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41.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
42.
通过对La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(x=0.00,0.04,0.08,0.12,0.15)多晶样品M-T曲线、M-H曲线及ESR谱的测量,研究了Mn位W掺杂对电荷有序体系La0.3Ca0.7MnO3磁结构的影响.结果表明,当掺杂量为0.00≤x≤0.08时,体系存在电荷有序(CO)相,AFM/CO态共存于相变温度以下,电荷有序温度TCO随着W掺杂量的增加而增加;x=0.04时,样品在低温下为FM相与AFM/CO相共存,在CO相建立前、后均有FM从PM中分离出来;当x≥0.12时,CO态融化,在极低温度下存在顺磁-铁磁(PM-FM)相变. 相似文献
43.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
44.
用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La0.82Te0.18MnO3单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变,转变点温度为283 K.其电阻率在T<TMI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式;在T>TMI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm,40 mW)作用下电阻率显著增大,电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料;在高温段产生了较小的光电导,电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La0.82Te0.18MnO3薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系.
关键词:
0.82Te0.18MnO3薄膜')" href="#">La0.82Te0.18MnO3薄膜
光诱导
输运特性
电子掺杂 相似文献
45.
简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱.制成的硫化锌纳米晶直径为3.0~3.5nm. 相似文献
46.
47.
Y3Al5O12:Eu^3+磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以金属烷氧基化合物为原料.采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明,YAG:Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加,Eu^3 发射峰强度增强。 相似文献
48.
49.
50.
LD双端端面泵浦的高功率连续单频Nd:YVO4激光器 总被引:2,自引:1,他引:1
通过研究Nd:YVO4晶体在不同Nd3+掺杂浓度下对泵浦激光的吸收特性,以及激光晶体因吸收泵浦光而产生的热效应,在理论上分析了大功率泵浦情况下全固体化单频Nd:YVO4激光器中激光晶体Nd3+掺杂浓度对激光输出特性的影响,得出了激光器的输出功率、泵浦阈值以及斜效率与晶体掺杂浓度的对应关系.在实验上对晶体掺杂浓度分别为0.2 at%、0.3 at%和0.5 at%的大功率全固体化单频Nd:YVO4激光器的输出功率进行了比较,实验结果和理论预测基本吻合.当Nd:YVO4晶体的Nd3+掺杂浓度为0.3 at%,在44.3 W泵浦光功率下,我们在实验室得到18 W单频连续1.064 μm激光输出,激光器的斜效率为49.4%. 相似文献