Fredholm积分方程的数值解

积分方程是泛函分析的一个重要分支，它是研究数学及其它学科，如偏微分方程边值问题和各种物理问题的重要数学方法，为此，我们研制了求解Ｆｒｅｄｈｏｌｍ积分方程的代码ＩＴＧＭＯ，并给出了该代码实验应用的例子。     

“数学猜测”的教学构想与实践

“数学猜测”的教学构想与实践齐智华（吉林省通化市靖宇中学１３４０００）本文主张在高中讲授“数学猜测”．目的是培养学生创造思维能力和解题能力，把学生从题海中解放出来，使学生学得主动活泼，使数学教育跃上一个新的高度．１“让我们教猜测吧！”数学是系统的演绎...     

十二参三角形板元

九参三角形板元的研究工作已有不少,但十二参三角形板元还较少见报道。唐立民等利用他们创立的拟协调方法构造一个十二参三角形拟协调元,节点参数是单元三个顶点上的函数值和两个一阶偏导数值及三边中点上的外法向导数值,他们是用力学方法构     

电子离子碰撞过程中的共振激发双自电离

利用相对论修正扭曲波玻恩近似, 计算了类钠离子Ti11+ 和Cr13+ 的电子碰撞直接电离, 激发自电离和共振激发双自电离截面. 理论数据与实验结果在整个能区内很好符合. 共振激发双自电离截面对总截面的贡献约为20%-30%, 对速率系数的影响较大, 不可忽略.     

频域形式的Robust控制问题

本文研究了带参数的线性定常系统T_p(s)=P^-1(s)R(s)的Robust控制问题,获得了存在Robust控制器的充分必要条件和补偿器是Robust控制器的充分必要条件,得到了比前人的工作更加一般化的新结果。同时,顺便简易地证明了文献[3]的主要定理。     

NiSOF／γ—Al2O3对丙烯齐聚反应的催化行为

ＮｉＳＯ４／γ－Ａｌ２Ｏ３的酸性强烈影响其催化丙烯齐聚的活性。ＣＯ中毒实验和ＥＳＲ表征证明，在反应过程中有Ｎｉ＾＋产生，并成为反应的活性中心。推测ＮｉＳＯ４／γ－Ａｌ２Ｏ３上丙烯齐聚反应除通过酸中心上酸催化进行外，还通过Ｎｉ＾＋上配位催化进行。     

超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性

以液态金属Ca作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。     

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将理想全二维磁流体(MHD)稳定性数值代码GATO成功移植到HL-2A高性能计算系统,并用其模拟研究了HL-2A装置一次典型弹丸注入实验的等离子体的理想MHD稳定性。利用HL-2A装置第4050次放电的实验数据,应用EFIT代码重建了几个时间片的平衡位形,然后应用GATO代码对每个平衡位形的MHD稳定性进行了计算。通过对结果进行分析比较得出初步结论,由于弹丸注入而造成的反剪切位形的致稳作用,可以提高等离子体的约束性能。     

溅射气体中氩气含量对Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜结构和Tc的影响

采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜.样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相, 同时显示薄膜的c轴长度, (006), (007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变.通过薄膜超导零电阻温度检测发现, YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变.这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中, 溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比, Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变, 恶化超导电性.