偏转证明了光伏孤子中也存在着自偏转。     

CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应

实现金刚石薄膜的异质外延是目前ＣＶＤ金刚石薄膜制研究的主要奋斗目标，而直流负偏压增强金刚石成核法被认为是达到这一目标的有效途径。文章简要评述了微波等离子体ＣＶＤ制备金刚石薄膜中的直流负偏压增强成核法，以及由此而发展的直流正偏压增强成核法和叠加交流成分的直流负偏压增强成核法，介绍了它们在异质外延金刚石薄膜中的应用。     

HL—1装置偏压电极类H模能量约束时间研究

能量约束时间是衡量环流器等离子体约束性能的重要参数。分析表明，在加偏压电Ｌ模过渡到类Ｈ模的过程中，如果等离子体的辐射损失功率与总损失功率之比显著变化，则扣除辐射损失的能量约束时间的增量是一种更好的衡量约束得到改善的尺度。在这种考虑之下，我们讨论ＨＬ－１等离子体偏压电极Ｌ模－类Ｈ模过的能量约束及电子热传导特性。     

Effect of Bias on Content of GeC in Ge1-xCx Films

Ge1-x Cx films with GeC content up to 11.6% can be prepared by using a medium frequency magnetron sputtering technique in our study. X-ray photoelectron analysis for these Ge1-x Cx films shows that the Ge1-x Cx films consist of C, Ge, GeC and GeOy. The content of GeC increases from 10.7% at 0 V to 11.6% at 250 V, and decreases to 9.6% at 350 V, and then increases again to 10.4% at 450 V. The Raman analysis confirms the result of XPS for checking GeC in the deposited Ge1-x Cx films. The related mechanism is discussed.     

感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究

为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀，研究了对InP材料基于Cl₂/BCl₃气体的感应耦合等离子体刻蚀. 从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理，发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀，平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动，从而在近203 V偏压下得到陡直的侧壁. 在优化气体组分后，成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀. 关键词： 光子晶体 InP/InGaAsP 感应耦合等离子体 2/BCl₃')" href="#">Cl₂/BCl₃ 低偏压刻蚀     

汞溴红敏化TiO2纳米多孔膜电极的光电化学性质研究

用汞溴红(Mercurochrome)作敏化剂敏化TiO2纳米多孔膜电极,UV-Vis,光电流作用谱和SPS谱表明,该敏化剂能有效地敏化TiO2电极,并且染料聚集体能扩大染料的敏化区间,增加了太阳光的利用效率,对电极施加不同的偏压,测试电极产生的瞬态光电流,研究了偏压对光生电荷转移及复合速率的影响,从不同方向照射电极,对阳极光电流影响显著,结合电化学、光电化学原理对这些现象进行了讨论.     

偏压隧道二次应力场分析及应用

详细分析了倾斜地表下岩体的应力状态,通过分解叠加的等效原则解出一般条件下围岩的二次应力解析解,并探讨该应力场的特性,结合黄土岭隘道工程,将解析值与实测数据进行对比分析,理论分析与实测结果符合良好。     

Forward and reverse electron transport properties across a CdS/Si multi-interface nanoheterojunction

The electron transport behavior across the interface plays an important role in determining the performance of op- toelectronic devices based on heterojunctions. Here through growing CdS thin film on silicon nanoporous pillar array, an untraditional, nonplanar, and multi-interface CdS/Si nanoheterojunction is prepared. The current density versus voltage curve is measured and an obvious rectification effect is observed. Based on the fitting results and model analyses on the forward and reverse conduction characteristics, the electron transport mechanism under low forward bias, high forward bias, and reverse bias are attributed to the Ohmic regime, space-charge-limited current regime, and modified Poole-Frenkel regime respectively. The forward and reverse electrical behaviors are found to be highly related to the distribution of inter- facial trap states and the existence of localized electric field respectively. These results might be helpful for optimizing the preparing procedures to realize high-performance silicon-based CdS optoelectronic devices.     

脉冲偏压电弧离子镀CNx薄膜研究

用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CN_x薄膜.用光学显微镜,XPS,XRD,激光Raman和Nanoindenter等方法研究了薄膜的形貌、成分、结构和性能.结果表明,薄膜表面平整致密、氮含量随着氮流量的降低而降低、结构为非晶且为类金刚石薄膜;随着氮含量从18.9%降低到5.3%(摩尔百分比,全文同),薄膜的硬度和弹性模量单调增加而且增幅较大,其中硬度从15.0 GPa成倍增加到30.0 GPa;通过氮流量的调整能够敏感地改变薄膜中的sp³键的含量,是CN_x薄膜的硬度和弹性模量获得大幅度调整的本质原因. 关键词： x薄膜')" href="#">CN_x薄膜 脉冲偏压 电弧离子镀 硬度     

微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明：在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC＋AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(＋DC＋AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电 关键词： 等离子体 光发射谱 衬底偏压 辉光功率