首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   44篇
  免费   38篇
  国内免费   13篇
化学   14篇
晶体学   10篇
力学   9篇
综合类   1篇
数学   21篇
物理学   40篇
  2023年   5篇
  2022年   5篇
  2021年   1篇
  2020年   2篇
  2019年   3篇
  2018年   3篇
  2017年   5篇
  2016年   4篇
  2015年   5篇
  2014年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   7篇
  2011年   6篇
  2010年   5篇
  2009年   3篇
  2008年   2篇
  2007年   9篇
  2006年   2篇
  2005年   3篇
  2004年   6篇
  2003年   3篇
  2002年   4篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1991年   1篇
排序方式: 共有95条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
OnUniqueRangeSetsforMeromorphicFunctionsFangMingliang(方明亮)(DepartmentofMathematics,NanjingNormalUniversity,Nanjing,Jiangsu,2...  相似文献   
42.
高阶非奇异酉矩阵与它对应的行列式及其模具有特定关系;二阶酉矩阵必呈三种特定形式之一;任意高阶矩阵与同阶酉矩阵进行一定乘法运算后其迹不受影响。  相似文献   
43.
44.
基于信息熵的空战目标威胁评估   总被引:1,自引:0,他引:1  
空战目标威胁评估是协同多目标攻击空战决策的关键技术之一.针对传统空战目标威胁评估方法在确定权重系数方面的缺陷和不足,提出了运用信息熵方法来解决空战目标威胁评估问题.给出了信息熵方法确定威胁指标权重的具体步骤,建立了基于信息熵的空战目标威胁评估模型,并进行了仿真研究,仿真结果表明该方法是合理和有效的.  相似文献   
45.
细菌总数是生鲜肉的最主要安全参数之一,肉品的光学扩散特征反映其细菌总数。对高光谱扩散数据利用不同的拟合算法处理与分析,并比对生鲜猪肉细菌总数建模的相关性差异,确定了用于最终建模的最佳扩散特征参数,为后续的装置开发提供建模依据。冰箱调至4℃恒温,在里面放置63个分割好的猪肉样品,每天间隔固定时间从里面随机取出4~5块样品,获取猪肉表面的400~1 100nm波长范围内高光谱散射图像,从高光谱图像中提取猪肉的扩散光谱曲线,利用Lorentz函数和Gompertz函数以及修正后的函数,拟合处理与分析扩散数据,拟合后的不同参数可以代表样品的特征光谱,细菌总数的标准值用平板计数法获得,然后单独用各单个参数、多个参数结合的方式,多元线性回归的统计方法,与细菌总数分别建立模型。实验结果表明,Lorentz三参数结合,Lorentz四参数结合,Gompertz四参数拟合的模型相关系数较高,其校正集和预测集相关系数分别为0.93,0.96,0.96和0.90,0.90,0.92,标准偏差分别为0.47,0.44,0.39和0.56,0.46,0.42,其中,相关性最好的是Gompertz四参数结合,在装置的开发中可以优选相关性和稳定性最好的模型导入装置系统中。  相似文献   
46.
雷天民  吴胜宝  张玉明  郭辉  陈德林  张志勇 《物理学报》2014,63(6):67301-067301
为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小.能带结构分析表明,La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析.差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象.  相似文献   
47.
In this paper, the normally-off N-channel lateral 4H–Si C metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFFETs) have been fabricated and characterized. A sandwich-(nitridation–oxidation–nitridation) type process was used to grow the gate dielectric film to obtain high channel mobility. The interface properties of 4H–Si C/SiO_2 were examined by the measurement of HF I–V, G–V, and C–V over a range of frequencies. The ideal C–V curve with little hysteresis and the frequency dispersion were observed. As a result, the interface state density near the conduction band edge of 4H–Si C was reduced to 2 × 10~(11) e V~(-1)·cm~(-2), the breakdown field of the grown oxides was about 9.8 MV/cm, the median peak fieldeffect mobility is about 32.5 cm~2·V~(-1)·s~(-1), and the maximum peak field-effect mobility of 38 cm~2·V~(-1)·s~(-1) was achieved in fabricated lateral 4H–Si C MOSFFETs.  相似文献   
48.
雷天民  刘佳佳  张玉明  郭辉  张志勇 《中国物理 B》2013,22(11):117502-117502
Mn-doped graphene is investigated using first-principles calculations based on the density functional theory(DFT).The magnetic moment is calculated for systems of various sizes,and the atomic populations and the density of states(DOS)are analyzed in detail.It is found that Mn doped graphene-based diluted magnetic semiconductors(DMS)have strong ferromagnetic properties,the impurity concentration influences the value of the magnetic moment,and the magnetic moment of the 8×8 supercell is greatest for a single impurity.The graphene containing two Mn atoms together is more stable in the 7×7 supercell.The analysis of the total DOS and partial density of states(PDOS)indicates that the magnetic properties of doped graphene originate from the p–d exchange,and the magnetism is given a simple quantum explanation using the Ruderman–Kittel–Kasuya–Yosida(RKKY)exchange theory.  相似文献   
49.
现代战斗机空战是当前空中力量遂行作战任务的主要模式,其空战效能的评估问题也是研究的难点之一.在分析现代战斗机空战模式及七个关键影响因素的基础上,引入人工智能技术的思路和方法,运用LS-SVM支持向量机方法对现代战斗机空战效能进行了多级评估LS-SVM支持向量机分类器设计并建立智能评估模型,结合实例进行了计算和分析,为进一步研究空战效能的评估问题提供了一种新的思路.  相似文献   
50.
本文介绍了制备单晶金刚石的主要方法并对其进行了对比,从籽晶选择、预处理和生长工艺几个方面综述了微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石单晶的研究进展,并简单介绍了目前国内外在单晶金刚石制备上的进展,最后对CVD金刚石单晶在电子领域的应用进行了展望.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号