应变对单层砷烯结构拉曼散射的影响

应用密度泛函理论对应变下的单层砷烯拉曼光谱的变化进行研究.由于材料的结构对称性较低，由外部应力诱发的形变不仅可以造成拉曼模式分裂，还可以引发拉曼模式偏移.计算表明：拉曼峰位的变化与应变正相关，建立了应变与峰位移动间的定量关系，为在实验中识别砷烯结构的应变提供依据.     

面向新工科的物理实验人才培养模式的构建与实践

以西南科技大学物理实验示范中心为例,分析了普通高校物理实验面临的共同问题,研究了多种解决教学问题的可行方案,初步形成了一套面向新工科的物理实验人才培养有效模式,并对这些举措的创新点和应用推广情况进行了阐述。     

ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷的制备

以AZO陶瓷为基体,采用传统的固相烧结技术制备了ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷,研究了不同烧结温度、ZrO2掺杂量对AZO陶瓷的表面电阻率、相对密度、维氏硬度的影响.通过XRD测定陶瓷的物相结构,SEM观察陶瓷的断面形貌,表面电阻测试仪测量陶瓷的表面电阻,维氏显微硬度仪测量陶瓷的维氏硬度,阿基米德排水法测量陶瓷密度等方法对ZrO2掺杂AZO陶瓷进行了分析表征.结果表明:当烧结温度为1450℃,ZrO2的掺杂量为1wt;时,其综合性能最佳.此时陶瓷表面电阻率为105Ω· cm,相对密度达97.61;,维氏硬度为357.5 HV0.3,已达到防静电陶瓷性能要求.     

不同材料弹体超声速侵彻钢筋混凝土靶的结构破坏对比实验

设计了超声速钻地结构弹,采用203 mm口径的火炮,开展了25 kg量级弹体在1100~1300 m/s速度范围内侵彻钢筋混凝土靶的实验研究,应用数值仿真对弹体侵彻钢筋混凝土靶的过程进行了模拟计算。基于实验和仿真结果,对超声速侵彻条件下两种金属材料弹体的结构响应、质量损失等问题进行了分析。结果表明:在超声速侵彻钢筋混凝土靶的过程中,两种金属材料的弹体结构变形破坏形式主要为头部侵蚀和侧壁磨蚀,头部侵蚀量的大小与弹体壳体材料有关,高强度G50钢材料更适合用于1200 m/s速度量级的超声速侵彻环境。对出现的“径缩”现象作了初步分析,并对今后工程应用的结构弹体设计提出了指导意见。     

四种次磷酸盐的合成

合成了次磷酸钙、次磷酸铁、次磷酸钡、次磷酸锌4种次磷酸盐，产率依次为94.7%、 98.1%、80.6%、 60.3%，粒径2~4 μm，其结构经SEM、 IR和电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)确证。      

ICP-MS法测定食品中微量~(99)Tc

针对食品样品中微量锝的检测,建立了一种高效、定量分离99Tc,并能有效除去钼、钌的方法。方法采用聚乙二醇-4000涂覆的C18-U柱分离锝、钼和钌,用2 mol/L碳酸钠溶液体系上柱后,去离子水洗脱吸附在柱上的锝。该方法对99Tc的平均回收率为100%,钼的去污因子为1.3×104,钌的去污因子为6.2×103。99Tc采用质谱法测量。方法用于食品中99Tc的检测,99Tc含量在1~20 ng/kg干样之间。     

复叠与双级压缩系统的模拟对比分析

为了探究双级压缩制冷系统和复叠式制冷系统在低温环境下运行的可行性和经济性,在冷凝温度30℃,蒸发温度-20℃~-50℃工况下,通过EES模拟,将四种双级压缩循环方式分别与复叠式循环方式进行对比分析。研究表明:在蒸发温度从-20℃降到-50℃的工况下,同蒸发温度下,复叠循环系统的COP比一次节流中间完全(不完全)冷却循环系统的COP高20%,对于一次节流中间完全(不完全)冷却循环与复叠循环,系统COP都降低50%;对于二次节流中间完全(不完全)冷却循环与复叠循环,在同蒸发温度下,复叠循环系统的COP与二次节流中间完全冷却循环系统的COP相差不大,复叠循环系统的COP低于二次节流中间不完全冷却循环系统的COP,但二次节流的两个节流阀口径大,难协调并且系统回油不均,无法长期稳定运行。因此,在低温工况下(-20℃~-50℃)复叠循环相比于双级压缩循环具有更高的节能性、可行性。     

基于假设脱钩区间模型的省际节能减排压力测算以辽宁省为例

参照资源消耗及废物排放与经济增长的定量表达式-IGT方程和IGTX方程,分别推导出资源脱钩指数和二氧化碳排放指数方程.根据脱钩指数,将二氧化碳排放与GDP脱钩程度分为绝对脱钩、相对脱钩和未脱钩三种程度,并构建了假设相对脱钩和假设绝对脱钩区间.以辽宁省1995-2012年间二氧化碳排放量和GDP增长量为对象,分析了二者的脱钩关系.研究发现,除了1997和1999年二者处于相对脱钩状态,其余年份均未脱钩.运用假设脱钩区间模型,分别计算达到相对脱钩和绝对脱钩状态的二氧化碳年排放理想值,并与现值进行比较,得到各年节能减排的压力值.研究结果表明:相对脱钩的压力相对较小,减排压力在0-1671万t之间,占基准年碳排放量的0%-12.23%;绝对脱钩的压力较大,减排压力在320.77-4899.84万t,占基准年碳排放量的2.35%-23.94%.     

High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfO_x inserting layer

The impacts of HfO_x inserting layer thickness on the electrical properties of the ZnO-based transparent resistance random access memory(TRRAM) device were investigated in this paper. The bipolar resistive switching behavior of a single ZnO film and bilayer HfO_x/ZnO films as active layers for TRRAM devices was demonstrated. It was revealed that the bilayer TRRAM device with a 10-nm HfO_x inserted layer had a more stable resistive switching behavior than other devices including the single layer device, as well as being forming free, and the transmittance was more than 80% in the visible region. For the HfO_x/ZnO devices, the current conduction behavior was dominated by the space-charge-limited current mechanism in the low resistive state(LRS) and Schottky emission in the high resistive state(HRS), while the mechanism for single layer devices was controlled by ohmic conduction in the LRS and Poole–Frenkel emission in the HRS.