源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键 关键词： 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

Eu,Dy共掺杂SrAl2O4长余辉材料制备新工艺

活化Al-Sr合金粉末水解制备SrAl₂O₄长余辉材料的前驱体,并采用高温固相反应法制备出Eu,Dy共掺杂的SrAl₂O₄长余辉材料,对其微观结构和发光特性进行了研究。实验结果表明:前驱体中Al、Sr元素在微观状态下分布均匀,所制成的长余辉发光材料的发射主峰位于520nm附近,为典型的Eu²⁺离子4f5d-4f的特征发射,初始亮度达到18cd/m²,余辉时间长达46h。     

CoNiZ系列合金的结构和马氏体相变性质

利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质.     

高反射率p-GaN欧姆接触电极

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

电沉积富铁Fe-Ni合金箔工艺的研究

对硫酸盐-氯化物电解液中电沉积富铁Fe-Ni合金箔的工艺进行了研究,讨论了电解液组成、电流密度、温度及pH值等因素与合金箔组成之间的相互关系,得到了制备富铁合金箔的最佳镀液组成及工艺条件,并通过实验确定在阴阳极比为1:2时,镍铁联合阳极配比为1.5:1.通过扫描电镜,能谱和X-衍射对富铁Fe-Ni合金箔的形貌及结构进行分析表明合金箔晶粒细致,尺寸均匀,结构紧密,表面光滑平整,无孔洞和裂纹,晶粒结构为(111),(200),(311)及(222)织构,并表现为较强的(111)择优取向.     

液体和非晶态Ni64B36合金结构的从头算分子动力学模拟

运用从头算分子动力学模拟了液体以及猝冷后形成的非晶态Ni₆₄B₃₆合金体系, 得到了它们的对相关函数、结构因子、键对分析方面的结构信息, 与实验结果相当一致; 结果表明, 猝冷得到的合金性质与液体合金性质相似, 为非晶态结构. B原子多数以B—B双原子成键形式分散于Ni原子构成的骨架中. 电子态密度分析表明, Ni 3d电子最活泼, 因此在合金中Ni为活性位. 轨道电荷分析从电子结构角度揭示了在NiB 催化剂中B作为修饰剂的机理.