反对数微分简易示波伏安法的研究

在获得微分简易地波伏安图的实验线路中,增加了反对数装置,提出了反对数微分简易示波伏安法。该方法被应用于铝合金中微量铜和分子筛中微量钴的测定,获得了满意结果。     

水热反萃法制备纳米α-Fe2-O3

氧化铁;环烷酸;制备;水热反萃法制备纳米α-Fe2-O3     

反胶束笼对纳米氯化银反应性能的微环境限定

研究了反映束中直径为１０￣１７ｎｍ的ＡｇＣｌ微料与亚甲基蓝之间的作用，比较了阴离子型和非离子型表面活性剂组成的反胶束微环境的影响，讨论了亚甲基蓝在粒子上的吸附，二聚体形成的钠米ＡｇＣｌ粒子对亚甲基蓝荧光猝灭机制。     

卟啉镍分子的激发态和反饱和吸收

用INDO/CI方法研究了卟啉镍分子的电子结构、紫外光谱、激发态,并从理论上指出卟啉镍分子存在反饱和吸收的微观机制.     

4(4''''-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类的合成

随着发现和发明液晶显示的各种原理和显示方式,促进显示用优良的液晶材料的开发,反过来新型液晶材料又促进了新型显示器开发.DOBAMBC(p-癸氧基亚苄基-p'-氨基-2-甲基丁基肉桂酸酯)[1]第一支铁电液晶(FLC)以及MHPOBC((R)-4-(1-甲基庚基氧羰基)苯-4'-烷氧基联苯)-4-羧酸盐[2]第一支反铁电液晶(AFLC)极大地推动了液晶材料的合成及液晶显示器件的开发.以S原子代替C、O原子的液晶,如硫酯、砜基、亚砜基、亚磺酸基等,不断有报道.我们设计了一种新型的含磺酸酯基团的液晶分子,4(4'-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类,并已成功地合成其中五种新的化合物,测试了液晶性能.国内外文献上未见报道.合成路线如下:     

反胶束法合成CdS纳米粒子及其表征

以AOT为保护剂,采用反胶束法合成CdS纳米粒子。利用水洗法洗去保护剂AOT,通过加入不同量的无水乙醇调节分散介质的极性,改变CdS纳米粒子在分散介质中的"溶解度",从而实现不同尺寸粒子的分离。采用紫外-可见(UV-vis)吸收光谱、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱法对其进行表征。     

反胶团相转移法提取青霉素G的研究

报道了非蛋白质类活性物质青霉素Ｇ在反胶团相转移提取中的特性和机理。结果表明，青霉素Ｇ在ＣＴＡＢ／正辛醇：氯仿（４：１，Ｖ／Ｖ）反胶团体系中的相转移提取为离子对静电作用与胶团溶解机理；在室温及ｐＨ值５～８的条件下，提取率在９０％以上，且保持了青霉素的稳定性。     

CoMoK／γ—Al2O3水煤气变换催化剂的硫化及反硫化

以Ｈ２Ｓ和ＣＳ２作硫化剂，用ＰＰＳ和ＴＰＤＳ方法研究了水煤气变换催化剂ＣｏＭｏＫ／γ－Ａｌ２Ｏ３的硫化及反硫化过程。用Ｈ２Ｓ／Ｈ２硫化时，只发现Ｈ２Ｓ的消耗和Ｈ２Ｏ的生成，用ＣＳ２／Ｈ２硫化时，只发现Ｈ２Ｓ的消耗和Ｈ２Ｏ的生成。用ＣＳ２／Ｈ２硫化时，首先生成ＣＯ２，然后是ＣＨ４，Ｈ２Ｏ和Ｈ２Ｓ，ＴＰＧ实验表明催化剂表面上积炭，造成催化剂和活性降低，但积炭在水煤变换反应进行了逐渐除法。ＴＰＤＳ实验表     

NaBr对C12-s-C12•2Br/氯仿体系中反胶团增溶水能力的影响

近红外(NIR)光谱技术可用于表征氯仿体系中反胶团增溶水的能力. 对于C12-s-C12•2Br (s=2, 3, 4, 5, 6, 8)系列, 不论体系是否含有NaBr电解质, 由于具有较短联接链的表面活性剂易形成较大的反胶团, 其增溶水的能力随着联接链长度增加而降低. 与未含NaBr电解质的体系相比, 当体系中存在NaBr电解质时所形成的反胶团增溶水能力降低.     

四碘代对苯二甲酸根桥联的双钴(II)配合物的研究

报导了四种新的双核钴（Ⅱ）配合物，即［Co2（4I-TPHA）（L）4］（COl4）（4I-TPHA＝四碘代对苯二甲酸根阴离子，L＝1，10菲咯啉（phen）（1），5-硝基-,10菲咯啉（NO2-phen）（2），2，2′-联吡啶（bpy）（3）和4，4′-二甲基-2，2′-联吡啶（Me2bpy）（4）的合成和表征，配合物的磁性研究表明双核钴（Ⅱ）离子间有弱的反铁磁性自旋交换相互作用。