| 半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征 |
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| 引用本文： | 金世荣,郑燕兰,林 春,钟金权,李爱珍.半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征[J].物理学报,1998,47(1):131-138. |
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| 作者姓名： | 金世荣 郑燕兰 林 春 钟金权 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海 200050 |
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| 摘 要： | 在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型，线性比例系数I/I0实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数.
关键词：
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| 关 键 词： | 半导体 量子阱 自由激子荧光 PL TRPL |
| 收稿时间： | 1997-04-18 |
INTENSITY RELATIONSHIP BETWEEN EXCITATION AND THE STEADY-STATE PHOTOLUMINESCENCE OF FREE EXCITONS IN SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS |
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| JIN SHI-RONG,ZHENG YAN-LAN,LIN CHUN,ZHONG JIN-QUAN and LI AI-ZHEN.INTENSITY RELATIONSHIP BETWEEN EXCITATION AND THE STEADY-STATE PHOTOLUMINESCENCE OF FREE EXCITONS IN SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS[J].Acta Physica Sinica,1998,47(1):131-138. |
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| Authors: | JIN SHI-RONG ZHENG YAN-LAN LIN CHUN ZHONG JIN-QUAN and LI AI-ZHEN |
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