关于辛醇吸附在汞电极上的微分电容曲线

近来,本文作者发现在1N Na_2SO_4 及其用正庚醇饱和的溶液中所测得的汞电极微分电容曲线和Grahame经典文献中数据不符。经过仔细分析,发现Grahame文中有关曲线的电势横坐标不应是原文中的“相对于当量甘汞电极,而应换成“相对于当量硫酸亚汞电极”。改正以后,Grahame和本文作者的结果符合良好(见下图)。     

偏振调制双光子光谱理论计算

本文从密度矩阵运动方程出发,推导出当各种不同偏振调制激光场与三能级粒子系统相互作用时,同核双原子分(具近共振中间能波)单重电子态之间的双光子跃迁所产生的荧光信号强度和线型.对比偏振调制的与光子强调制的信号强度和线型时,表明:偏振调制双光子光谱(PMTPS)不仅能消除由吸收同一光束的同向双光子所产生的多普勒加宽背景,极大地提高光谱分辨率;而且不同电子态之间跃迁的O、P、Q、R、S支谱线强度与激光偏振状态有关,可借以标识分子的高激发电子终态和转动能级,有选择地简化复杂的分子光谱.可以预期,PMTPS是研究分子光谱和高分辨率激光光谱极有用的一种技术.     

八种腐植酸的~1H和~(13)C核磁共振波谱

Schnitzer等把~1H-NMR和~(13)C-NMR技术用于腐植酸结构研究后,国内外学者又陆续发表了这方面的报告。本文对国内八种(1)东北黑土HA2)延庆泥炭HA3)德都泥炭HA4)吐鲁番风化煤HA5)萍乡风化煤HA6)灵石风化煤HA7)灵石风化     

Er~(3+),Yb~(3+)共掺杂的NaYF_4荧光粉的制备及下转换发光研究

采用高温固相法合成了Er3+、Yb3+共掺杂的NaYF4荧光粉。XRD测量数据表明合成的样品为纯相。测量了样品的激发谱和发射谱,证明377 nm的紫外光通过量子剪裁的形式将能量传递给一个Yb3+,发射一个975 nm的红外光子,再从4F9/2能级跃迁到基态发射一个红外光子。测量了377 nm激发下,监测541 nm的发光寿命曲线,计算得到最大的量子效率为126.35%。通过监测Yb3+的975 nm的近红外发射,证明了Er3+的4F7/2和2H11/2能级通过下转换的形式将吸收的485 nm和519 nm的能量传递给Yb3+。这种将Er3+在可见光波段的多种光子能量传递给Yb3+发射975 nm的近红外光子的思想在以前的研究中从未被提出。     

非线性光学晶体YCOB的性能表征

采用显微硬度计、差热扫描仪等表征手段开展了非线性光学晶体YCOB的硬度及热学等相关性能的测量。结果表明YCOB晶体在(100)、(010)及(001)三个方向上的硬度的各向异性较小,有利于YCOB晶体的后期加工。其在330K时的比热容为0.74J·g-1·K-1,经过计算,其在主轴化方向上的热导率分别为1.74,2.16及3.08W·m-1·K-1,具有比较适中的热导率。     

三维光存储中折射率失配引起的球差补偿

为实现三维光存储中折射率失配引起的球差补偿,建立了光学存储系统模型,获得了折射率失配引起的波前偏差函数与存储深度的表达式.采用泽尔尼克循环多项式对波前偏差函数进行补偿展开.在双光子荧光和单光子共焦荧光读出方式下,均可获得读出荧光强度与存储深度的关系:在折射率失配引起的球差未得到补偿矫正的情况下,存储深度在200 μm左右读出荧光强度基本上下降为零;当折射率失配引起的初级球差被补偿矫正后,读出荧光强度随存储深度的下降得到较好改善;当折射率失配引起的二级球差被补偿矫正后,存储深度在1 mm内存储点强度随深度基本上没有明显地变化.并且对像差补偿方法进行了具体地分析.     

导弹超声速尾退分离干扰特性试验

超/高超声速尾退分离在防热、保形、隐身、多次投放、回收等方面具有明显优势,有望成为高超声速飞行器载荷投放的优选方案。由此面临一类新的多体分离问题:超/高超声速尾退分离问题（aft super/hypersonic ejection separation,ASES）。超/高超声速尾退分离问题本质上是带空腔底部流动与多体分离构成的耦合问题,具有流场结构复杂、气动非定常非线性非对称效应显著的特点。针对超声速尾退分离问题,采用网格测力和轨迹捕获（captive trajectory system,CTS）风洞试验方法探索了尾退分离干扰流场的结构,发现可根据流场结构和舵效变化分为低速-亚声速无激波、高亚声速-跨声速弱激波、超声速激波和准自由流弱干扰4种典型干扰特征,揭示了尾流场影响后不同区域的全弹气动特性和舵效特性以及控制律、攻角、高度和Mach数对分离位移和姿态的影响规律。相关结论将有助于增强对尾退分离问题的认识,对尾退分离技术的工程实践具有参考价值。      

Edge assisted epitaxy of CsPbBr3 nanoplates on Bi2O2Se nanosheets for enhanced photoresponse

Bi$_{2}$O$_{2}$Se has been proved to be a promising candidate for electronic and optoelectronic devices due to their unique physical properties. However, it is still a great challenge to construct the heterostructures with direct epitaxy of hetero semiconductor materials on Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheets. Here, a two-step chemical vapor deposition (CVD) route was used to directly grow the CsPbBr$_{3}$ nanoplate-Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheet heterostructures. The CsPbBr$_{3}$ nanoplates were selectively grown on the Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheet along the edges, where the dangling bonds provide the nucleation sites. The epitaxial relationships between CsPbBr$_{3}$ and Bi$_{2}$O$_{2}$Se were determined as ${[200]}_{\rm Bi_{2}O_{2}Se}||{[110]}_{\rm CsPbBr_{3}}$ and ${[110]}_{\rm Bi_{2}O_{2}Se}||{[200]}_{\rm CsPbBr_{3}}$ by transmission electron microscopy characterization. The photoluminescence (PL) results reveal that the formation of heterostructures results in the remarkable PL quenching due to the type-I band arrangement at CsPbBr$_{3}$/Bi$_{2}$O$_{2}$Se interface, which was confirmed by ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) and Kelvin probe measurements, and makes the photogenerated carriers transfer from CsPbBr$_{3}$ to Bi$_{2}$O$_{2}$Se. Importantly, the photodetectors based on the heterostructures exhibit a 4-time increase in the responsivity compared to those based on the pristine Bi$_{2}$O$_{2}$Se sheets, and the fast rise and decay time in microsecond. These results indicate that the direct epitaxy of the CsPbBr$_{3}$ plates on the Bi$_{2}$O$_{2}$Se sheet may improve the optoelectronic performance of Bi$_{2}$O$_{2}$Se based devices.     

碰撞能量对反应Sr＋HF转动取向的影响

在推广LEPS势能面上,用经典轨线方法,研究了反应碰撞能量对反应Sr＋HF的转动取向的影响.计算结果与产物轨道角动量模型进行比较.计算结果表明,随着碰撞能量的增加,产物转动取向越强烈.