分组在多项式问题中显神通

分组是日常生活中常见的一种归类现象.灵活应用这种归类现象,一些多项式问题的解答可变得简易、迅捷.下面举例介绍,供参考.一、计算例1计算3(a+b)+4(a-b)-5(a+b)+2(a-b).分析a+b和a-b在原式中重复出现,应把含a+b和a-b的项分别分组.     

Clock recovery from NRZ data at 10 Gb/s using SOA loop mirror and mode-locked fiber ring laser based on SOA

All-optical clock recovery from non-return-to-zero (NRZ) data using an semiconductor optical amplifier (SOA) loop mirror and a mode-locked SOA fiber laser is firstly schematically explained and experimentally demonstrated at 10 Gb/s. Furthermore, the pulse quality of the recovered clock is effectively improved by using a continuous-wave (CW) assist light in the gain region of SOA, through which the amplitude modulation is reduced from 57.2% to 8.47%. This scheme is a promising method for clock recovery from NRZ data in the future all-optical communication networks.     

Shibor作为基准利率的实证研究

运用我国金融市场的实际数据,从金融市场基准利率的基本属性的角度出发对Shibor和银行间债券回购利率进行了系统地比较分析,认为Shibor虽然运行时间不长,但却具备了基准利率的主要特征.Shibor作为基准利率更具有科学性.     

我国住房抵押贷款提前还款影响因素分析

提前还款问题是住房抵押贷款证券要解决的一个基本问题.在介绍国外有关提前还款行为影响因素的基础上,针对我国的具体情况,用灰色关联法分析我国提前还款行为的影响因素.     

在不同压力下研究巨磁电阻氧化物的响应特性

本文主要介绍利用自主设计的拉压实验平台对巨磁电阻阻值随外界压力的变化情况进行研究。通过在不同的压力下测量巨磁电阻的伏安特性,得到一些结论,为以后进一步的研究开辟新方法新理念。     

两相同部件并联部分可修复系统的可靠性分析

用C_0半群理论,研究了一类两相同部件并联部分可修复系统解的存在惟一性及指数稳定性,并从本征向量的角度讨论了此系统的一些主要可靠性指标,给出了瞬态可用度的数值模拟.     

内标法测定卡波姆中乙酸乙酯和环己烷的残留量

建立了卡波姆中环己烷和乙酸乙酯残留量的内标GC测定方法.色谱柱:DB-WAX,30 m×0.32 mm×0.25μm;柱温:50℃维持3 min,然后以5℃/min的速度升至120℃,维持15 min.进样口温度:250℃;FID检测器,温度:250℃;进样量:1μL.空白溶液色谱图中,丁酮、环己烷、乙酸乙酯峰处无干扰.环己烷与相邻峰的分离度约为6;乙酸乙酯与相邻峰的分离度约为2.5.环己烷和乙酸乙酯进样量在0.2～1.2 ng范围内线性关系良好(r=0.999 2和0.999 8).环己烷平均回收率为101.4%,RSD=1.3%(n=6),乙酸乙酯平均回收率为100.6%,RSD=1.1%(n=6).该方法操作简便,灵敏度高,分离度好,结果准确,重复性也比较好,适合卡波姆中乙酸乙酯和环己烷的含量测定.     

从科研中提炼出的精细化工专业实验:新型疏水缔合聚合物的制备、表征及性能测定*

结合教师科研项目,推荐一个精细化工专业实验:疏水缔合聚合物的制备、表征及性能测定。通过该实验可以使学生掌握自由基共聚法制备聚合物的基本原理,掌握一些大型仪器的基本操作、聚合物常用的表征手段及结构分析方法,理解疏水缔合聚合物结构与性能之间深层次的理论联系。该实验项目来源于科研,服务于实践,集聚合反应、结构表征、大分子溶液理化性能测试于一体,具有综合性、前沿性、研究性等特点。本实验的开设有利于提高精细化工方向学生的专业实验水平,提升学生的综合探究素质、创新意识及动手能力。     

BN坩埚中的AIN单晶生长

AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面，具有广泛的应用前景。AIN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AIN作为GaN材料的衬底，与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比，具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点，因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命。目前，各国竞相投入大量的人力、物力进行AIN单晶的研究工作。我国在这方面还鲜有报道。本文报道了山东大学在AIN单晶生长探索方面取得的一些进展。