负离子配位多面体生长基元和晶体形貌

本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶体中的结晶方位和其形态之间的关系,发现晶体的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关.负离子配位多面体以顶角相联最稳定,以边相连次之,以面相连最不稳定.同时,本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对极性晶体ZnO和ZnS的生长习性也做了一定的解释.     

铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶的生长基元与生长机理: II.成 分、结构起伏与 同型生长基元的分异和组装

铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT,PZNT的生长基元为多种[BO~6]配位八面体。这些同型生长基元受本身稳定性的制约而在熔体中存在的几率不同。相对于[MgO~6]^1^0^-,[ZnO~6]^1^0^-八面体基元来说,[NbO~6]^7^-,[TiO~6]^8^-是更为有利的八面体基元。在基元组装过程中,各种[BO~6]八面体基元在稳定性、尺寸大小与电价上的分异致使生长界面对基元有一定的选择性,从而造成了晶体生长时成分与结构的短程起伏,并为有序畴及其它化学缺陷团簇的形成提供了条件。当加入掺质PbTiO~3时,由于[TiO~6]^8^-与[NbO~6]^7^-两种基元在组装时的类聚性及[TiO~6]^8^-对晶体稳定性的贡献,晶体的微区成分与结构得以调制,焦发石相得以抑制,这构成了用Bridgman法能直接从熔体中生长出纯钙钛矿相PMNT单晶的基础。而[MgO~6]^1^0^-与[ZnO~6]^1^0^-八面体基元的差致使PMNT,PZNT两单晶的生长难度有别,这在选择合适的生长方法时需加以考虑。     

硫化锌晶粒生长基元稳定能及生长形态

以配位四面体为结构单元的锌化合物晶体有闪锌矿和纤锌矿两种结构．从负离子配位多面体生长基元模型出发，结合水热制备实验，通过生长基元稳定能计算，描绘了闪锌矿硫化锌晶粒形成的过程，给出了其理想生长形态．正四面体状生长基元是闪锌矿硫化锌晶体的有利生长基元，基元正、负极面具有不同的生长速率，因此，正四面体形是闪锌矿硫化锌晶体的理想生长形态．基元稳定能计算结果证明硫化锌晶体不可能以纤锌矿结构存在；氧化锌晶体也不可能以闪锌矿结构生长． 关键词：     

极性晶体结晶习性的形成机理

将负离子配位多面体生长基元模型应用于对极性晶体结晶习性的研究。从结晶化学角度探讨了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体各族晶面显露规律，提出负离子配位多面体在晶体各族晶面上联结的稳定性决定了晶面的生长速率。在不同的生长温度和溶液碱浓度下，负离子配住多面体相互联结构成不同维度的生长基元，而不同维度的生长基元往晶体各族晶面上叠合的速率比例是在变化的，这是导致晶体结晶形态多变性的主要原因。同时提出：如果把PBC模型中的化学键链设定为配位多面体相联结的键链，使得极性晶体结晶习性中难以解释的问题就会迎刃而解，从而使PBC理论模型的应用会得到更进一步的拓宽。     

彩色水晶的形成机理

本文研究了人工彩色水晶籽晶取向与水晶结构之间的关系，提出了Ｓｉ－Ｏ 四面体沿晶轴Ｚ方向的共轭螺旋孔道和沿Ｘ轴Ｓｉ－Ｏ四面体褶叠螺旋环孔道对掺杂有重要作用．首次发现Ａｌ３＋与Ｃｏ２＋在水晶中共存时Ａｌ３＋色心吸收谱具有新的效应．Ａｌ３＋色心很容易饱和，可使辐照剂量大幅度降低．     

晶体生长的台阶列运动的一个基本特点

本文介绍了用实时观察方法研究水溶液中晶体生长长机制的实验。通过对水溶液中ＣｄＩ２晶体的生长台阶运动的实时观察研究，首次提出了在过饱和度较小的条件下生长台阶列的间距和生长界面上环境相的过饱和度成反比的结论。本文还给出了在一定的限制条件下，台阶列运动的这一特点的理论推导。     

热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理

本文研究了热液条件下ＢＧＯ（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０．Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型，设计了生长ＢＧＯ晶粒时Ｂｉ－Ｏ６八面体和Ｇｅ－Ｏ４四面体的比例和生长工艺，制备出结晶完好的晶粒，提出Ｇｅ－Ｏ４四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体中（１１１）面族顽强显露，晶粒呈三次对称，表现出极性晶体的生长特征。Ｂｉ４Ｇｇ     

人工水晶的缺陷与品质

对人工水晶缺陷和质量的研究有过不少报道[1-4],一般认为水晶中缺陷是由螺位错、刃位错和混合位错构成的[5-7].本文作者认为水晶中缺陷主要是沿着三方偏方面体单形锥面发育的面缺陷.下面从缺陷形成的机理与OH-之间的关系来讨论缺陷对水晶品质的影响. 一、缺陷的检查1.X射线形貌照相 形貌照相所揭露的水晶缺陷与晶体表面结构形态的方位特征是一致的.底面c上三方结构(三方丘或三棱锥)提由三方偏方面体锥面组成的[8].从三棱锥结构的晶体上切取(0001)和(1101)样片,在形貌图中所显示的缺陷形态、方位特征与晶体的左右形相对应(见图1,2).取(1010…