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51.
采用固体径迹法并结合火花自动计数器读径迹数的方式测量弱中子场中的中子引发铀产生的裂变碎片,以此得到中子引发铀产生的裂变率。要获得绝对裂变率,需标定固体径迹火花自动计数器效率。 相似文献
52.
53.
运用激光光解与脉冲辐解技术, 对用于肿瘤治疗的鬼臼毒素(PPT)和依托泊甙(VP-16)的化学活性进行了详细的研究. 结果表明: 鬼臼毒素及VP-16经248 nm的激光激发可光电离, 且光电离的量子产额比较高, 有很强的光敏性, 而且还有多个活性基团分别与水合电子、氢原子、羟基自由基作用生成不同的瞬态粒子, 并推断出相应的反应机理. 为医学工作者进一步了解、利用鬼臼毒素和VP-16, 探讨其抗肿瘤机理提供科学的参考, 也为化学工作者进一步合成高效、低毒的抗肿瘤药物提供新思路. 相似文献
54.
The antitumor mechanism of etoposide (VP-16) is investigated using pulse radiolysis technology. The oxidizing mechanism of VP-16 is studied by sodium persulfate, and the reaction rate constant is 4.04× 109 L· mol-1 · s-1. The electron-transfer between VP-16 and tyrosine is observed and the reaction rate constant is 1.1 - 108 L · mol-1· s-1. 相似文献
55.
56.
开展D-D聚变中子与聚乙烯球壳作用的中子学积分实验,用于检验计算方法和相关核数据。实验装置由D—D中子源与聚乙烯球壳组成,中子源在聚乙烯球壳外,距球壳外表面35mm。聚乙烯球壳由两个半球壳组成,外径φ386mm,厚度100mm。聚乙烯球壳中心与靶心的轴线水平。 相似文献
57.
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45 nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
关键词:
k栅介质')" href="#">Hf基高k栅介质
稀土掺杂
氧空位缺陷
有效功函数 相似文献
58.
开展了钍样品装置内钍核参数的积分中子学基础研究.参考混合堆概念设计搭建了内部放置了钍样品的一维贫铀/聚乙烯交替系统装置,采用加速器D-T中子源模拟聚变堆芯,利用前期开发的离线伽马测量方法测定了不同位置、不同中子谱情况下的232Th(n,γ)反应率,不确定度约为5%.结果显示,聚乙烯对14.1 MeV中子的慢化作用可有效提升钍俘获率,且贫铀对钍俘获率也有显著提升作用.实验结果与主流核数据库计算结果的对比显示,ENDF/B-VI.6和JENDL-3.3数据库的计算值比实验值平均约大6%,而较新的ENDF/B-VII.0数据库的计算值比实验值平均约大4%.因此,相比于之前数据库的钍核数据,ENDF/B-VII.0的计算值与实验结果匹配得较好,可作为相关概念设计的推荐核数据库. 相似文献
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60.