p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓 (p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能，发现当温度低于900℃时，材料的电阻率较高 ；在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外，电导性能除与掺杂浓度有关，还与p- GaN生长条件有关，氮镓摩尔比过低导电性能就较差，过高则会引起表面粗糙.采用优化后的 p-GaN制作了绿光发光二极管器件，发现生长温度越低器件发光强度越高，反向电压也越高 ，但正向电压只是略有升高. 关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体 氮化镓 发光二极管 金属有机物化学气相淀积     

16×10Gb/s啁啾光纤光栅色散补偿系统性能研究

运用啁啾光纤光栅法对在G.652光纤传输的16×10 Gb/s信号实现色散补偿数值模拟和研究,分析了入纤光功率、色散斜率以及啁啾光纤光栅色散补偿带宽对系统误码率的影响,结论是:入纤光功率在8～16 dBm之间时系统的性能较好;啁啾光纤光栅的色散补偿带宽对系统的影响较大;光纤的色散斜率对系统误码率有一定的影响.     

微接触印刷法构造金属银的二维和准三维微图纹结构

以聚二甲基硅氧烷（PDMS）有机硅橡胶为弹性印章，以十八烷基三氯硅烷（OTS）正已烷溶液为“墨水”，用微接触印刷分别在普通盖玻片表面和直径为20 mm的试管外表面直接盖印，以及在直径为10 mm的玻璃棒表面进行滚动式微接触印刷盖印.将这些盖好印的基材放在化学镀银液中进行选择性镀银沉积，得到金属银在平面上的二维微结构和在曲面上的准三维微结构.这些微结构的显微照片显示，采用微接触印刷法制备的微图纹结构，图纹转移效率高，精细度很好，特别是微接触印刷操作方法灵活多变，适用于多种形态的表面，是一类实用的微制造方法.     

抽样调查基础理论体系研究综述与应用

针对抽样调查中抽样设计、估计量设计及方差估计等方面存在的关键理论性问题,运用数理统计方法,从抽样调查的两个主要环节,即抽样设计和抽样估计环节进行基础理论的综述研究,以S(a|¨)rndal et al.(1992)等成果中研究的抽样设计、示性变量、包含概率、π估计量等核心概念为基础,并引入超总体模型这一研究工具进行模型辅助估计,最终归纳整理出一套现代抽样调查的基础理论体系,为后续更好地开展抽样调查基础理论和应用研究奠定方法论基础。这套基础理论体系具有开阔性、统一性和易于推广性等一系列优势,对于抽样调查从设计到估计的全过程起着基础性作用。     

光电跟踪仪多传感器数据采集研究

光电跟踪仪数据采集是利用DSP处理技术及多总线结构,实现电视跟踪通道、红外跟踪通道、激光测距机、光纤陀螺仪等多传感器数据的提取,并采用CPCI总线技术结合双端口存储器（双端口RAM）实现系统中信息的快速传输,为光电跟踪仪伺服控制系统提供可靠的数据信息。介绍数据采集系统的设计思想及工作原理,重点研究系统中各传感器的控制方式和接口设计等,并简要说明各系统之间的信息传输方式。     

A uniform doping ultra-thin SOI LDMOS with accumulation-mode extended gate and back-side etching technology

A uniform doping ultra-thin silicon-on-insulator(SOI) lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor(LDMOS)with low specific on-resistance(R_on,sp) and high breakdown voltage(BV) is proposed and its mechanism is investigated.The proposed LDMOS features an accumulation-mode extended gate(AG) and back-side etching(BE). The extended gate consists of a P– region and two diodes in series. In the on-state with VGD 0, an electron accumulation layer is formed along the drift region surface under the AG. It provides an ultra-low resistance current path along the whole drift region surface and thus the novel device obtains a low temperature distribution. The R_on,sp is nearly independent of the doping concentration of the drift region. In the off-state, the AG not only modulates the surface electric field distribution and improves the BV, but also brings in a charge compensation effect to further reduce the R_on,sp. Moreover, the BE avoids vertical premature breakdown to obtain high BV and allows a uniform doping in the drift region, which avoids the variable lateral doping(VLD) and the "hot-spot" caused by the VLD. Compared with the VLD SOI LDMOS, the proposed device simultaneously reduces the R_on,sp by 70.2% and increases the BV from 776 V to 818 V.     

对触媒熔剂法金刚石生长的再认识(Ⅰ)——金刚石晶体生长的准稳定区

本文根据溶液晶体生长理论与实践,认定在金刚石结晶V形区域内存在着晶体生长准稳定区.熔剂-碳二元共熔体系处于准稳定的过饱和溶液中,准稳定的过饱和度是金刚石晶体生长的驱动力.提出了设计合理的加热组装结构、建立金刚石生长适宜压力场、温度场的必要条件,以保证在准稳定的过压度驱动下生长出晶形完整的优质金刚石.     

新型对称性1,3-二己基咪唑离子液体分散液液微萃取多环芳烃研究

合成并表征了一种新的对称性1,3-二己基咪唑双三氟甲烷磺酰亚胺(1,3-Dihexylimidazolium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]imide,[HHIM][Tf2N])离子液体,将其作为分散液液微萃取的萃取剂,并与高效液相色谱联用,建立了一种快速、绿色和高灵敏测定环境水样中4种多环芳烃(氯代萘、芴、蒽和)的方法。对比了[HHIM][Tf2N]与其它萃取剂的效果,优化了萃取剂的体积、分散剂的种类和体积、盐浓度、萃取及离心时间。在优化实验条件下对该方法进行评价,方法在一定浓度范围内线性关系良好,相关系数(r2)为0.999 0~0.999 8;5次重复测定的相对标准偏差为1.5%~5.0%;富集倍数为183~372;检出限为0.002 5~1.0μg·L-1。建立的方法能成功用于实际水样包括自来水、地下水、雨水及河水样品中目标物的测定。     

地方高校有机化学教学改革的探索与实践*

在工程教育认证大背景下,地方高校必须立足自身实际进行教学改革提升教育质量。根据维果茨基的“最近发展区”理论,参考学情分析结果,基于学生现有基础,从教学精度、教学准度和教学广度3个层面完成了一整套有机化学教学流程改革。实践表明,本教学改革激发了学生学习兴趣、丰富了教学资源、提高了教学质量,课程达成度也得到了明显的提升。     

对由热力学基本方程推求可逆电池熵变的理解

常见的物理化学教材中,对可逆电池熵变的推求大都由热力学基本方程直接得到。结论是正确的,但笔者认为此推导过程欠妥。在教学过程中提出了对其完善的两种方法：一是采用状态函数法,二是利用在有非体积功存在的热力学基本方程进行演绎推理,通过合理的讨论分析,得出正确结论。