运算放大器一种新的分析方法

从入射阻抗ＺＡ和反馈阻抗ＺＢ的概念出发，借助网络的Ｙ参数导出可供计算机编程的电压增益（ＡＶ）的一般表达式，并引入实例进行理论分析．结果表明：这种方法不仅适用于分析单环和多环反馈型运算放大器电路，同时对设计多种新功能的运算放大器电路是十分有效的     

3的剩余类及应用

在82年数学通报第10期上,我曾建议中学生学习点初等数论基本知识。在此,我们介绍一些具体有趣的整数问题,这对于熟悉整数问题的思想方法是有益的。我们知道,整数被m除按余数可以分为m类,当m=2时,即分为{2k}(偶数)和{2k+1}(奇数)两大类,而当m=3时,则分为{3k},{3k+1},{3k+2}等三类。中学生对此并不难理解,但对这种分类的应用多数人却是陌生的。本文打算介绍3的剩余类的性质及一些有趣应用。有兴趣的读者不难自己将有关结果推广到m=4,5,…及一般剩余类的情形,再进一步学习整除理论、同余理论及初等数论中一些重要知识,就不会感到抽象费解了。 (一) 整数被3除的余数运算规律我们用余数0、1、2分别表示类{3k}、     

快速发光二极管的性能与分析

本文叙述了用于光通信快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光管的性能.其电带宽大于60MHz,光带宽在100MHz以上.在200mA辐射度为1017W/cm2·sr.尾纤输出超过160μw(NA=0.2).分析和讨论了影响辐射输出和调制能力的诸因素,并选取了最佳折衷方案.     

三元组合计数问题模型

三元组合计数问题模型４３１６００湖北麻城市一中甘超一高中教材里简单排列组合计数问题，通常可用“ｎ个小球放入ｍ个纸盒”的二元（球、纸盒）模型来描述．又按小球可否区分、纸盒容球数是否限制分为下述四个基本问题：１．ｎ个不同小球（可区分）任意放入ｍ个纸盒（每...     

高中应增加“整数”一章

我国目前中学生除了在小学课本上见到“约数、倍数和质数”等几个名词外,对整数性质几乎一无所知。对一些很简单的整数问题往往束手无策,这是很不正常的。为此建议在高中一年级代数中增加“整致”     

稀土冠醚类配合物的研究 ⅩⅩⅡ.异硫氰酸钪、钇与二苯并24冠8固态配合物的合成及性质

近年来,文献中已有关于冠醚腔径同稀土离子直径相差较大的稀土冠醚配合物的报道[1,2]。为了考查半径较小的稀土离子(Sc、Y)同腔径较大的冠醚之间的配位作用,探讨抗离子配位方式的特殊性,我们在非水介质中合成了腔径大于0.4nm的二苯并24冠8(DB24C8)与钪、钇异硫氰酸盐的固态配合物,并对其组成和有关性质进行了研究。     

伪辛空间的生成及其表现形式

通过对辛空间的深入分析和研究,从空间中的度量与向量的迷向性问题入手并展开较为详细的讨论,定义"伪辛"的概念,阐述"辛"概念的演变、扩充与伪辛空间生成的事实,进而揭示伪辛空间的本质属性及其与辛空间的内在联系与区别.论述过程同时给出了伪辛空间关于辛空间的内蕴和外延表示式.     

梯形箱梁剪力滞后效应的精细化分析

引入剪滞翘曲应力自平衡条件的影响,考虑了剪切变形和剪滞效应等因素,设置了三个不同的剪滞纵向位移差函数以准确反映梯形箱梁不同宽度翼板的剪滞变化幅度,提出了一种能对工程中常用箱梁静力学特性分析的精确解法。本文以能量变分原理为基础建立了薄壁箱梁的弹性控制微分方程和自然边界条件,获得了相应广义位移的闭合解。算例中,分析了不同荷载形式、跨宽比和悬臂板长度等因素对箱梁静力学特性的影响,结果显示出引入剪滞翘曲应力自平衡条件的必要性。     

高动态范围图像合成中相机响应函数的快速标定

针对高动态范围图像合成过程中相机响应函数标定速度低的问题,提出了一种快速有效的相机响应函数标定的方法.首先根据不同曝光度的图像在成像过程中场景照度保持一致的特性,提出构建一种新的最小平方代价函数,以降低相机响应函数标定方程组的维数;然后在保证标定方程组求解效率的前提下,根据不同曝光度图像的噪音分布,引入高斯加权函数,有效减小多曝光图像在高亮或过暗区域成像过程中引入的噪音,并利用稳健的QR分解算法提高标定方程组的求解速度;最后采用查表的方法,利用高斯加权函数完成场景照度的合成及相应的色调映射,得到能表现整个场景亮区和暗区细节的可视化图像.实验结果表明,与传统方法相比,本文算法在保证相机响应函数标定准确度的同时,具有计算量小、速度快的优点,可实现相机响应函数的快速标定,而且所获得的可视化图像主观效果有所提高,在便携式摄像设备上具有广泛的应用前景.     

高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的In_xGa_1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In_0.19Ga_0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 10¹⁸/cm³. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量. 关键词： InGaN 外延薄膜 射频等离子体辅助分子束外延 In 并入 晶体质量