三元杂质砷锑钴对锌电沉积阴极过程的影响

采用电化学研究方法探讨了在锌电积过程中砷、锑、钴杂质对阴极极化过程的单一和共同影响,得出了单一杂质和三元杂质对锌电积过程影响的动力学方程及参数,并对其极化机理进行了研究.结果表明,含一元杂质的ZnSO4/H2SO4溶液的动力学参数与理论值基本一致,而含三元的ZnSO4/H2SO4溶液的传递系数α要比理论值小,说明杂质的存在及其含量的大小、品种的多少对锌电积影响程度不同.     

稳定同位素稀释-超高效液相色谱-串联质谱法快速测定植物油中16种真菌毒素

建立了稳定同位素稀释-超高效液相色谱串联质谱法简单、快速、高效地检测植物油中16种真菌毒素的方法。植物油经乙腈-水-乙酸(84∶15∶1,V/V)提取并离心后,上清液用水1∶1(V/V)稀释,高速低温离心去除油脂,过膜后,加入稳定同位素内标补偿基质效应干扰,以五氟苯色谱柱为分离柱,用甲醇和含有0.1%(V/V)甲酸的1 mmol/L乙酸铵溶液进行梯度洗脱,超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)检测,内标标准曲线法定量测定植物油中的16种真菌毒素。16种真菌毒素的线性相关系数均大于0.9994,检出限为0.1~66.7μg/kg,定量限为0.3~200.0μg/kg。4种不同植物油基质中,3个浓度水平的加标回收率为74.2%~105.6%,相对标准偏差为0.3%~13.9%。采用本方法检测了市售38个植物油样品中的真菌毒素。本方法简便、快速、可靠,可用于植物油中16种真菌毒素的快速准确检测。     

氟碳链修饰酰基氧化膦长波吸收光引发剂的研究

以2,4,6-三甲基苯甲酰基膦酸乙酯(TPO-L)、全氟辛基乙基醇、草酰氯为原料合成了2,4,6-三甲基苯甲酰基膦酸全氟辛基乙酯(TPO-F)光引发剂。利用核磁共振(1 HNMR、19FNMR)和红外光谱(FT-IR)对TPO-F进行结构表征;通过紫外吸收光谱测定了TPO-F的最大吸收波长,与TPO-L的吸收曲线类似,但长波范围的摩尔吸光度略高;光引发剂溶液分层吸光度测试表明,TPO-F具备显著迁移富集特征,有助于表面氧阻聚的解决。在氮气氛围下,通过光-差示扫描量热仪(Photo-DSC)对TPO-F进行了光聚合反应动力学研究,探究了光强、引发剂浓度对单体双键的转化率和最大聚合速率的影响。在空气氛围下,通过差示扫描量热仪(DSC)考察了光引发剂的抗氧阻聚性能。研究表明,TPO-F光引发效率显著高于TPO-L,二者组合可进一步提升光引发效率。本研究为后续UV LED光固化技术中存在的氧阻聚瓶颈问题提供了解决途径。     

磷锗锌光学参量振荡器技术研究

 报道了一台高重复频率2 mm光学参量振荡器泵浦的磷锗锌光学参量振荡器。磷锗锌晶体(ZnGeP₂，简称ZGP)采用Ⅰ类相位匹配方式，切割角度q为55°，f为0°，尺寸5.5 mm×6 mm×18 mm，在4.0 kHz重复频率下，当注入5.2 W的2 mm圆偏振光时，获得310 mW中红外输出，p偏振态2 mm到3～5 mm光-光转换效率12%。通过调节晶体的角度，实验获得ZGP光学参量振荡器的波长调谐曲线，在误差范围内与理论变化规律相符。     

不同形貌的ZnMn复合氧化物制备及电化学性能研究

通过简单共沉淀法和高温煅烧制备了不同形貌的ZnMn复合氧化物,并将其作为铝空气电池空气电极催化剂。采用XRD和SEM等手段表征其物相结构、形貌,同时采用阴极极化曲线、交流阻抗、塔菲尔曲线和恒电流放电等电化学测试手段,研究了三种不同形貌的ZnMn复合氧化物作为催化剂在铝空气电池中的性能。结果表明：球形ZnMnO3作为铝空气电池催化剂较不规则絮状和刺球形,表现出更好的催化性能、氧还原性能、导电性能和更高的放电电压平台。     

粮食中呕吐毒素含量的免疫亲和柱净化超高效液相色谱法快速测定

建立了免疫亲和柱净化/超高效液相色谱法快速测定粮食中呕吐毒素(DON)的检测方法.样品经纯水提取后,用免疫亲和柱净化、浓缩,Waters Acquity UPLC BEH C18(2.1 mm×50 mm,1.7 μm)色谱柱分离,以甲醇-水(10:90)为流动相,流速为0.1 mL/min,进样量1μL,用Acqui...     

含偶氮侧基的非线性光学聚酰亚胺的合成及取向稳定性

通过硝基苯重氮氟硼酸盐与大分子聚酰胺酸在有机溶液中偶合,合成了２种新的含偶氮侧基的非线性光学聚酰亚胺,用紫外可见吸收光谱法测定了取向稳定性,用一维刚性取向气体模型估算了聚酰亚胺极化膜的非线性光学系数Ｘ＾（２）,这些聚酰亚胺具有高的玻璃化转变温度和好的热取向稳定性。     

改良拜耳法制备超细片状α-Al2O3

为对冶金级氧化铝生产工艺进行优化,采用改良拜耳法生产利润更高的片状α-Al2O3。讨论分析了铝酸钠溶液除杂、球形晶种强化碳分聚附、水热深度脱钠及在添加AlF3晶种条件下煅烧对制备片状α-Al2O3的影响。通过XRF、XRD和SEM对产物的成分、物相及形貌进行了分析,结果表明:除杂过程中工业氢氧化铝、氧化钙、草酸钠添加量分别为45、10、10g/L时杂质铁、硅、镁、锌、钙的含量分别降至15、50、18、15、5.2 ppm;强化碳分聚附中添加少量的球形晶种,溶液的分解率达到92%以上,产物粒度降低且分布均匀;水热深度脱钠中降低pH促进三水铝石向一水软铝石转化的过程更加彻底,且在pH=1时Na2O含量低至0.0163%;在850℃下对洗涤后的水热产物煅烧4h,当AlF3晶种添加量为2%,可得纯度大于99.96%,形貌规则的超细片状α-Al2O3。     

An AlGaN/GaN HEMT with enhanced breakdown and near-zero breakdown voltage temperature coefficient

An AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT) with a novel source-connected air-bridge field plate (AFP) is experimentally verified. The device features a metal field plate that jumps from the source over the gate region and lands between the gate and drain. When compared to a similar size HEMT device with conventional field plate (CFP) structure, the AFP not only minimizes the parasitic gate to source capacitance, but also exhibits higher OFF-state breakdown voltage and one order of magnitude lower drain leakage current. In a device with a gate to drain distance of 6 μm and a gate length of 0.8 μm, three times higher forward blocking voltage of 375 V was obtained at V_GS=-5 V. In contrast, a similar sized HEMT with CFP can only achieve a breakdown voltage no higher than 125 V using this process, regardless of device dimensions. Moreover, a temperature coefficient of 0 V/K for the breakdown voltage is observed. However, devices without field plate (no FP) and with optimized conventional field plate (CFP) exhibit breakdown voltage temperature coefficients of -0.113 V/K and -0.065 V/K, respectively.     

西门子CVD还原炉辐射换热数值模拟

本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟.应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,相对误差为7.1;,表明传热模型准确可靠.基于DO离散坐标辐射模型,详细分析了硅棒与反应器壁间的辐射换热情况,探讨了硅棒生长过程中内、外环硅棒辐射能的变化趋势以及不同器壁发射率对还原炉内辐射能的影响.结果表明:辐射换热是硅沉积过程最主要的热量传递形式;外环硅棒的辐射能远大于内环硅棒的辐射能,并且外环硅棒的辐射能随硅棒直径的增大而增大;硅棒辐射能随着反应器壁材料发射率的增大而增大,并采用典型工况数据,计算了不同反应器壁材料发射率条件下的产品单位质量理论能耗.