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1.
利用永磁体对干簧管静态导通关断特性进行实验,包括:永磁体对干簧管的直线接近、异面直线接近、旋转接近,得出每种接近方式下的导通区、关断区和磁滞滞后区,以及每种接近的空间分布;利用空心线圈以方波激励干簧管通断,对干簧管的工作频率、导通时间、关断时间进行实验;最后得出结论。  相似文献   
2.
In metal-gate/high-k stacks adopted by the 45 nm technology node, the flat-band voltage (Vfb) shift remains one of the most critical challenges, particularly the flat-band voltage roll-off (Vfb roll-off) phenomenon in p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS) devices with an ultrathin oxide layer. In this paper, recent progress on the investigation of the Vfb shift and the origin of the Vfb roll-off in the metal-gate/high-k pMOS stacks are reviewed. Methods that can alleviate the Vfb shift phenomenon are summarized and the future research trend is described.  相似文献   
3.
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.  相似文献   
4.
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郑晓虎  黄安平  杨智超  肖志松  王玫  程国安 《物理学报》2011,60(1):17702-017702
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45 nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势. 关键词: k栅介质')" href="#">Hf基高k栅介质 稀土掺杂 氧空位缺陷 有效功函数  相似文献   
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