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In metal-gate/high-k stacks adopted by the 45 nm technology node, the flat-band voltage (Vfb) shift remains one of the most critical challenges, particularly the flat-band voltage roll-off (Vfb roll-off) phenomenon in p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS) devices with an ultrathin oxide layer. In this paper, recent progress on the investigation of the Vfb shift and the origin of the Vfb roll-off in the metal-gate/high-k pMOS stacks are reviewed. Methods that can alleviate the Vfb shift phenomenon are summarized and the future research trend is described. 相似文献
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当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下, SiO2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要, 用高 k材料替代SiO2是必然选择. 然而, 由于高 k材料自身存在局限性, 且与器件其他部分的兼容性差, 产生了很多新的问题如界面特性差、 阈值电压增大、 迁移率降低等. 本文简要回顾了高 k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、 结构和工艺等方面采取的解决措施, 重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用, 并展望了未来的发展趋势. 相似文献
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随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45 nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
关键词:
k栅介质')" href="#">Hf基高k栅介质
稀土掺杂
氧空位缺陷
有效功函数 相似文献
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