基于周期极化钽酸锂晶体的光参变振荡器技术研究

对基于周期极化钽酸锂(PPLT)晶体的光参变振荡器(OPO)技术进行了理论分析和实验研究,通过三波混频耦合波方程组,计算了PPLT-OPO的波长调谐曲线.分别研究了信号光单谐振结构(SSRO)和闲频光单谐振结构(ISRO)下,PPLT-OPO的中红外激光输出特性.当Nd:YAG激光器输出的1.064 μm激光抽运功率为...     

一类矩阵方程的公共解

By applying the GSVD of matrix pairs,we discuss common solutions of the matrix equations AXC = E, BXD = F, AXD = G, BXC = H, under consistent and nonconsistent case respectively. We also discuss common symmetric solutions of the matrix equations AXA^T = E, BXB^T = F, AXB^T = G, BXA^T = H under consistent and nonconsistent case respectively. The necessary and sufficient conditions for the existence and the expressions of solutions of these matrix equations are provided.     

数值积分的双侧逼近及应用

通过分析基本数值求积公式的双侧逼近现象,利用加权平均的方法构造出了比原来求积公式至少高二次代数精度新的混合型求积公式,使得积分近似值精度得到大幅度提高,并给出应用它们求数值积分的具体实例.     

矩阵方程ATXA=C的双对称最小二乘解的最佳逼近

1引言根据矩阵分解理论求解线性矩阵方程的问题已经有多位作者研究([2],[3],[5]-[11]),比如文[6],[7],[9]基于GSVD、CCD方法给出了几个矩阵方程的最小二乘解以及方程(组)相     

一种高分子紫外光吸收剂的合成研究

以2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、聚缩醛和哌嗪为原料,在乙二醇二甲醚溶剂中,经Mannich反应合成1,4-二[2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三氮唑]哌嗪,确定了较佳缩合工艺条件。考察了物料配比、反应温度和时间对反应收率的影响,并经过正交实验,确定了反应的最佳工艺条件:在乙二醇二甲醚溶剂中,反应温度95℃,反应时间为24 h,n(2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑)/n(HCHO)/n(哌嗪)=1.0∶1.5∶0.7,产品收率为82%,纯度98%(HPLC面积归一化法)。产品结构经IR、MS和1H-NMR表征。     

基于双缘调制的数字电压型控制Buck变换器离散迭代映射建模与动力学分析

建立了双缘调制数字电压型控制Buck变换器的离散迭代映射模型. 在该模型的基础上, 详细研究了双缘调制数字电压型控制Buck变换器的非线性动力学行为. 以输入电压、负载电阻等电路参数作为分岔参数, 绘制了输出电压和电感电流的分岔图, 并通过分岔图的分析发现了两种相似却又不同的Hopf分岔现象. 采用庞加莱截面、时域仿真波形和相轨图, 对比分析了两种不同的Hopf分岔和低频振荡现象, 并引入离散迭代映射模型的雅克比矩阵的特征值分析方法, 从理论上证明了两种Hopf分岔的存在性和差异性. 首次观察到基于双缘调制的数字电压型控制Buck变换器出现了奇数倍周期分岔现象, 并通过时域仿真波形和相轨图验证了该现象的真实性. 为更加接近实际电路, 考虑电容和电感的等效串联电阻, 使用Psim进行仿真, 其结果与理论仿真结果基本一致, 验证了理论仿真的正确性.     

对称型二烷氨基蒽醌的三阶非线性光学性质研究

研究了对称型二烷氨基蒽醌的三阶非线性光学性质。通过三维简并四波混频实验对１１种低浓度溶液样品的测试，其三阶非线性极化率｜χ（３）｜达１．８～３．４×１０－１３ｅｓｕ，分子的三阶非线性超极化率γ达１．９～３．５×１０－３１ｅｓｕ。讨论了分子结构对三阶非线性光学性质的影响。     

微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化，探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明，在衬底温度为200 ℃，电极间距为2 cm，沉积气压为6.66×1０² Pa，射频功率密度为0.22 W/cm²，氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下，在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型，微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长. 关键词： X射线掠角反射 微晶硅薄膜 表面粗糙度 生长机制     

人工神经网络吸光光度法同时测定钛和铌

确立了钛 4,5-二溴邻硝基苯基荧光酮 - CTMAB显色体系 ,在此基础上确立了钛和铌同时测定的显色体系 ,应用三层 ANN- BP网络解析钛和铌吸收光谱 ,吸光光度法同时测定铌和钛。方法选择性好 ,表观摩尔吸光系数 εTi557=1 .2 4× 1 0 5L· mol-1· cm-1,εNb54 0 =1 .63× 1 0 5L· mol-1·cm-1。对合金钢中铌和钛进行了同时测定 ,钛和铌的平均相对误差分别为 1 .30 %和 1 .0 8%。使用改进的 BP算法 ,避免了可能产生的麻痹现象。提出了便于网络参数选择的收敛评价函数。     

基于错流过滤原理的微流控细胞分离芯片的研制

首次提出并制备了一种错流过滤式细胞分离微流控芯片.