偏压隧道二次应力场分析及应用

详细分析了倾斜地表下岩体的应力状态,通过分解叠加的等效原则解出一般条件下围岩的二次应力解析解,并探讨该应力场的特性,结合黄土岭隘道工程,将解析值与实测数据进行对比分析,理论分析与实测结果符合良好。     

超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理

对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应力条件变为PBT时，陷落的空穴可以快速退陷，但只有部分氢分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝化硅悬挂键，这就导致了PBT条件下阈值电压只能部分恢复. 关键词： 超深亚微米PMOS器件 负偏压温度不稳定性 界面陷阱 氢气     

汞溴红敏化TiO2纳米多孔膜电极的光电化学性质研究

用汞溴红(Mercurochrome)作敏化剂敏化TiO2纳米多孔膜电极,UV-Vis,光电流作用谱和SPS谱表明,该敏化剂能有效地敏化TiO2电极,并且染料聚集体能扩大染料的敏化区间,增加了太阳光的利用效率,对电极施加不同的偏压,测试电极产生的瞬态光电流,研究了偏压对光生电荷转移及复合速率的影响,从不同方向照射电极,对阳极光电流影响显著,结合电化学、光电化学原理对这些现象进行了讨论.     

GFRP管约束钢管混凝土加劲混合柱偏压力学性能试验研究

为改善钢管混凝土加劲混合构件因钢管内外混凝土存在力学差异，组合效应较低的不足，采用玻璃纤维增强复合材料(GFRP)管对其进行约束，研究了GFRP管约束钢管混凝土加劲混合柱(FCECFST)的偏压力学性能，将FCECFST与普通钢管混凝土加劲混合柱、GFRP管约束钢筋混凝土柱和钢管混凝土柱进行偏压试验对比，通过荷载-变形曲线、侧向挠度分布曲线和荷载-应变曲线剖析了试件破坏机理。研究结果表明：FCECFST偏压破坏以环向纤维断裂为标志；相比其他3种组合构件，FCECFST荷载-变形曲线峰值更高且下降段更平缓，表现出良好的极限承载力、抗弯刚度、延性性能和耗能能力；GFRP管对外围混凝土约束作用明显，对试件偏压力学性能影响显著。     

偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响

利用空心阴极放电等离子体源在Si（100）单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜．薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑，用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究．在拉曼光谱中可以看到典型的G，D和C=N键的峰．当偏压为250V时．薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失，此时薄膜的N／C比达到了0．81．通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C—C，sp^2 CN和sp^3 CN键的组分也发生了明显的变化．当偏压为250V时薄膜的sp^3 CN相的含量达到了最大值为40％，同时氮含量也达到了最大值．实验结果给出了直接的证据：薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制．     

Airy传递矩阵法与偏压下多势垒结构的准束缚能级

使用Airy函数和传递矩阵方法精确计算了一维定态薛定谔方程，并推广到多势垒结构，求解出有/无偏压作用的2,3势垒结构的准束缚能级，进一步研究了有/无偏压作用的2,3势垒结构的准束缚能级与有效质量和外加电压的关系，并对结论的正确性进行了验证． 另外，文中 还指出了有些文章中关于Airy传递矩阵法与计算偏压下多势垒结构的准束缚能级的错误陈述 . 关键词： 准束缚能级 有/无偏压作用的多势垒结构 Airy函数 透射系数     

栅网与偏压对CHF3电子回旋共振放电等离子体特性的影响

研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积系统中栅网的增加和栅网上施加+60V和-60V偏压对CHF₃放电等离子体特性的影响.发现在低微波功率下栅网与偏压对等离子 体中基团分布的影响较大，而高微波功率下的影响逐渐减小.这是由于低微波功率下等离子体中电子温度较低，基团的分布同时受栅网鞘电场和电子碰撞分解的共同作用；而高微波功率下电子温度较高，栅网鞘电场的作用减弱，基团分布主要取决于电子碰撞分解作用. 关键词： 电子回旋共振放电 3分解')" href="#">CHF₃分解 栅网 偏压     

石墨烯折角场发射特性EI北大核心CSCD

针对直立的石墨烯边沿悬挂键易吸附气体分子,影响发射稳定性的问题,本文将石墨烯转移到墙状绝缘结构上,获得石墨烯折角.结合电感耦合等离子体刻蚀和湿法腐蚀法在硅衬底上制得墙状绝缘结构,以石墨烯折角作为场发射尖端,测试研究了石墨烯折角的场发射特性和石墨烯中内导电流对场发射的影响.结果表明:石墨烯折角的场发射开启场强为9.6V/μm;在2 000V阳极电压下,当石墨烯两端偏压从0V增加到10V时,场发射电流从4.5μA增加到15μA.     

有偏压的光伏光折变晶体中屏蔽光伏孤子的自偏转

修正了有偏压的光伏光折变晶体中屏蔽光伏孤子的理论。用微扰法研究了屏蔽光伏孤子的自偏转，得出孤子光呸中心的运动为抛物线，并且空间频率分量随传播距离而线性移动，改变外偏压或旋转光的偏振方向可以控制其自偏转。当光伏效应可忽略时，屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为屏蔽孤子的非线性波动方程，它的自偏转就转化为屏蔽孤子的自偏转。当外偏压为零时，屏蔽光伏孤子的非线性波动方程就转化为光伏孤子的非线性波动方程，它的自偏转证明了光伏孤子中也存在着自偏转。     

CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应

实现金刚石薄膜的异质外延是目前ＣＶＤ金刚石薄膜制研究的主要奋斗目标，而直流负偏压增强金刚石成核法被认为是达到这一目标的有效途径。文章简要评述了微波等离子体ＣＶＤ制备金刚石薄膜中的直流负偏压增强成核法，以及由此而发展的直流正偏压增强成核法和叠加交流成分的直流负偏压增强成核法，介绍了它们在异质外延金刚石薄膜中的应用。