我国供给侧结构性改革创新驱动与评价研究

通过分析现有的文献资料,找出驱动因素,构建中国供给侧结构性改革的评价模型,并通过供给侧结构性改革评价模型与供给侧改革目标指标的灰色关联度分析,找到了中国供给侧结构性改革的驱动因素及改革中存在的问题及不足,并针对其提出了合理化建议.     

线性分式规划优化分析的元模型方法

1引言线性分式规划(LFP): min f(x)=(p~Tx α)/(q~Tx β) s.t. Ax=b (1) x≥0有着重要的应用背景,特别在经济管理中受到广泛关注．例如,以净收益率为优化目标函数的海洋运输问题;当价格系数为随机变量时,优化目标为获得满意的收益水平概率最大的资源分配问题等[11]．线性分式规划是一类特殊的非线性规划,除一般的非线性规划求解方法外,它还有一些特殊的专用算法．这里,我们要考虑的问题是;当右端资源约束向量在一定范围内(即L≤b≤U,L,U分别为b的下界和上界)变化时,目标函数的最优值如何变化?我们把这一问题称之为线性分式规划的优化分析．     

电感耦合等离子体质谱法测定花生中稀土元素

本文建立了微波消解-八极杆碰撞/反应池(ORS)电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)同时测定花生仁中的La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 14种稀土元素的分析方法。样品经微波消解后,在线加入103 Rh内标元素有效消除了非质谱干扰,选用八极杆碰撞/反应池技术有效地消除了质谱干扰。氦碰撞反应气流速为4.5mL/min时背景等效浓度(BEC)最低。结果表明,选择体积比4∶1的HNO3-H2O2体系微波消解充分,14种稀土元素的检出限小于0.0011ng/mL,相对标准偏差(RSD)低于2.60%。该方法具有简单、快速、准确的特点,可作为花生中稀土元素同时测定的可靠方法。     

外商直接投资与我国人才关系分析

近年来,我国外商直接投资不断上升,与此同时我国具有高额的国内储蓄和双顺差的国际收支,用来解释外商直接投资的双缺口理论已经不再显著有效.文章是从我国人才培养和形成角度,考察外商直接投资和我国人才增量直接关系,分析表明我国人才的培养和形成既符合我国的需求,也是外商直接投资的重要因素.     

用简并四波混频对聚[3''''-甲基-4''''-二(N,N-氧亚乙基)胺基-4-硝基偶氮苯癸二酰]薄膜三阶非线性光学性质、光信息储存及光致异构过程的研究

通过简并四波混频法（DFWM）对“聚［3’-甲基-4’一二（N，N-氧亚乙基）胺基-4-硝基偶氮苯癸二酰］”薄膜的三阶非线性光学性质进行了研究，测得其三阶非线性系数X[3]达到6．6×10－5esu．通过EFWM，测得样品有很强的光信息储存，另外通过对材料的光致异构过程的研究，测得在上升和下降过程中相位共轭光Ipc与时间t均满足确定的关系式，并与文中所推的理论相符．     

无模板剂液相合成Ni(OH)2花状微球

采用一种简单的无模板剂液相合成方法制备了Ni(OH)2花状微球. 该Ni(OH)2花状微球由几十个相互连接的纳米片组成, 为α-Ni(OH)2和β-Ni(OH)2的混合晶型. 当溶液的其它条件固定时, Ni(OH)2花状微球的微观形貌随Ni(Ⅱ)浓度的变化而显著变化. 当溶液中Ni(Ⅱ)浓度为0.03 mol/L时, 花状微球粒径分布较均匀, 平均粒径约为2 μm, 微球由花瓣长度约为400 nm、厚度约为60 nm的纳米片花瓣组成. 通过观察反应过程中Ni(OH)2花状微球的微观形貌的变化, 提出了Ni(OH)2花状微球的纳米团聚-表面生长-表面溶解的形成机制.     

灰色预测模型的再拓广

本通过用对数函数对原始数据列{x^(0)（k）}进行预测，又提出用幂函数对原始数据列进行变换，对提高离散数据的光滑度。在此基础上再将对数变换与幂函数交换两结合起来，产生一种新的变换——“对数函数—幂函数变换”，达到了进一步增加数据的光滑度，提高预测精度的目的。     

电磁场角动量守恒定律的又一例

处于外磁场中圆柱形带电体，当外磁场变化时，带电体将旋转，本文分别用电磁体系的能量守恒和角动量守恒对其进行讨论，说明它们的一致。     

北京谱仪数据的离线处理

本文介绍北京谱仪离线分析过程中数据生成的整个情况,包括事例过滤原则,重建的一般原理及物理分析(DST)数据的分类方法.通过一些典型的J/ψ衰变道的初步分析结果,展示北京谱仪已有的DST数据的首批物理信号.     

电子与钠原子散射的S, T, U参数研究

电子原子散射中的S，T，U参数可用来描述散射前后自旋状态的变化，研究精细结构水平上的散射激发振幅之间的关系，进而揭示电子原子碰撞过程中电子自旋-轨道耦合以及电子-电子交换等自旋相关效应.采用扭曲波玻恩近似计算了钠原子受电子散射S→P跃迁中的S，T，U参数，分析了多种入射能(2.2—60 eV)的电子与钠原子激发S→P跃迁过程的S,T,U参数随散射角的分布，其中对10 eV入射能的S_p参数与已报道实验数据符合一致.结果表明，较低能电子入射下的S,T,U参数随散射角的分布幅度和起伏都比较明显，入射能大于40 eV的电子入射，S,T,U参数的散射角分布变化很小. 关键词： 散射激发 S')" href="#">S T')" href="#">T U参数')" href="#">U参数 散射振幅 自旋相关效应